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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
MW, ED
(共催)
2009-01-15
13:25
東京 機械振興会館 InGaAsチャネルHEMTの寄生ゲート遅延に及ぼすゲート電極構造の影響
堀池恒平福田俊介赤川啓介末光哲也尾辻泰一東北大ED2008-211 MW2008-176
InP系材料を用いた高電子移動度トランジスタ(HEMT)は高速・高周波用素子として研究開発が進められてきている。HEMT... [more] ED2008-211 MW2008-176
pp.77-81
ED 2008-12-20
10:45
宮城 東北大学電気通信研究所 [招待講演]ナノメートルサイズトランジスタにおける2次元プラズマ発振を利用した放射・検出とそれらのテラヘルツイメージングへの応用
エルファティミ アブデルアハド末光哲也尾辻泰一東北大)・モネア ピーデラネ ジェイUniv. Bordeaux)・クナップ ウォイチェックディアコノワ ニーナUniv. Montpellier2ED2008-194
InGaAs/InP、GaAs/AlGaAs、およびGaN/AlGaN ナノメートル級高電子移動度トランジスタの二次元プ... [more] ED2008-194
pp.47-52
ED 2008-12-20
11:25
宮城 東北大学電気通信研究所 HEMTのテラヘルツ帯プラズマ共鳴に与える寄生ゲートフリンジ容量の影響
馬籠伸紘西村拓也東北大)・Irina Khmyrova会津大)・末光哲也東北大)・Wojtek Knapモンペリエ第2大)・尾辻泰一東北大ED2008-195
高電子移動度トランジスタ(HEMT)の2次元電子ガス(2DEG)チャネル内で励起されるプラズモンの基本共鳴周波数に及ぼす... [more] ED2008-195
pp.53-58
SDM, ED
(共催)
2008-07-11
10:15
北海道 かでる2・7(札幌) [招待講演]Emission of Terahertz Radiation from InGaP/InGaAs/GaAs Grating-Bicoupled Plasmon-Resonant Nano-Transistors
Taiichi OtsujiTohoku Univ.ED2008-78 SDM2008-97
This paper reviews recent advances in emission of terahertz ... [more] ED2008-78 SDM2008-97
pp.205-210
SDM, ED
(共催)
2008-07-11
11:50
北海道 かでる2・7(札幌) Three-Dimensional (3D) Integration of A Log Spiral Antenna for High-Directivity Plasmon-Resonant Terahertz Emitter
HyunChul KangTakuya NishimuraTaiichi OtsujiTohoku Univ.)・Naoya WatanabeTanemasa AsanoKyushu Univ.ED2008-79 SDM2008-98
 [more] ED2008-79 SDM2008-98
pp.211-215
SDM, ED
(共催)
2008-07-11
12:05
北海道 かでる2・7(札幌) Spectral Narrowing Effect of a Novel Super-Grating Dual-Gate Structure for Plasmon-Resonant Terahertz Emitter
Takuya NishimuraNobuhiro MagomeHyunChul KangTaiichi OtsujiTohoku Univ.ED2008-80 SDM2008-99
 [more] ED2008-80 SDM2008-99
pp.217-220
ED 2007-11-27
17:20
宮城 東北大学 電気通信研究所 HEMT構造2次元プラズモン共鳴型エミッターからのテラヘルツ帯電磁波放射
半田大幸細野洋平津田祐樹Meziani Yahya Moubarak末光哲也尾辻泰一東北大ED2007-195
2重回折格子ゲートを有する高電子移動度トランジスタ構造からなる2次元プラズモン共鳴型テラヘルツ電磁波放射デバイスを試作し... [more] ED2007-195
pp.45-50
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