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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| VLD, IPSJ-SLDM (連催) |
2019-05-15 14:20 |
東京 | 東京工業大学 大岡山キャンパス | メモ化と簡略演算を用いたアプロキシメートコンピューティング手法の検討 ○小野義基・宇佐美公良（芝浦工大）  VLD2019-2 |
演算を近似化することで、多少の誤差を許容しつつ実行時間や消費エネルギーを削減する「アプロキシメートコンピューティング(A... [more] | VLD2019-2 pp.13-18 |
| HWS, VLD (共催) |
2019-02-28 10:00 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 3次元積層LSIの実チップ発熱・放熱時における温度の過渡解析と評価 ○堀米亮汰・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2018-107 HWS2018-70 |
LSIの集積密度を向上させる技術としてLSIチップの3次元積層技術がある。3次元積層技術ではLSIの製造プロセスの微細化... [more] | VLD2018-107 HWS2018-70 pp.85-90 |
| HWS, VLD (共催) |
2019-02-28 10:25 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 薄膜BOX-SOIと基板バイアス制御を用いた低消費電力スタンダードセルメモリの実チップによる評価 ○真崎 諒・吉田有佑（芝浦工大）・天野英晴（慶大）・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2018-108 HWS2018-71 |
近年、IoTデバイスが急速に増加している。IoTデバイスの１つであるセンサーノードや小型医療デバイス等、必ずしも高い演算... [more] | VLD2018-108 HWS2018-71 pp.91-96 |
| HWS, VLD (共催) |
2019-02-28 10:50 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 基板バイアスを活用した単一電源レベルシフタ回路の提案 ○武吉雄貴・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2018-109 HWS2018-72 |
異なる電源電圧を用いることで低消費電力を実現する技術としてマルチVDD設計が存在する。異なる電源電圧領域の間にはレベルシ... [more] | VLD2018-109 HWS2018-72 pp.97-102 |
| CPSY, IPSJ-ARC (連催) DC (併催) [詳細] |
2018-08-01 18:30 |
熊本 | 熊本市国際交流会館 | 省電力型不揮発FFを用いた粗粒度再構成可能アクセラレータ ○池添赳治・天野英晴（慶大）・赤池純也・宇佐美公良・工藤 優（芝浦工大）・平賀啓三・周藤悠介・屋上公二郎（ソニーセミコンダクタソリューションズ） CPSY2018-32 |
[more] | CPSY2018-32 pp.229-234 |
| VLD, IPSJ-SLDM (連催) |
2018-05-16 15:00 |
福岡 | 北九州国際会議場 | データキャッシュに対する不揮発性パワーゲーティング適用方法の検討と評価 ○秋葉爽輔・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2018-2 |
近年，CPU全体の消費エネルギーにおいて，キャッシュメモリの消費エネルギーが占める割合が増大している．不揮発性パワーゲー... [more] | VLD2018-2 pp.19-24 |
| VLD, HWS (併催) |
2018-03-02 09:50 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | DRAMの自動リフレッシュ間隔延長とデータ修正に基づくアプロキシメートコンピューティングの提案と評価 ○深澤高雅・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2017-121 |
DRAMは容量の増大にしたがってリフレッシュによる消費エネルギーの増大が懸念されている。そのため、DRAMの消費エネルギ... [more] | VLD2017-121 pp.193-198 |
| VLD, HWS (併催) |
2018-03-02 10:30 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | Verify機能を備えた不揮発性フリップフロップの再構成アクセラレータCool Mega-Arrayへの適用とエネルギー評価 ○赤池純也・宇佐美公良・工藤 優（芝浦工大）・天野英晴・池添赳治（慶大）・平賀啓三・周藤悠介・屋上公二郎（ソニーセミコンダクタソリューションズ） VLD2017-122 |
フリップフロップの消費電力を低減するための手法として、不揮発性素子である磁気トンネル接合(Magnetic Tunnel... [more] | VLD2017-122 pp.199-204 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB (連催) CPSY, IPSJ-ARC (連催) CPM, ICD, IE (共催) RECONF (併催) [詳細] |
2017-11-06 14:55 |
熊本 | くまもと県民交流館パレア | 動的マルチボディバイアス制御を用いたデジタルメモリのリークエネルギー削減 ○吉田有佑・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2017-33 DC2017-39 |
オンチップメモリはマイクロプロセッサの主要な構成要素であり、消費エネルギーに大きな影響を与える。本稿では、二アスレッショ... [more] | VLD2017-33 DC2017-39 pp.37-42 |
| VLD | 2017-03-01 14:00 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 不揮発性キャッシュの細粒度パワーゲーティングとMTJ記憶領域の動的選択制御 ○榎戸将太・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2016-102 |
不揮発性素子MTJをSRAMに組み込み、キャッシュに適用して、データを保持しつつリーク電力を低減させる不揮発性パワーゲー... [more] | VLD2016-102 pp.1-6 |
