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研究会	発表日時	開催地		タイトル・著者	抄録	資料番号
ICD	2006-04-13 10:45	大分	大分大学	［特別招待講演］サブ１V DRAM設計技術 ○河原尊之（日立）	ＤＲＡＭのサブ１Ｖ動作を実現するための課題といくつかの解決案について述べる。DRAMの低電圧化は困難であり、消費電力、信... [more]	ICD2006-4 pp.19-24
ICD	2006-04-13 16:40	大分	大分大学	［パネル討論］新メモリとSoC,今何をすべきか？ ○日高秀人（ルネサステクノロジ）・田口眞男（SPANSION JAPAN）・河原尊之（日立）・高島大三郎（東芝）・上野修一（ルネサステクノロジ）・高田雅史（金沢大）・高橋真史（東芝）	２０００年以降、新型メモリ開発ラッシュが続いているが、それらの比較や適するアプリケーションの議論は、ほとんどが単体メモリ... [more]	ICD2006-9 p.49
ICD, ITE-CE (共催)	2006-01-26 10:30	東京	機械振興会館	1.5-V CMOS動作オンチップ相変化RAM回路技術 ○半澤　悟・長田健一・河原尊之・竹村理一郎（日立）・北井直樹（日立超LSIシステムズ）・高浦則克・松崎　望・黒土健三・守谷浩志（日立）・茂庭昌弘（ルネサステクノロジ）	世界最小電流でリセット可能な相変化素子を用いたメモリセルのリセット/セット/リードの各動作を検証して、三つの相変化RAM... [more]	ICD2005-206 pp.7-12
ICD, SDM (共催)	2005-08-18 09:20	北海道	函館国際ホテル	温度変化によるLSI性能ばらつきを低減するTISロック回路 ○小野豪一・宮崎祐行・渡邊一希・河原尊之（日立）	(事前公開アブストラクト) LSIの低電力化には低電圧動作が有効であるが、LSIの性能ばらつきが増大する。LSIの性能ば... [more]	SDM2005-130 ICD2005-69 pp.13-18
ICD, SDM (共催)	2005-08-19 13:50	北海道	函館国際ホテル	0.4V高速動作、長リテンション時間を実現する12F2ツインセルDRAMアレー ○竹村理一郎・伊藤清男・関口知紀・秋山　悟・半澤　悟（日立）・梶谷一彦（エルピーダメモリ）・河原尊之（日立）	セル面積が12F 2のツインセルアレーについて、低電圧での高速書込み動作、長リテンション時間の可能性について検討した。同... [more]	SDM2005-152 ICD2005-91 pp.55-60
ICD	2005-04-14 09:30	福岡	福岡システムLSI 総合開発センター	書き込みマージンを増加させた低電力SoC向け混載SRAM ○山岡雅直（日立）・前田徳章（ルネサステクノロジ）・篠崎義弘（日立超LSIシステムズ）・島崎靖久・新居浩二・島田　茂・柳沢一正（ルネサステクノロジ）・河原尊之（日立）	低電力SoCの消費電力はモバイル機器の電池寿命に大きく影響する。現在のSoCは多くのSRAMモジュールを混載しており、S... [more]	ICD2005-2 pp.7-12
ICD	2005-04-14 14:30	福岡	福岡システムLSI 総合開発センター	［招待講演］ギガビット時代のDRAM設計における統計的手法導入の提案 ○関口知紀・秋山　悟（日立）・梶谷一彦（エルピーダメモリ）・半澤　悟・竹村理一郎・河原尊之（日立）	今回提案するメモリーアレー協調設計手法では、複数のデバイスばらつきによる信号劣化を統計的に考慮してDRAMアレーのS/N... [more]	ICD2005-8 pp.37-42
ICD	2004-12-16 10:00	広島	広島大学東広島キャンパス	D2G-SOIトランジスタを用いた低電力SoC向けSRAMセル ○山岡雅直・長田健一・伊藤清夫・土屋龍太・河原尊之（日立）	FD-SOIの一種であるD2G-SOIというトランジスタ構造を用いて、低電力SoCに最適な2種類のSRAMメモリセルを提... [more]	ICD2004-183 pp.1-5

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