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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED 2012-12-17
15:40
宮城 東北大学電通研 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟4階 カンファレンスルーム 光パルス励起によるグラフェン内テラヘルツ反転分布形成
佐藤 昭リズィー ヴィクトール栗田裕記尾辻泰一東北大ED2012-98
光パルス励起された真性グラフェン内の非平衡キャリア緩和過程ならびにテラヘルツ帯反転分布形成の理論的解析を行なった。キャリ... [more] ED2012-98
pp.29-33
ED 2012-12-17
16:45
宮城 東北大学電通研 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟4階 カンファレンスルーム [招待講演]300GHz~1THzを利用した無線通信の将来展望
永妻忠夫阪大)・尾辻泰一東北大)・味戸克裕NTT)・寶迫 巌NICTED2012-100
 [more] ED2012-100
pp.39-44
LQE, CPM, EMD, OPE, R
(共催)
2012-08-23
09:35
宮城 東北大学電気通信研究所 二重格子ゲートHEMT中二次元電子ガスにおけるプラズマ不安定性
佐藤 昭志田広海東北大)・Viacheslav V. Popovロシア科学アカデミー)・尾辻泰一東北大R2012-20 EMD2012-26 CPM2012-51 OPE2012-58 LQE2012-24
 [more] R2012-20 EMD2012-26 CPM2012-51 OPE2012-58 LQE2012-24
pp.1-4
ED 2012-07-27
11:50
福井 福井大学 文京キャンパス産学官連携本部3F研修室 ダイヤモンドライクカーボン絶縁膜を用いたグラフェンFET
鷹林 将楊 猛小川修一林 広幸栗田裕記高桑雄二末光哲也尾辻泰一東北大ED2012-53
ダイヤモンドライクカーボン(DLC)トップゲート絶縁膜を有するグラフェンチャネル電界効果トランジスタ(DLC-GFET)... [more] ED2012-53
pp.67-72
ED, SDM
(共催)
2012-02-07
16:30
北海道 北海道大学 百年記念会館 共振構造導入によるグラフェンテラヘルツ増幅器の高利得化
高塚裕也高萩和宏北大)・佐野栄一北大/JST)・Victor Ryzhii会津大/JST)・尾辻泰一東北大/JSTED2011-148 SDM2011-165
テラヘルツ(THz)領域を活用するためには,小型なTHz光源の開発が必須である.我々はTHz光源の元となるTHz増幅器の... [more] ED2011-148 SDM2011-165
pp.35-40
ED 2011-12-15
10:05
宮城 東北大学 電気通信研究所 片平キャンパス内 ナノ・スピン総合研究棟 非対称二重回折格子状ゲート電極を有するInAlAs/InGaAs/InP HEMTを用いた超高感度プラズモニックテラヘルツ波検出器
谷本雄大Stephane Boubanga-Tombet渡辺隆之東北大)・Yuye Wang南出泰亜伊藤弘昌理研)・Denis FateevVyacheslav Popovロシア科学アカデミー)・Dominique CoquillatWojciech Knapモンペリエ第2大)・尾辻泰一東北大ED2011-110
非対称二重回折格子状ゲート電極を有する InAlAs/InGaAs/InP 高電子移動度トランジスタ(HEMT)が、テラ... [more] ED2011-110
pp.57-61
ED 2011-12-15
11:10
宮城 東北大学 電気通信研究所 片平キャンパス内 ナノ・スピン総合研究棟 グラフェンリボン格子における二次元プラズモンモードの観測
福嶋哲也東北大)・シルビア チャンペンシルバニア大)・ステファン ボウバンガ トンベット東北大)・ビクトール リズィー会津大)・ヴィチェスラブ ポポフロシア科学アカデミー)・尾辻泰一東北大ED2011-112
グラフェン中のキャリアが構成する二次元電子系におけるプラズマ波は,グラフェンを比較的広い幅のリボン状に加工することでその... [more] ED2011-112
pp.69-73
ED 2011-12-15
13:40
宮城 東北大学 電気通信研究所 片平キャンパス内 ナノ・スピン総合研究棟 光学励起グラフェンのテラヘルツ誘導増幅放出
渡辺隆之ステファン ボウバンガ トムベット福嶋哲也佐藤 昭尾辻泰一東北大)・ヴィクトール リズィー会津大ED2011-114
我々は時間分解計測により、グラフェンシートが入射テラヘルツ電磁波を増幅することを確認した。グラフェンからの放射スペクトル... [more] ED2011-114
pp.79-83
ED 2010-12-16
16:25
宮城 東北大学 電気通信研究所 光励起グラフェンの非平衡キャリア緩和過程とテラヘルツ帯における反転分布
佐藤 昭東北大)・ヴィクトール リズィー会津大)・ステファン ボウバンガ-トムベット尾辻泰一東北大ED2010-163
パルス光学励起された真性グラフェンにおける室温での反転分布の理論解析を行う。キャリア緩和過程の
解析のため、キャリア間... [more]
ED2010-163
pp.31-34
ED 2010-12-16
16:50
宮城 東北大学 電気通信研究所 ナノサイズFETによる室温コヒーレント・電圧制御テラヘルツ波発振
ステファン ボウバンガ-トムベット佐藤 昭東北大)・ヴィクトー ル リズィー会津大)・尾辻泰一東北大ED2010-164
