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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| OCS, OFT (併催) |
2010-08-27 09:35 |
北海道 | 旭川ときわ市民ホール | パルスOCDR法による遠距離・高分解能マーカー検出 ○増田一也（SEIオプティフロンティア）・大塚節文・長谷川健美・蟹江智彦・井上 享（住友電工）  OCS2010-46 |
(事前公開アブストラクト) 近年の急速な加入者系の拡大により、10 cm 程度の空間分 解能を持つ監視システムへの要求... [more] |
OCS2010-46 pp.59-62 |
| MW | 2010-05-13 16:00 |
兵庫 | 兵庫県立大学 | 11W出力バランス型C-X帯広帯域GaN HEMT増幅器 ○桑田英悟・山中宏治・桐越 祐・井上 晃・平野嘉仁（三菱電機） MW2010-17 |
GaN HEMT (Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor)... [more] | MW2010-17 pp.17-22 |
| EMCJ, MW, IEE-MAG (共催) |
2009-10-23 14:00 |
岩手 | 岩手大学・八幡平ロイヤルホテル | 2周波ウィルキンソン分配器を用いた反射波吸収型帯域阻止フィルタ ～ 回路合成理論に基づくウィルキンソン分配器設計ツールの開発事例 ～ ○内田浩光・山中宏治・山内和久・井上 晃・平野嘉仁・宮崎守泰（三菱電機） EMCJ2009-70 MW2009-119 |
効率改善を目的として高調波処理が施された高出力増幅器においてその高調波輻射を抑圧するためにフィルタを導入する場合，同フィ... [more] | EMCJ2009-70 MW2009-119 pp.153-158 |
| OPE, EMT, MW (共催) |
2009-07-31 09:50 |
北海道 | 旭川市民文化会館 | C-Ku帯GaN HEMT3倍帯域高効率高出力増幅器 ○桑田英悟・山中宏治・桐越 祐・井上 晃・平野嘉仁（三菱電機） MW2009-68 OPE2009-68 |
GaN HEMT (Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor)... [more] | MW2009-68 OPE2009-68 pp.205-209 |
| OPE, EMT, MW (共催) |
2009-07-31 10:15 |
北海道 | 旭川市民文化会館 | 負帰還回路を用いた経路切替形利得切替増幅器 ○美保諭志・森 一富・寺西絵理・井上 晃・平野嘉仁（三菱電機） MW2009-69 OPE2009-69 |
端末用増幅器に用いる利得切替回路として，負帰還回路を用いた経路切替形利得切替増幅器を提案した．増幅器の負帰還抵抗を利得切... [more] | MW2009-69 OPE2009-69 pp.211-216 |
| OFT | 2009-05-28 13:00 |
静岡 | 住友電気工業?南箱根セミナーハウス | 青紫半導体レーザーの歯科治療への応用 ○畑山 均・村上 孝・柏田智徳・井上 享（住友電工）・宮崎英隆・加藤純二（東京医科歯科大） OFT2009-1 |
近年、GaN系青紫半導体レーザーの高出力化が進んでいる。青紫半導体レーザーの波長（405nm）は従来の半導体レーザーに比... [more] | OFT2009-1 pp.1-6 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-14 14:25 |
東京 | 機械振興会館 | 出力容量を考慮した回路設計による増幅器の広帯域化 ○桑田英悟・山中宏治・桐越 祐・井上 晃・宮崎守泰（三菱電機） ED2008-200 MW2008-165 |
近年，UWBなどの広帯域通信システムや，無線通信基地局のマルチバンド化に対応する増幅器の共有化を背景として，増幅器の広帯... [more] | ED2008-200 MW2008-165 pp.11-15 |
| MW | 2008-11-20 13:00 |
長崎 | 長崎大学 | インバータ結合型直列共振回路からなる通過帯域幅が一定のマイクロ波可変帯域通過フィルタ ○内田浩光・井上 晃・宮崎守泰・米田尚史・小西善彦（三菱電機） MW2008-123 |
[more] | MW2008-123 pp.31-36 |
| MW | 2008-08-28 13:45 |
大阪 | 大阪大学（豊中） | GaN HEMTを用いたS帯高耐電力低雑音増幅器 ○山中宏治・湯川秀憲・井上 晃（三菱電機） MW2008-84 |
GaN HEMTはGaAsの10倍以上の出力密度が得られることから100W超出力のマイクロ波帯高出力増幅器として盛んに研... [more] | MW2008-84 pp.31-36 |
| OPE, EMT, MW (共催) |
2008-07-25 10:50 |
北海道 | 千歳アルカディア・プラザ | ウィルキンソン分配器を用いて不要結合を抑圧した高方向性カップラ ○山内和久・中山正敏・井上 晃（三菱電機） MW2008-76 OPE2008-59 |
