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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2012-10-25 15:20 |
宮城 | 東北大学未来研 | SiO2/Si(100)界面における組成遷移層の化学構造に関する研究 ○諏訪智之・寺本章伸（東北大）・室 隆桂之・木下豊彦（高輝度光科学研究センター）・須川成利・服部健雄・大見忠弘（東北大）  SDM2012-89 |
[more] | SDM2012-89 pp.1-4 |
| SDM | 2012-10-25 16:10 |
宮城 | 東北大学未来研 | 微小角入射X線回折法を用いたSiO2薄膜中の結晶相の評価 ○永田晃基・山口拓也・小椋厚志（明大）・小金澤智之・廣澤一郎（高輝度光科学研究センター）・諏訪智之・寺本章伸・服部健雄・大見忠弘（東北大） SDM2012-91 |
SiO2薄膜の構造については、かねてより多角的な研究によりSiO2薄膜中にSi基板の結晶構造を反映した秩序が残留している... [more] | SDM2012-91 pp.11-14 |
| SDM | 2012-10-26 09:55 |
宮城 | 東北大学未来研 | PECVD法を用いたゲートスペーサー用高品質シリコン窒化膜の低温形成プロセス ○中尾幸久・寺本章伸・黒田理人・諏訪智之・田中宏明・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2012-93 |
[more] | SDM2012-93 pp.21-26 |
| SDM | 2012-10-26 10:20 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［特別講演］シリコンLSI:微細化に替る高性能化の道 ○大見忠弘・中尾幸久・黒田理人・諏訪智之・田中宏明・須川成利（東北大） SDM2012-94 |
[more] | SDM2012-94 pp.27-32 |
| SDM | 2011-10-20 15:45 |
宮城 | 東北大学未来研 | ラジカル反応ベース絶縁膜形成プロセスにおける界面平坦化効果と絶縁膜破壊特性との関係 ○黒田理人・寺本章伸・李 翔・諏訪智之・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2011-101 |
[more] | SDM2011-101 pp.21-26 |
| SDM | 2011-10-21 10:15 |
宮城 | 東北大学未来研 | SiO2/Si界面における構造遷移層の酸化手法依存性 ○諏訪智之・熊谷勇喜・寺本章伸（東北大）・木下豊彦・室隆桂之（高輝度光科学研究センター）・服部健雄・大見忠弘（東北大） SDM2011-105 |
酸素ラジカルおよび酸素分子で形成したSiO2膜について、Si 2pからの軟X線励起角度分解光電子スペクトルを測定し、Si... [more] | SDM2011-105 pp.49-52 |
| SDM | 2010-10-22 14:50 |
宮城 | 東北大学 | 酸素ラジカルを用いて形成したSiO2/Si界面における組成遷移と価電子帯オフセットの基板面方位依存性 ○諏訪智之・熊谷勇喜・寺本章伸・大見忠弘・服部健雄（東北大）・木下豊彦・室 隆桂之（高輝度光科学研究センター） SDM2010-167 |
Si 2pとO 1sの内殻準位および価電子帯からの軟X線励起角度分解光電子スペクトルを脱出深さを揃えて測定し、Oラジカル... [more] | SDM2010-167 pp.61-65 |
| SDM | 2010-10-22 16:20 |
宮城 | 東北大学 | 原子スケールで平坦なSiO2/Si酸化膜界面歪の評価 ○服部真季（明大）・小瀬村大亮（明大/学振）・武井宗久・永田晃基・赤松弘彬・富田基裕・水上雄輝・橋口裕樹・山口拓也・小椋厚志（明大）・諏訪智之・寺本章伸・服部健雄・大見忠弘（東北大）・小金澤智之（高輝度光科学研究センター） SDM2010-170 |
原子スケールで平坦なSiO2/Si界面の構造や歪の状態を明らかにするために、ラマン分光法およびin-plane X線回折... [more] | SDM2010-170 pp.71-75 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 12:15 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | High Integrity Gate Insulator Films on Atomically Flat Silicon Surface ○Xiang Li・Rihito Kuroda・Tomoyuki Suwa・Akinobu Teramoto・Shigetoshi Sugawa・Tadahiro Ohmi（Tohoku Univ.） ED2010-93 SDM2010-94 |
