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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2014-06-19 14:05 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ナノ構造中における電子輸送の理論的研究 ○藤田弦暉・塩川太郎（筑波大）・高田幸宏（東京理科大）・小鍋 哲（筑波大）・村口正和（東北大）・山本貴博（東京理科大）・遠藤哲郎（東北大）・初貝安弘（筑波大）・白石賢二（名大）  SDM2014-53 |
ナノスケールチャネル中における電子輸送について長距離電子間相互作用を考慮した計算を行った。 [more] | SDM2014-53 pp.55-58 |
| ICD | 2014-04-17 14:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］1.5ns/2.1nsのランダム読出/書込サイクル時間を達成した不揮発性混載メモリ用1Mb STT-MRAM ～ 6T2MTJセルにバックグラウンド・書き込み方式を適用 ～ 大澤 隆・○小池洋紀（東北大）・三浦貞彦（NEC）・木下啓蔵（東北大）・本庄弘明（NEC）・池田正二・羽生貴弘・大野英男・遠藤哲郎（東北大） ICD2014-7 |
[more] | ICD2014-7 pp.33-38 |
| ICD | 2014-04-17 15:15 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］全文検索システム向け階層的パワーゲーティングを活用した低エネルギー不揮発TCAMエンジンチップ 松永翔雲（東北大）・崎村 昇・根橋竜介・杉林直彦（NEC）・夏井雅典・○望月 明・遠藤哲郎・大野英男・羽生貴弘（東北大） ICD2014-8 |
全文検索システムにおけるエネルギー消費を極限にまで低減させるため，90nm CMOS技術と垂直MTJ技術による1Mb不揮... [more] | ICD2014-8 pp.39-44 |
| ICD | 2014-04-18 15:15 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］MTJベース不揮発フリップフロップを用いた3μsec-Entry/Exit遅延時間のマイクロプロセッサ ○小池洋紀（東北大）・崎村 昇・根橋竜介・辻 幸秀・森岡あゆ香・三浦貞彦・本庄弘明・杉林直彦（NEC）・大澤 隆・池田正二・羽生貴弘・大野英男・遠藤哲郎（東北大） ICD2014-17 |
磁気トンネル接合素子（MTJ）による不揮発記憶機能を持つフリップフロップ回路（NV-F/F）を用いた，パワーゲーティング... [more] | ICD2014-17 pp.85-90 |
| ICD | 2013-04-11 13:30 |
茨城 | 産業技術総合研究所 つくばセンター | ［招待講演］Restructuring of Memory Hierarchy in Computing System with Spintronics-Based Technologies ○Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.） ICD2013-5 |
現在のコンピュータシステムのメモリ階層においては，性能と消費電力との間のトレードオフが大きくなっており，低消費電力かつ高... [more] | ICD2013-5 pp.21-26 |
| ICD | 2013-04-11 14:20 |
茨城 | 産業技術総合研究所 つくばセンター | ［依頼講演］32ビット細粒度パワーゲーティングを使った不揮発性混載用1Mb 4T2MTJ STT-RAM ～ 1.0ns/200psのWake-up/Power-off時間を達成 ～ ○遠藤哲郎・大澤 隆・小池洋紀（東北大）・三浦貞彦・本庄弘明・徳留圭一（NEC）・池田正二・羽生貴弘・大野英男（東北大） ICD2013-6 |
不揮発性でありながら書き込み耐性の良いスピン注入型の磁気トンネル接合素子(STT-MTJ)を用いた4T2MTJのメモリセ... [more] | ICD2013-6 pp.27-32 |
| ICD | 2013-04-11 14:45 |
茨城 | 産業技術総合研究所 つくばセンター | ［依頼講演］4T-2MTJセル構造に基づく不揮発TCAMチップの実現 ○松永翔雲（東北大）・三浦貞彦・本庄弘明（NEC）・木下啓蔵・池田正二・遠藤哲郎・大野英男・羽生貴弘（東北大） ICD2013-7 |
高性能な情報検索機能を実現する並列構造の専用ハードウェア，Ternary Content-Addressable Mem... [more] | ICD2013-7 pp.33-38 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-27 13:30 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | The Asymmetric I-V Characteristics of Vertical MOSFET Induced by Tapered Silicon Pillar ○Takuya Imamoto・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.） |
In this paper, we show the asymmetric I-V characteristics in... [more] | |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-27 13:45 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | A High Performance SRAM Sense Amplifier with Vertical MOSFET ○Hyoungjun Na・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.） |
In this paper, a high performance SRAM sense amplifier with ... [more] | |
| ICD | 2012-04-24 10:50 |
岩手 | つなぎ温泉清温荘（岩手県） | [依頼講演] 3端子磁壁移動型セルを用いた不揮発性コンテントアドレッサブルメモリ ○根橋竜介・崎村 昇・辻 幸秀（NEC）・深見俊輔（東北大）・本庄弘明・齊藤信作・三浦貞彦・石綿延行（NEC）・木下啓蔵・羽生貴弘・遠藤哲郎・笠井直記・大野英男（東北大）・杉林直彦（NEC） ICD2012-10 |
3端子磁壁移動型セルを用いた不揮発性コンテントアドレッサブルメモリを開発した。90nmのCMOSプロセスを用いて作製した... [more] | ICD2012-10 pp.49-54 |
| CPM | 2010-10-29 10:25 |
長野 | 信州大学 工学部 地域共同研究センター３階研修室 | パルスモードホットメッシュCVD法によるGaN成長条件の最適化 永田一樹・里本宗一（長岡技科大）・片桐裕則・神保和夫（長岡高専）・末光眞希・遠藤哲郎・伊藤 隆（東北大）・中澤日出樹（弘前大）・成田 克（山形大）・○安井寛治（長岡技科大） CPM2010-102 |
紫外・青紫LED, LD、また高温環境下で動作する電子デバイス用材料であるGaNの省資源成長法として期待されるホットメッ... [more] | CPM2010-102 pp.55-58 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 12:00 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | The Analysis of Temperature Dependency of the Mobility In High-k/Metal Gate MOSFET and the Performance on its CMOS Inverter ○Takeshi Sasaki・Takuya Imamoto・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.） ED2010-92 SDM2010-93 |
