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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2009-12-04 11:20 |
奈良 | 奈良先端大 物質創成科学研究科 | Poly-Si TFTにおけるゲート酸化膜へのホットホール注入と捕獲／放出特性の評価 ○鎌倉良成（阪大）・日昔 崇（阪大/関西大）・辻 博史・谷口研二（阪大）  SDM2009-157 |
nチャネル低温ポリシリコンTFTのオフ領域で観測されたId－Vg特性のヒステリシス現象について、その発生条件を調査すると... [more] | SDM2009-157 pp.35-38 |
| SDM | 2009-11-12 14:40 |
東京 | 機械振興会館 | 表面ポテンシャルを用いた薄膜トランジスタのドレイン電流モデル ○辻 博史（阪大/JST）・鎌倉良成・谷口研二（阪大） SDM2009-138 |
多結晶シリコン薄膜トランジスタ(poly-Si TFT)の新たなドレイン電流モデルを提案する．poly-Si TFTの緩... [more] | SDM2009-138 pp.19-22 |
| SDM | 2009-11-13 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | 自己発熱効果がナノスケールトランジスタの電気特性に与える影響 ○鎌倉良成・森 伸也（阪大/JST）・谷口研二（阪大） SDM2009-142 |
ナノスケールSi-MOSFET 内部における非平衡光学フォノンの発生とそれが電気特性に与える影響を数値シミュレーションを... [more] | SDM2009-142 pp.39-44 |
| SDM [詳細] | 2008-11-14 15:00 |
東京 | 機械振興会館 | ナノスケールMOSFETチャネル中の引力型イオンがデバイス電気特性に与える影響 ○鎌倉良成・ミリニコフ ゲナディ・森 伸也（阪大）・江崎達也（広島大） SDM2008-179 |
非平衡グリーン関数法に基づく3次元デバイスシミュレータを用いて，無ドープのチャネル中に存在する単一の引力型イオン（ドナー... [more] | SDM2008-179 pp.61-66 |
| SDM | 2007-12-14 11:00 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | Poly-Si TFTにおける容量-電圧特性のシミュレーションによる解析 ○葛岡 毅・辻 博史・桐原正治・鎌倉良成・谷口研二（阪大） SDM2007-225 |
短チャネルpoly-Si TFTの容量‐電圧 (C-V) 特性について，2次元デバイスシミュレーションによる解析を行った... [more] | SDM2007-225 pp.15-18 |
| SDM, VLD (共催) |
2007-10-30 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | 周期的な不純物原子配列を有する半導体の電気伝導シミュレーション ○照沼知英・渡邉孝信・品田賢宏（早大）・鎌倉良成・谷口研二（阪大）・大泊 巌（早大） VLD2007-50 SDM2007-194 |
[more] | VLD2007-50 SDM2007-194 pp.1-4 |
| SDM, VLD (共催) |
2007-10-30 10:50 |
東京 | 機械振興会館 | 粗視化手法を用いた極微細MOSFETの量子輸送シミュレーション ミリニコフ ゲナディ・○森 伸也・鎌倉良成（阪大）・江崎達也（広島大） VLD2007-52 SDM2007-196 |
[more] | VLD2007-52 SDM2007-196 pp.11-14 |
| SDM, VLD (共催) |
2007-10-30 15:50 |
東京 | 機械振興会館 | 65nmノード歪みpMOSFETのホール伝導における全応力の効果の検証 ○佃 栄次（ルネサステクノロジ）・鎌倉良成（阪大）・高篠裕行・岡垣 健・内田哲也・林 岳・谷沢元昭・永久克己・若原祥史・石川清志・土屋 修・井上靖朗（ルネサステクノロジ）・谷口研二（阪大） VLD2007-59 SDM2007-203 |
本研究では、フル3D プロセスシミュレーターによる応力計算と反転層のサブバンドを考慮したkp 法にもとづくバンド計算から... [more] | VLD2007-59 SDM2007-203 pp.43-46 |
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