A low temperature atomically flattening technology for Si(10... [more] | ED2010-93 SDM2010-94 pp.183-188 |
| SDM | 2009-10-30 15:45 |
宮城 | 東北大学 | ラジカル酸化法により形成したSiO2/Si界面に形成される構造遷移層に関する研究 ○諏訪智之・寺本章伸・大見忠弘・服部健雄（東北大）・木下豊彦・室隆桂之・加藤有香子（高輝度光科学研究センター） SDM2009-134 |
ラジカル酸化法により形成したSiO2/Si界面における組成遷移層の原子構造および価電子帯レベルオフセットの面方位依存性を... [more] | SDM2009-134 pp.77-80 |
| SDM | 2008-10-10 15:15 |
宮城 | 東北大学 | Stress Induced Leakage CurrentとRandom Telegraph Signalノイズとの相関 ○熊谷勇喜・寺本章伸・阿部健一・藤澤孝文・渡部俊一・諏訪智之・宮本直人・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2008-165 |
絶縁膜にFowler-Noldheim（FN）電子注入ストレスを印加した際の、stress induced leakag... [more] | SDM2008-165 pp.57-62 |
| SDM | 2008-10-10 16:15 |
宮城 | 東北大学 | 角度分解光電子分光法によるゲート絶縁膜/シリコン基板界面に形成される構造遷移層に関する研究 ○諏訪智之（東北大）・荒谷 崇（信越化学）・樋口正顕（東芝）・須川成利（東北大）・池永英司（高輝度光科学研究センター）・牛尾二郎（日立）・野平博司（武蔵工大）・寺本章伸・大見忠弘・服部健雄（東北大） SDM2008-167 |
研究は、Si(100)、Si(111)、Si(110)基板上にNHラジカルにより形成したシリコン窒化膜について、軟X線励... [more] | SDM2008-167 pp.69-74 |
| SDM | 2008-10-10 16:45 |
宮城 | 東北大学 | 原子オーダ平坦化シリコンウェハ表面のAFM評価手法及びデータ解析手法 ○譽田正宏・寺本章伸・諏訪智之・黒田理人・大見忠弘（東北大） SDM2008-168 |
MOSFETの微細化が進むにつれて、シリコン表面の平坦性や均一性はデバイス特性に大きな影響を与える。そこで、原子オーダ平... [more] | SDM2008-168 pp.75-78 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-11 12:20 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | The Data Analysis Technique of the Atomic Force Microscopy for the Atomically Flat Silicon Surface ○Masahiro Konda・Akinobu Teramoto・Tomoyuki Suwa・Rihito Kuroda・Tadahiro Ohmi（Tohoku Univ.） ED2008-89 SDM2008-108 |
[more] | ED2008-89 SDM2008-108 pp.265-269 |
| SDM | 2007-10-05 15:00 |
宮城 | 東北大学 | シリコン表面の原子オーダー平坦化技術 ○諏訪智之・黒田理人・寺本章伸・大見忠弘（東北大） SDM2007-190 |
本研究において、1200℃のArガス雰囲気中で(100)面のシリコンウェハを熱処理することにより、様々な原子オーダのステ... [more] | SDM2007-190 pp.57-59 |
| SDM | 2007-06-07 15:55 |
広島 | 広島大学（学士会館） | 大規模アレイTEGによるトンネル絶縁膜の微小・局所的ゲート電流の統計的評価 ○熊谷勇喜・寺本章伸・須川成利・諏訪智之・大見忠弘（東北大） SDM2007-36 |
[more] | SDM2007-36 pp.27-32 |
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