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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD, IPSJ-ARC
(連催)
2012-01-19
11:40
東京 電通大 [招待講演]スケーリング則から見た低電力技術とその方向
石橋孝一郎電通大ICD2011-136
ムーアの法則によるLSIの高集積化は.スケーリング則による高速化、低電力化の恩恵も享受しながら、新しいアプリケーションを... [more] ICD2011-136
pp.21-22
ICD, ITE-IST
(連催)
2011-07-22
09:50
広島 広島工業大学 アクティブディキャップを用いた電源共振雑音低減手法
金 鎮明名倉 徹東大)・高田英裕石橋孝一郎ルネサス エレクトロニクス)・池田 誠浅田邦博東大ICD2011-27
 [more] ICD2011-27
pp.69-72
ICD, SDM
(共催)
2010-08-26
09:10
北海道 札幌エルプラザ内男女共同参画センター 複数IPコア回路におけるスリープブロックの寄生容量を用いたチップ内電源共振雑音低減手法
金 鎮明名倉 徹東大)・高田英裕石橋孝一郎ルネサステクノロジ)・池田 誠浅田邦博東大SDM2010-124 ICD2010-39
複数IP回路中にあるスリープブロックの寄生容量を用いた電源共振雑音低減手法を提案した.内部回路そのものが持っている寄生容... [more] SDM2010-124 ICD2010-39
pp.1-4
ICD, SDM
(共催)
2007-08-23
15:25
北海道 北見工業大学 厚膜MOS電源スイッチを用いた高速電源遮断技術によるモバイルプロセッサの低電力化
福岡一樹小澤 治森 涼五十嵐康人佐々木敏夫倉石 孝安 義彦石橋孝一郎ルネサステクノロジSDM2007-153 ICD2007-81
厚膜ゲート酸化膜MOS電源スイッチを用いた高速電源遮断技術を提案する.本手法はPVT変動による突入電流,復帰時間のばらつ... [more] SDM2007-153 ICD2007-81
pp.69-73
ICD 2007-04-13
09:40
大分 大分県・湯布院・七色の風 [招待講演]A 65 nm Embedded SRAM with Wafer Level Burn-In Mode, Leak-Bit Redundancy and E-trim Fuse for Known Good Die
Shigeki OhbayashiMakoto YabuuchiKazushi KonoRenesas Technology)・Yuji OdaShikino High-Tech)・Susumu ImaokaRenesas Design)・Keiichi UsuiDaioh Electric)・Toshiaki YonezuTakeshi IwamotoKoji NiiYasumasa TsukamotoMasashi ArakawaTakahiro UchidaHiroshi MakinoKoichiro IshibashiHirofumi ShinoharaRenesas TechnologyICD2007-11
 [more] ICD2007-11
pp.59-64
ICD, ITE-CE
(共催)
2006-12-15
11:15
広島 (財)広島産業振興機構 広島県情報プラザ PTI-ABC SOIを用いた低消費電力SOC設計 ~ ボディバイアスコントロールによるばらつきを抑えた低消費電力回路設計 ~
小澤 治福岡一樹五十嵐康人倉石 孝安 義彦牧 幸生一法師隆志落合俊彦白畑正芳石橋孝一郎ルネサステクノロジ
 [more] ICD2006-163
pp.115-119
ICD, SDM
(共催)
2006-08-18
12:05
北海道 北海道大学 超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発
今岡 進ルネサスデザイン)・新居浩二ルネサステクノロジ)・増田康浩ルネサスデザイン)・薮内 誠塚本康正大林茂樹五十嵐元繁冨田和朗坪井信生牧野博之石橋孝一郎篠原尋史ルネサステクノロジ
65nmテクノロジを適用した高密度の8T-dual-port(DP)-SRAMを開発した。プライオリティー行デコーダとビ... [more] SDM2006-148 ICD2006-102
pp.133-136
ICD, SDM
(共催)
2006-08-18
14:35
北海道 北海道大学 65nm混載SRAMでの動作マージン改善回路
薮内 誠大林茂樹新居浩二塚本康正ルネサステクノロジ)・今岡 進ルネサスデザイン)・五十嵐元繁竹内雅彦川島 光牧野博之山口泰男塚本和宏犬石昌秀石橋孝一郎篠原尋史ルネサステクノロジ
 [more] SDM2006-151 ICD2006-105
pp.149-153
ICD 2006-04-14
13:50
大分 大分大学 局所的な閾値電圧ばらつきに対するSRAM安定動作解析手法について
塚本康正新居浩二ルネサステクノロジ)・今岡 進ルネサスデザイン)・小田祐士シキノハイテック)・大林茂樹薮内 誠牧野博之石橋孝一郎篠原尋史ルネサステクノロジ
 [more] ICD2006-18
pp.97-102
SIP, ICD, IE, IPSJ-SLDM
(共催)
2005-10-21
09:20
宮城 作並温泉一の坊 電流基板制御方式による基板ノイズ低減及びランダムばらつき抑制効果
小松義英石橋孝一郎塚田敏郎山本雅晴半導体理工学研究センター)・島崎健二深澤光弥永田 真神戸大
 [more] SIP2005-116 ICD2005-135 IE2005-80
pp.7-12
ICD, SDM
(共催)
2005-08-19
13:25
北海道 函館国際ホテル 90nm GenericロジックCMOSプロセスを用いたメモリアレイ0.5V動作Asymmetric Three-Tr. Cell (ATC) DRAMの提案
市橋 基半導体理工学研究センター/ルネサステクノロジ)・戸田春希半導体理工学研究センター/東芝)・伊藤寧夫半導体理工学研究センター/東芝マイクロエレクトロニクス)・石橋孝一郎半導体理工学研究センター/ルネサステクノロジ
単一セルが1つのPMOSと2つのNMOSからなるATC DRAMを提案する.本メモリシステムは更に提案する"Forced... [more] SDM2005-151 ICD2005-90
pp.49-54
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