We report on reflective electro-optic sampling measurements ... [more] ED2010-164
pp.35-39
ED, SDM
(共催)
2010-02-23
11:35
沖縄 沖縄県青年会館 p-i-n単層/多層グラフェン構造を用いたテラヘルツ波および赤外線検出器
Victor RyzhiiMaxim Ryzhii会津大)・Taiichi Otsuji東北大)・Vladimir Mitinニューヨーク州立大ED2009-209 SDM2009-206
Detectors of terahertz and infrared radiation based on p-i-n... [more] ED2009-209 SDM2009-206
pp.77-80
ED 2009-11-30
09:25
大阪 大阪科学技術センター プラズモン共鳴テラヘルツエミッター光パルス応答のモンテカルロ解析
窪田健太郎佐野栄一北大)・メチアニ ヤーヤ ムバラク尾辻泰一東北大ED2009-167
光波と電波の中間周波数領域であるサブミリ波領域、いわゆるテラヘルツ波領域は、医療やセキュリティー検出器としての応用が期待... [more] ED2009-167
pp.41-45
ED 2009-11-30
09:50
大阪 大阪科学技術センター プラズモン共鳴型エミッタのマルチチップ動作によるテラヘルツ分光測定
渡辺隆之小森常義末光哲也尾辻泰一東北大ED2009-168
我々は、半導体へテロ接合界面の二次元電子プラズモン共鳴を利用したテラヘルツ光源として、テラヘルツ光の放射効率を高めるため... [more] ED2009-168
pp.47-51
ED 2009-11-30
10:30
大阪 大阪科学技術センター 光学励起グラフェンによるコヒーレントテラヘルツ放射の観測
唐澤宏美渡辺隆之小森常義東北大)・末光眞希東北大/JST)・ヴィクトール リーズィー会津大/JST)・尾辻泰一東北大/JSTED2009-169
炭素原子の六員環単層シートであるグラフェンは、バンドギャップを持たず、線形分散をとるため、半導体とは異なる特異な電子物性... [more] ED2009-169
pp.53-58
ICD, SDM
(共催)
2009-07-17
15:30
東京 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 [招待講演]グラフェンデバイスの開発と今後の展望
尾辻泰一東北大SDM2009-116 ICD2009-32
本稿では、ポストシリコンCMOS技術として我々が開発を進めているSi基板上にエピタキシャル成長したグラフェンとその光・電... [more] SDM2009-116 ICD2009-32
pp.101-106
SDM, ED
(共催)
2009-06-24
14:30
海外 海雲台グランドホテル(釜山、韓国) [招待講演]Theoretical study on graphene field-effect transistors
Eiichi SanoHokkaido Univ./JST)・Taiichi OtsujiTohoku Univ../JSTED2009-62 SDM2009-57
Graphene is one of the most attractive materials for“beyond ... [more] ED2009-62 SDM2009-57
pp.53-58
SDM, ED
(共催)
2009-02-26
13:30
北海道 北海道大学 [招待講演]Si基板上に形成したエピタキシャルグラフェンとその電子デバイス応用
尾辻泰一末光哲也姜 顯澈唐澤宏美宮本 優半田浩之末光眞希東北大)・佐野栄一北大)・リズィー マキシムリズィー ヴィクトール会津大ED2008-224 SDM2008-216
Si基板上にエピタキシャル成長したグラフェンとその電子デバイス応用について研究状況を紹介する.グラフェンの形成技術として... [more] ED2008-224 SDM2008-216
pp.1-6
MW, ED
(共催)
2009-01-15
13:25
東京 機械振興会館 InGaAsチャネルHEMTの寄生ゲート遅延に及ぼすゲート電極構造の影響
堀池恒平福田俊介赤川啓介末光哲也尾辻泰一東北大ED2008-211 MW2008-176
InP系材料を用いた高電子移動度トランジスタ(HEMT)は高速・高周波用素子として研究開発が進められてきている。HEMT... [more] ED2008-211 MW2008-176
pp.77-81
ED 2008-12-20
10:45
宮城 東北大学電気通信研究所 [招待講演]ナノメートルサイズトランジスタにおける2次元プラズマ発振を利用した放射・検出とそれらのテラヘルツイメージングへの応用
エルファティミ アブデルアハド末光哲也尾辻泰一東北大)・モネア ピーデラネ ジェイUniv. Bordeaux)・クナップ ウォイチェックディアコノワ ニーナUniv. Montpellier2ED2008-194
InGaAs/InP、GaAs/AlGaAs、およびGaN/AlGaN ナノメートル級高電子移動度トランジスタの二次元プ... [more] ED2008-194
pp.47-52
ED 2008-12-20
11:25
宮城 東北大学電気通信研究所 HEMTのテラヘルツ帯プラズマ共鳴に与える寄生ゲートフリンジ容量の影響
馬籠伸紘西村拓也東北大)・Irina Khmyrova会津大)・末光哲也東北大)・Wojtek Knapモンペリエ第2大)・尾辻泰一東北大ED2008-195
高電子移動度トランジスタ(HEMT)の2次元電子ガス(2DEG)チャネル内で励起されるプラズモンの基本共鳴周波数に及ぼす... [more] ED2008-195
pp.53-58
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