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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2018-08-09 12:45 |
北海道 | 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 | 10nm FinFETプロセスにおける回復効果を含むBTIのスタンダードセルのレイアウト形状依存性に関する研究 ○五十嵐満彦・内田優希・高沢義生・塚本康正・澁谷宏治・新居浩二（ルネサス エレクトロニクス）  SDM2018-47 ICD2018-34 |
[more] | SDM2018-47 ICD2018-34 pp.109-113 |
| ICD, SDM (共催) |
2014-08-04 10:50 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館（札幌市） | 2GHz CPUと低電力1GHz CPUを有する28nm High-k/MGプロセスを用いたヘテロジーニアス型マルチコアモバイルアプリケーションプロセッサ ○五十嵐満彦・植村俊文・森 涼・岸部浩司・谷口正明・若原康平・齋藤俊治・藤ヶ谷誠希・福岡一樹・新居浩二・片岡 健・服部俊洋（ルネサス エレクトロニクス） SDM2014-64 ICD2014-33 |
本誌は我々のヘテロジーニアスクアッド/オクタ-コア構成のモバイルアプリケーションプロセッサ(AP)に搭載したパワーマネー... [more] | SDM2014-64 ICD2014-33 pp.11-16 |
| SDM, ICD (共催) |
2013-08-02 10:50 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | 28nmHKMGテクノロジにおけるEM耐性を強化した1.8V I/O NMOS電源スイッチによる123uWスタンバイ電力技術 ○福岡一樹・森 涼・加藤 章・五十嵐満彦・澁谷宏治・山木貴志・新居浩二・森田貞幸・小池貴夫（ルネサス エレクトロニクス）・阪本憲成（ルネサス モバイル） SDM2013-78 ICD2013-60 |
[more] | SDM2013-78 ICD2013-60 pp.65-69 |
| ICD | 2012-12-18 10:20 |
東京 | 東工大蔵前会館 ロイアルブルーホール | テスト時ピーク電力最適化に向けた28nmHKMGプロセスのデジタルVdrop検出センサー ○五十嵐満彦・高沢義生・五十嵐康人・松下博明・竹内 幹（ルネサス エレクトロニクス） ICD2012-115 |
フルデジタルで実装やテスト時の使用が容易なダイナミックVdropセンサーを提案する。このセンサーは2.4Kゲート規模で、... [more] | ICD2012-115 pp.97-102 |
| ED, MW (共催) |
2006-01-18 15:45 |
東京 | 機械振興会館 | ゲートにより制御するホットエレクトロントランジスタの高周波特性予測 ○町田信也（東工大/JST）・五十嵐満彦・山田朋宏（東工大）・宮本恭幸・古屋一仁（東工大/JST） |
走行領域を全て真性半導体とし、ゲート金属により電流制御を行うホットエレクトロントランジスタの高速特性解析を、フルバンドモ... [more] | ED2005-197 MW2005-151 pp.29-32 |
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