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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| EST | 2013-05-10 13:00 |
神奈川 | NTT厚木研究開発センター | グラフェンにおけるテラヘルツ二次元プラズモンのシミュレーションによる解析 ○佐藤 昭・ヴィクトール リズィー（東北大）・ウラジミール ミッティン・フェデール ヴァスコ（ニューヨーク州立大バッファロー校）・尾辻泰一（東北大）  EST2013-4 |
格子ゲート構造を有するグラフェンチャネルにおけるテラヘルツ二次元プラズモンの解析を目的とし、ボルツマン方程式と自己無撞着... [more] | EST2013-4 pp.15-20 |
| MW, ED (共催) |
2013-01-18 14:55 |
東京 | 機械振興会館 | SiCNゲート絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MISゲートHEMT ○小林健悟・吉田智洋・尾辻泰一・片山竜二・松岡隆志・末光哲也（東北大） ED2012-126 MW2012-156 |
HMDSを反応ガスとするPECVDにより堆積したSiCNゲート絶縁膜を導入したAlGaN/GaN MISゲート高電子移動... [more] | ED2012-126 MW2012-156 pp.75-78 |
| MW, ED (共催) |
2013-01-18 15:20 |
東京 | 機械振興会館 | 多層SiCN鋳型を用いたT型ゲート電極を用いたInGaAs HEMT ○吉田智洋・小林健悟・尾辻泰一・末光哲也（東北大） ED2012-127 MW2012-157 |
ミリ波帯応用を目指したIII-V系化合物半導体FETにおいては，短ゲート化に伴うゲート抵抗増大への対策としてT型ゲート電... [more] | ED2012-127 MW2012-157 pp.79-84 |
| ED | 2012-12-17 15:40 |
宮城 | 東北大学電通研 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟4階 カンファレンスルーム | 光パルス励起によるグラフェン内テラヘルツ反転分布形成 ○佐藤 昭・リズィー ヴィクトール・栗田裕記・尾辻泰一（東北大） ED2012-98 |
光パルス励起された真性グラフェン内の非平衡キャリア緩和過程ならびにテラヘルツ帯反転分布形成の理論的解析を行なった。キャリ... [more] | ED2012-98 pp.29-33 |
| ED | 2012-12-17 16:45 |
宮城 | 東北大学電通研 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟4階 カンファレンスルーム | ［招待講演］300GHz～1THｚを利用した無線通信の将来展望 ○永妻忠夫（阪大）・尾辻泰一（東北大）・味戸克裕（NTT）・寶迫 巌（NICT） ED2012-100 |
[more] | ED2012-100 pp.39-44 |
| LQE, CPM, EMD, OPE, R (共催) |
2012-08-23 09:35 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 | 二重格子ゲートHEMT中二次元電子ガスにおけるプラズマ不安定性 ○佐藤 昭・志田広海（東北大）・Viacheslav V. Popov（ロシア科学アカデミー）・尾辻泰一（東北大） R2012-20 EMD2012-26 CPM2012-51 OPE2012-58 LQE2012-24 |
[more] | R2012-20 EMD2012-26 CPM2012-51 OPE2012-58 LQE2012-24 pp.1-4 |
| ED | 2012-07-27 11:50 |
福井 | 福井大学 文京キャンパス産学官連携本部３Ｆ研修室 | ダイヤモンドライクカーボン絶縁膜を用いたグラフェンFET ○鷹林 将・楊 猛・小川修一・林 広幸・栗田裕記・高桑雄二・末光哲也・尾辻泰一（東北大） ED2012-53 |
ダイヤモンドライクカーボン(DLC)トップゲート絶縁膜を有するグラフェンチャネル電界効果トランジスタ(DLC-GFET)... [more] | ED2012-53 pp.67-72 |
| ED, SDM (共催) |
2012-02-07 16:30 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | 共振構造導入によるグラフェンテラヘルツ増幅器の高利得化 ○高塚裕也・高萩和宏（北大）・佐野栄一（北大/JST）・Victor Ryzhii（会津大/JST）・尾辻泰一（東北大/JST） ED2011-148 SDM2011-165 |
テラヘルツ(THz)領域を活用するためには，小型なTHz光源の開発が必須である．我々はTHz光源の元となるTHz増幅器の... [more] | ED2011-148 SDM2011-165 pp.35-40 |
| ED | 2011-12-15 10:05 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 片平キャンパス内 ナノ・スピン総合研究棟 | 非対称二重回折格子状ゲート電極を有するInAlAs/InGaAs/InP HEMTを用いた超高感度プラズモニックテラヘルツ波検出器 ○谷本雄大・Stephane Boubanga-Tombet・渡辺隆之（東北大）・Yuye Wang・南出泰亜・伊藤弘昌（理研）・Denis Fateev・Vyacheslav Popov（ロシア科学アカデミー）・Dominique Coquillat・Wojciech Knap（モンペリエ第2大）・尾辻泰一（東北大） ED2011-110 |
非対称二重回折格子状ゲート電極を有する InAlAs/InGaAs/InP 高電子移動度トランジスタ(HEMT)が、テラ... [more] | ED2011-110 pp.57-61 |
| ED | 2011-12-15 11:10 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 片平キャンパス内 ナノ・スピン総合研究棟 | グラフェンリボン格子における二次元プラズモンモードの観測 ○福嶋哲也（東北大）・シルビア チャン（ペンシルバニア大）・ステファン ボウバンガ トンベット（東北大）・ビクトール リズィー（会津大）・ヴィチェスラブ ポポフ（ロシア科学アカデミー）・尾辻泰一（東北大） ED2011-112 |