非均質媒質に起因して偶・奇モードの位相速度が異なるマイクロストリップカップラでは方向性が劣化する問題があり，さまざまな改... [more] | MW2008-76 OPE2008-59 pp.163-168 |
| ICM | 2008-07-11 11:15 |
北海道 | 千歳科学技術大学 | 実行履歴の業務プロセスシミュレーションへの活用に向けた検討 ○土川公雄・井上 晃・小笠原志朗・山村哲哉・丸山 勉（NTT） ICM2008-38 |
[more] | ICM2008-38 pp.85-90 |
| MW | 2008-06-27 14:50 |
愛知 | 豊橋技科大 | 高調波整合によるGaN HEMTの高効率動作の検討 ○山中宏治・能登一二三・木村実人・山内和久・加茂宣卓・桑田英悟・大塚浩志・井上 晃（三菱電機） MW2008-44 |
高調波処理（高調波整合）によるGaN HEMTの高効率動作について報告する．GaN HEMT はGaAs FETの約10... [more] | MW2008-44 pp.69-74 |
| SCE, MW (共催) |
2008-04-22 14:50 |
東京 | 機械振興会館 | GaN HEMT広帯域高効率増幅器 ○山中宏治・大塚浩志・津山祥紀・茶木 伸・井上 晃（三菱電機） SCE2008-10 MW2008-10 |
GaN HEMTを用いた広帯域高効率増幅器について報告する．表面パッシベーション膜の形成にCat-CVD法を用いることで... [more] | SCE2008-10 MW2008-10 pp.53-58 |
| SCE, MW (共催) |
2008-04-22 15:10 |
東京 | 機械振興会館 | X帯14W高効率内部整合HFET ○森 一富・西原 淳・内海博三・井上 晃・宮崎守泰（三菱電機） SCE2008-11 MW2008-11 |
X帯において出力電力14Wの高効率内部整合HFETを開発したので報告する。高効率を実現するために、入出力の整合回路におい... [more] | SCE2008-11 MW2008-11 pp.59-62 |
| LOIS, ICM, IA (併催) |
2008-01-25 15:30 |
熊本 | 崇城大学（熊本市） | OSS実行履歴を用いた業務プロセス改善支援ツールの実現 ○井上 晃・小笠原志朗・土川公雄（NTT） TM2007-51 |
企業間の競争激化に伴い，リードタイム短縮，運用コスト削減に向けた業務プロセス管理の重要性が認識されている．業務プロセス管... [more] | TM2007-51 pp.51-56 |
| ED | 2007-11-27 16:05 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 | 高調波負荷を最適化したKa帯2倍波発振器 ○渡辺伸介・松塚隆之・天清宗山・井上 晃・奥 友希・石川高英（三菱電機） ED2007-192 |
高調波負荷を最適化したKa 帯2 倍波発振器を報告する。 エミッタサイズ80um2 のInGaP HBT を使用した2... [more] |
ED2007-192 pp.29-32 |
| ED | 2007-06-15 13:25 |
富山 | 富山大学 | ミリ波帯高出力・高耐圧pHEMT ～ 非線形ドレイン抵抗低減による出力・耐圧の両立 ～ ○天清宗山・井上 晃・後藤清毅・國井徹郎・山本佳嗣・奥 友希・石川高英（三菱電機） ED2007-32 |
ミリ波帯増幅器の出力低下の要因である非線形ドレイン抵抗を低減するため、新たに「ステップリセス構造」を採用したGaAs p... [more] | ED2007-32 pp.7-11 |
| ICM | 2007-03-16 14:20 |
沖縄 | 宮古島マリンターミナル | 業務システム実行履歴からの業務分析のためのイベントパターン抽出手法 ○小笠原志朗・井上 晃・山村哲哉（NTT） TM2006-74 |
企業における業務プロセス管理のコスト削減のため，業務システム履歴を利用して業務分析を支援する技術が検討されている． し... [more] |
TM2006-74 pp.77-82 |
| MW, ED (共催) |
2007-01-19 10:35 |
東京 | 機械振興会館 | GaAsオンチップに高調波処理回路を一体化した3.5GHz低歪高出力FET ○後藤清毅・國井徹郎・井上 晃（三菱電機）・大植利和（Wave Technology）・河野正基・奥 友希・石川高英（三菱電機） |
ブロードバンド無線通信基地局に用いる高出力増幅器を低歪化することを目的として、GaAs 基板上に高調波処理回路を一体化し... [more] | ED2006-228 MW2006-181 pp.155-160 |
| MW, ED (共催) |
2007-01-19 11:10 |
東京 | 機械振興会館 | 高出力ミリ波帯HEMTの非線形ドレイン抵抗モデル ○井上 晃・天清宗山・後藤清毅・國井徹郎・奥 友希・石川高英（三菱電機） |
非線形ドレイン抵抗を考慮したミリ波帯高出力PHEMTモデルを提案する．高出力ミリ波帯HEMTでは動作電圧を高くするために... [more] | ED2006-229 MW2006-182 pp.161-166 |
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