As the integration density and capacitance of semiconductor ... [more] | ED2010-92 SDM2010-93 pp.177-182 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 12:45 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | Evaluation of 1/f Noise Characteristics in High-k/Metal Gate and SiON/Poly-Si Gate MOSFET ○Takuya Imamoto・Takeshi Sasaki・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.） ED2010-95 SDM2010-96 |
In this paper, we compare the 1/f noise characteristics of H... [more] | ED2010-95 SDM2010-96 pp.195-198 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 15:05 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | Impact of Floating Body type DRAM with the Vertical MOSFET ○Yuto Norifusa・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ./JST） ED2010-98 SDM2010-99 |
Several kinds of capacitor-less DRAM cells based on planar S... [more] | ED2010-98 SDM2010-99 pp.211-216 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 16:05 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | The optimum physical targets of the 3-dimensional vertical FG NAND flash memory cell arrays with the extended sidewall control gate (ESCG) structure ○Moon-Sik Seo（Tohoku Univ.）・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ./JST） ED2010-101 SDM2010-102 |
Recently, the 3-dimensional vertical Floating Gate (FG) NAND... [more] | ED2010-101 SDM2010-102 pp.225-230 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 11:35 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | The Impact of Current Controlled-MOS Current Mode Logic /Magnetic Tunnel Junction Hybrid Circuit for Stable and High-speed Operation ○Tetsuo Endoh・Masashi Kamiyanagi・Masakazu Muraguchi・Takuya Imamoto・Takeshi Sasaki（Tohoku Univ.） ED2010-109 SDM2010-110 |
In order to realize Integrated Circuits (IC) with operation ... [more] | ED2010-109 SDM2010-110 pp.257-262 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 11:50 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | Verification of Stable Circuit Operation of 180nm Current Controlled MOS Current Mode Logic under Threshold Voltage Fluctuation ○Masashi Kamiyanagi・Takuya Imamoto・Takeshi Sasaki・Hyoungjun Na・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.） ED2010-110 SDM2010-111 |
We have succeeded in the verification of stable circuit oper... [more] | ED2010-110 SDM2010-111 pp.263-267 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 12:50 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | Over 1GHz High-Speed Current Pulse Generation Circuit for Novel Nonvolatile Memory Cells ○Tetsuo Endoh・Yasuhiko Suzuki・Takuya Imamoto・Hyoungjun Na（Tohoku Univ.） ED2010-114 SDM2010-115 |
In this paper, a new 2 step program method is proposed to re... [more] | ED2010-114 SDM2010-115 pp.283-288 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 15:45 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | Study on Impurity Distribution Dependence of Electron-Dynamics in Vertical MOSFET ○Masakazu Muraguchi・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ./JST） ED2010-120 SDM2010-121 |
In this study, we focus on the electron propagation in the V... [more] | ED2010-120 SDM2010-121 pp.309-313 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 16:15 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | Study on Collective Electron Motion in Si-Nano Dot Floating Gate MOS Capacitor ○Masakazu Muraguchi（Tohoku Univ.）・Yoko Sakurai・Yukihiro Takada・Shintaro Nomura・Kenji Shiraishi（Univ. of Tsukuba.）・Mitsuhisa Ikeda・Katsunori Makihara・Seiichi Miyazaki（Hiroshima Univ.）・Yasuteru Shigeta（Univ. of Hyogo）・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.） ED2010-122 SDM2010-123 |
The efficiency and stability of electron injection from the ... [more] | ED2010-122 SDM2010-123 pp.319-324 |
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