グラフェン中のキャリアが構成する二次元電子系におけるプラズマ波は，グラフェンを比較的広い幅のリボン状に加工することでその... [more] | ED2011-112 pp.69-73 |
| ED | 2011-12-15 13:40 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 片平キャンパス内 ナノ・スピン総合研究棟 | 光学励起グラフェンのテラヘルツ誘導増幅放出 ○渡辺隆之・ステファン ボウバンガ トムベット・福嶋哲也・佐藤 昭・尾辻泰一（東北大）・ヴィクトール リズィー（会津大） ED2011-114 |
我々は時間分解計測により、グラフェンシートが入射テラヘルツ電磁波を増幅することを確認した。グラフェンからの放射スペクトル... [more] | ED2011-114 pp.79-83 |
| ED | 2010-12-16 16:25 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 | 光励起グラフェンの非平衡キャリア緩和過程とテラヘルツ帯における反転分布 ○佐藤 昭（東北大）・ヴィクトール リズィー（会津大）・ステファン ボウバンガ-トムベット・尾辻泰一（東北大） ED2010-163 |
パルス光学励起された真性グラフェンにおける室温での反転分布の理論解析を行う。キャリア緩和過程の 解析のため、キャリア間... [more] |
ED2010-163 pp.31-34 |
| ED | 2010-12-16 16:50 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 | ナノサイズFETによる室温コヒーレント・電圧制御テラヘルツ波発振 ○ステファン ボウバンガ-トムベット・佐藤 昭（東北大）・ヴィクトー ル リズィー（会津大）・尾辻泰一（東北大） ED2010-164 |
We report on reflective electro-optic sampling measurements ... [more] | ED2010-164 pp.35-39 |
| ED, SDM (共催) |
2010-02-23 11:35 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | p-i-n単層/多層グラフェン構造を用いたテラヘルツ波および赤外線検出器 ○Victor Ryzhii・Maxim Ryzhii（会津大）・Taiichi Otsuji（東北大）・Vladimir Mitin（ニューヨーク州立大） ED2009-209 SDM2009-206 |
Detectors of terahertz and infrared radiation based on p-i-n... [more] | ED2009-209 SDM2009-206 pp.77-80 |
| ED | 2009-11-30 09:25 |
大阪 | 大阪科学技術センター | プラズモン共鳴テラヘルツエミッター光パルス応答のモンテカルロ解析 ○窪田健太郎・佐野栄一（北大）・メチアニ ヤーヤ ムバラク・尾辻泰一（東北大） ED2009-167 |
光波と電波の中間周波数領域であるサブミリ波領域、いわゆるテラヘルツ波領域は、医療やセキュリティー検出器としての応用が期待... [more] | ED2009-167 pp.41-45 |
| ED | 2009-11-30 09:50 |
大阪 | 大阪科学技術センター | プラズモン共鳴型エミッタのマルチチップ動作によるテラヘルツ分光測定 ○渡辺隆之・小森常義・末光哲也・尾辻泰一（東北大） ED2009-168 |
我々は、半導体へテロ接合界面の二次元電子プラズモン共鳴を利用したテラヘルツ光源として、テラヘルツ光の放射効率を高めるため... [more] | ED2009-168 pp.47-51 |
| ED | 2009-11-30 10:30 |
大阪 | 大阪科学技術センター | 光学励起グラフェンによるコヒーレントテラヘルツ放射の観測 ○唐澤宏美・渡辺隆之・小森常義（東北大）・末光眞希（東北大/JST）・ヴィクトール リーズィー（会津大/JST）・尾辻泰一（東北大/JST） ED2009-169 |
炭素原子の六員環単層シートであるグラフェンは、バンドギャップを持たず、線形分散をとるため、半導体とは異なる特異な電子物性... [more] | ED2009-169 pp.53-58 |
| ICD, SDM (共催) |
2009-07-17 15:30 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 | ［招待講演］グラフェンデバイスの開発と今後の展望 ○尾辻泰一（東北大） SDM2009-116 ICD2009-32 |
本稿では、ポストシリコンCMOS技術として我々が開発を進めているSi基板上にエピタキシャル成長したグラフェンとその光・電... [more] | SDM2009-116 ICD2009-32 pp.101-106 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-24 14:30 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | ［招待講演］Theoretical study on graphene field-effect transistors ○Eiichi Sano（Hokkaido Univ./JST）・Taiichi Otsuji（Tohoku Univ../JST） ED2009-62 SDM2009-57 |
Graphene is one of the most attractive materials for“beyond ... [more] | ED2009-62 SDM2009-57 pp.53-58 |
| SDM, ED (共催) |
2009-02-26 13:30 |
北海道 | 北海道大学 | ［招待講演］Si基板上に形成したエピタキシャルグラフェンとその電子デバイス応用 ○尾辻泰一・末光哲也・姜 顯澈・唐澤宏美・宮本 優・半田浩之・末光眞希（東北大）・佐野栄一（北大）・リズィー マキシム・リズィー ヴィクトール（会津大） ED2008-224 SDM2008-216 |
Si基板上にエピタキシャル成長したグラフェンとその電子デバイス応用について研究状況を紹介する．グラフェンの形成技術として... [more] | ED2008-224 SDM2008-216 pp.1-6 |
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