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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2010-10-22 15:20 |
宮城 | 東北大学 | 自動化超高速化量子分子動力学法の開発とシリコン酸化膜形成の反応解析への応用 ○坪井秀行・稲葉賢二・伊勢真理子・林 由紀江・鈴木裕佳・佐藤裕美・小原幸子・南雲 亮・三浦隆治・鈴木 愛・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・久保百司・宮本 明（東北大）  SDM2010-168 |
外部の量子化学計算プログラムを呼び出してエネルギー計算を行い得られた原子間エネルギーを元に分子動力学用ポテンシャルパラメ... [more] | SDM2010-168 pp.67-68 |
| SDM | 2010-10-22 15:50 |
宮城 | 東北大学 | 自動化超高速化量子分子動力学法によるシリコン表面のドライ・ウェットおよびラジカル酸化反応シミュレーション ○坪井秀行・伊勢真理子・林 由紀江・鈴木裕佳・佐藤裕美・小原幸子・稲葉賢二・南雲 亮・三浦隆治・鈴木 愛・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・久保百司・宮本 明（東北大） SDM2010-169 |
シリコン表面における酸化膜の形成メカニズムの解明,とくにドライ酸化・ウエット酸化・ラジカル酸化の初期過程における反応分子... [more] | SDM2010-169 pp.69-70 |
| ED | 2010-06-17 15:15 |
石川 | 北陸先端大 | 高周波・高出力AlGaN/GaN系HEMTの作製 ○山下良美・渡邊一世・遠藤 聡・広瀬信光・松井敏明（NICT）・三村高志（NICT/富士通研） ED2010-38 |
AlGaN/GaN系高電子移動度トランジスタ(HEMT)は高出力・高耐圧特性に優れるだけでなくミリ波帯(30-300 G... [more] | ED2010-38 pp.25-30 |
| ED | 2009-11-29 15:30 |
大阪 | 大阪科学技術センター | モンテカルロ計算によるナノゲートInP HEMT中の電子輸送に対するゲートリセス構造の影響 ○遠藤 聡・渡邊一世（NICT）・三村高志（NICT/富士通研）・松井敏明（NICT） ED2009-163 |
InP 系HEMT のミリ波・テラヘルツ波帯動作を実現するためには，主にゲート長Lg の短縮，及び短チャネル効果を抑制す... [more] | ED2009-163 pp.19-23 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-20 15:50 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | 60 GHz帯におけるAlGaN/GaN系HEMTの出力特性 ○渡邊一世・遠藤 聡・山下良美・広瀬信光（NICT）・三村高志（NICT/富士通研）・松井敏明（NICT） ED2009-159 CPM2009-133 LQE2009-138 |
AlGaN/GaN系高電子移動度トランジスタ(HEMT)は高出力・高耐圧特性に優れるだけでなくミリ波帯(30-300 G... [more] | ED2009-159 CPM2009-133 LQE2009-138 pp.151-155 |
| SDM | 2009-10-30 09:30 |
宮城 | 東北大学 | ルミネッセンス計算化学による共役系高分子中のキャリア移動の解析 ○山下 格・芹澤和実・大沼宏彰・鈴木 愛・三浦隆治・坪井秀行・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・久保百司・宮本 明（東北大） SDM2009-124 |
[more] | SDM2009-124 pp.37-38 |
| SDM | 2009-10-30 10:00 |
宮城 | 東北大学 | プラズマディスプレイ用電極保護膜の高性能化に向けた計算機シミュレーション ○芹澤和実・大沼宏彰（東北大）・菊地宏美（東北大/広島大）・末貞和真・北垣昌規（広島大）・山下 格・鈴木 愛・坪井秀行・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・久保百司（東北大）・梶山博司（広島大）・宮本 明（東北大） SDM2009-125 |
プラズマディスプレイの低消費電力化のために、二次電子放出能の高いMgO保護膜の設計が求められる。しかし一般に表面の微細構... [more] | SDM2009-125 pp.39-40 |
| SDM | 2009-10-30 10:30 |
宮城 | 東北大学 | 量子化学計算とQSPR法とによるEu2+付活蛍光体の発光ピーク波長予測 ○大沼宏彰・山下 格・芹澤和実・鈴木 愛・坪井秀行・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・久保百司・宮本 明（東北大） SDM2009-126 |
[more] | SDM2009-126 pp.41-42 |
| SDM | 2009-10-30 15:15 |
宮城 | 東北大学 | 自動化超高速化量子分子動力学法によるシリコン表面酸窒化シミュレーション ○坪井秀行・鈴木 愛・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・久保百司・宮本 明（東北大） SDM2009-133 |
シリコン表面における酸窒化膜の形成メカニズムの解明とくにその初期過程におけるNO分子やO2分子とシリコン表面の相互作用の... [more] | SDM2009-133 pp.75-76 |
| SCE | 2009-01-29 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | SIS接合のサブギャップ電流に及ぼすギャップブロードニングの効果 ○野口 卓・鈴木仁研・遠藤 光・田村友範（国立天文台） SCE2008-34 |
超伝導ギャップエネルギに虚数部を導入し、SIS接合のサブギャップトンネル電流の解析を行った。超伝導ギャップエネルギの虚数... [more] | SCE2008-34 pp.11-16 |