| VLD | 2017-03-01 14:25 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ストア／リストア分離型不揮発性フリップフロップにおけるパワーゲーティング技術の有効性評価 ○工藤 優・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2016-103 |
本稿では不揮発性パワーゲーティングを実現するために必要な不揮発性フリップフロップ回路（NVFF）について議論する。従来の... [more] | VLD2016-103 pp.7-12 |
| CPSY, RECONF, VLD (共催) IPSJ-SLDM, IPSJ-ARC (共催) (連催) [詳細] |
2017-01-25 10:15 |
神奈川 | 慶大日吉キャンパス | Verify機能を備えた不揮発性フリップフロップの提案と評価 ○赤池純也・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2016-97 CPSY2016-133 RECONF2016-78 |
近年、携帯情報端末の普及に伴い、高性能かつ低消費電力な製品が求められるようになってきた。そこで、フリップフロップの消費電... [more] | VLD2016-97 CPSY2016-133 RECONF2016-78 pp.175-180 |
| CPSY, RECONF, VLD (共催) IPSJ-SLDM, IPSJ-ARC (共催) (連催) [詳細] |
2017-01-25 10:55 |
神奈川 | 慶大日吉キャンパス | 三次元積層チップの発熱におけるチップ内温度の過渡解析およびその評価 ○安田匠吾・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2016-98 CPSY2016-134 RECONF2016-79 |
LSIの集積密度を向上させる技術としてLSIチップの3次元積層技術がある。3次元積層技術ではLSIの製造プロセスの微細化... [more] | VLD2016-98 CPSY2016-134 RECONF2016-79 pp.181-186 |
| VLD, DC (共催) CPM, ICD, IE (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2016-11-28 13:10 |
大阪 | 立命館大学大阪いばらきキャンパス | 薄膜BOX-SOI(SOTB)におけるレベルシフタレス設計の実現性の検討と評価 ○小暮俊輔・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2016-47 DC2016-41 |
レベルシフタは信号の電圧振幅を変換する回路であり、異なる電源電圧領域で信号をやりとりする場合に必要不可欠である。レベルシ... [more] | VLD2016-47 DC2016-41 pp.19-24 |
| VLD, DC (共催) CPM, ICD, IE (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2016-11-29 09:00 |
大阪 | 立命館大学大阪いばらきキャンパス | 薄膜BOX-SOIを用いた基板バイアス制御による低消費電力スタンダードセルメモリの設計と実装 ○吉田有佑・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2016-53 DC2016-47 |
スタンダードセルメモリ(Standard Cell Memory : SCM)はSRAMに代わる低電圧動作可能な組み込み... [more] | VLD2016-53 DC2016-47 pp.55-60 |
| VLD, CAS, MSS, SIP (共催) |
2016-06-17 09:30 |
青森 | 弘前市立観光館 | MTJを用いた不揮発性キャッシュの消費エネルギー削減における記憶領域選択方法の検討 ○深澤高雅・宇佐美公良（芝浦工大） CAS2016-18 VLD2016-24 SIP2016-52 MSS2016-18 |
キャッシュの消費エネルギーを抑えるため、リーク電力を抑えるパワーゲーティング（PG）と不揮発性素子MTJを用いてキャッシ... [more] | CAS2016-18 VLD2016-24 SIP2016-52 MSS2016-18 pp.97-102 |
| VLD, CAS, MSS, SIP (共催) |
2016-06-17 09:50 |
青森 | 弘前市立観光館 | 不揮発性素子MTJを適用したスタンダードセルメモリ回路の設計と評価 ○赤池純也・工藤 優・宇佐美公良（芝浦工大） CAS2016-19 VLD2016-25 SIP2016-53 MSS2016-19 |
近年、携帯情報端末の普及により、高性能化かつバッテリーの長持ちする製品が求められるようになってきた。そこで本研究では、不... [more] | CAS2016-19 VLD2016-25 SIP2016-53 MSS2016-19 pp.103-108 |
| VLD | 2016-03-01 16:15 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ジグザグパワーゲーティングの入力依存性におけるノイズ低減効果の検討 ○金本忠大・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2015-128 |
リーク電流を低減するパワーゲーティング技術には、ジグザグパワーゲーティングという技術がある。ジグザグパワーゲーティングの... [more] | VLD2015-128 pp.99-103 |
| VLD | 2016-03-01 17:05 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 薄膜BOX-SOIと基板バイアス制御を用いた低消費電力スタンダードセルメモリの検討 ○吉田有佑・工藤 優・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2015-130 |
近年、環境発電やセンサーノードが注目され、低消費電力、超低電圧で動作可能なメモリが求められている。しかし、従来のSRAM... [more] | VLD2015-130 pp.111-116 |
| VLD, CPSY, RECONF (共催) IPSJ-SLDM, IPSJ-ARC (共催) (連催) [詳細] |
2016-01-20 09:00 |
神奈川 | 慶應義塾大学 日吉キャンパス | 三次元積層チップにおける電力消費に伴う発熱温度の実チップ評価 ○和田達矢・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2015-87 CPSY2015-119 RECONF2015-69 |
LSIの三次元積層技術における問題点の1つである発熱について、積層構造によるチップの発熱温度への影響を解析するため、複数... [more] | VLD2015-87 CPSY2015-119 RECONF2015-69 pp.85-90 |
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