| SCE | 2009-01-29 14:15 |
東京 | 機械振興会館 | SIS接合の電流-電圧特性におけるサブギャップ電流の起源 ○鈴木仁研・野口 卓・遠藤 光・松尾 宏（国立天文台） SCE2008-35 |
SIS接合のサブギャップリーク電流は，温度の低下と共に指数関数的に減少する．しかし，ある温度以下になると，リーク電流の減... [more] | SCE2008-35 pp.17-21 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-15 14:50 |
東京 | 機械振興会館 | ミリ波集積回路用InP系HEMTの高周波・低雑音特性 ○渡邊一世・遠藤 聡（NICT）・三村高志（NICT/富士通研）・松井敏明（NICT） ED2008-214 MW2008-179 |
InP系高電子移動度トランジスタ(HEMT)はミリ波帯(30-300 GHz)及びサブミリ波帯(300 GHz-3 TH... [more] | ED2008-214 MW2008-179 pp.95-99 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-16 09:55 |
東京 | 機械振興会館 | AlGaN/GaN MIS-HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性 ○遠藤 聡・渡邊一世・山下良美（NICT）・三村高志（NICT/富士通研）・松井敏明（NICT） ED2008-219 MW2008-184 |
SiN/SiO2/SiN三層絶縁膜を有するAlGaN/GaN系MIS-HEMT（metal-insulator-semi... [more] | ED2008-219 MW2008-184 pp.119-123 |
| ED | 2008-12-19 15:05 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 | InAlAs/In0.7Ga0.3As系HEMTの極低温下における超高速動作 ○遠藤 聡・渡邊一世（NICT）・篠原啓介（NICT/HRL Labs.）・三村高志（NICT/富士通研）・松井敏明（NICT） ED2008-187 |
ゲート長Lg=50～700 nmを有するIn0.52Al0.48As/In0.7Ga0.3As系HEMTのDC・RF特性... [more] | ED2008-187 pp.15-20 |
| SDM | 2008-10-09 15:00 |
宮城 | 東北大学 | マルチスケール配線寿命予測シミュレータの開発とCu配線への応用 ○坪井秀行・鈴木 愛・サヌーン リアド・古山通久・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・デルカルピオ カルロス・久保百司・宮本 明（東北大） SDM2008-152 |
[more] | SDM2008-152 pp.17-18 |
| SDM | 2008-10-09 15:45 |
宮城 | 東北大学 | 計算化学手法によるダイヤモンドライクカーボン(DLC)の摩擦特性・微細構造の検討 ○栗秋貴謹・森田祐輔・小野寺 拓・鈴木 愛・Riadh Sahnoun・古山通久・坪井秀行・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・Carlos A. Del Carpio・久保百司・宮本 明（東北大） SDM2008-153 |
ダイヤモンドライクカーボン（DLC）はその低摩擦特性, 耐摩耗特性からトライボロジー材料として工業的に有用である. しか... [more] | SDM2008-153 pp.19-20 |
| SDM | 2008-10-09 16:15 |
宮城 | 東北大学 | Tight-Binding Quantum Chemistry Study on Excitation Properties of Perylene with Acrylic Acid on Anatas(001) Surface ○Chen Lv・Kei Ogiya・Ai Suzuki・Riadh Sahnoun・Michihisa Koyama・Hideyuki Tsuboi・Nozomu Hatakeyama・Akira Endou・Hiromitsu Takaba・Carlos A. Del Carpio・Momoji Kubo・Akira Miyamoto（Tohoku Univ.） SDM2008-154 |
[more] | SDM2008-154 pp.21-22 |
| SDM | 2008-10-09 16:45 |
宮城 | 東北大学 | 計算化学によるプラズマディスプレイ用電極保護膜材料の二次電子放出特性評価 ○芹澤和実・山下 格・大沼宏彰（東北大）・菊地宏美（東北大/広島大）・北垣昌規（広島大）・鈴木 愛・Sahnoun Riadh・古山通久・坪井秀行・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・デルカルピオ カルロス・久保百司（東北大）・梶山博司（広島大） SDM2008-155 |
[more] | SDM2008-155 pp.23-24 |
| SDM | 2008-10-09 17:15 |
宮城 | 東北大学 | 超高速化量子分子動力学法に基づく構造解析・分光シミュレータの開発とシリコン半導体への応用 ○遠藤 明・山下 格・芹澤和実・大沼宏彰・小野寺 拓・古山通久・坪井秀行・畠山 望・高羽洋充・Carlos A. Del Carpio・久保百司・宮本 明（東北大） SDM2008-156 |
[more] | SDM2008-156 pp.25-28 |
| SDM | 2008-10-10 10:00 |
宮城 | 東北大学 | 三次元多孔質構造に基づく色素増感TiO2電極の電子移動シミュレーション ○扇谷 恵・呂 晨・鈴木 愛・Riadh Sahnoun・古山通久・坪井秀行・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・Carlos A. Del Carpio・久保百司・宮本 明（東北大） SDM2008-157 |
[more] | SDM2008-157 pp.29-30 |
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