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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ICD, SDM (共催) |
2010-08-27 16:00 |
北海道 | 札幌エルプラザ内男女共同参画センター | 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析 ○水谷朋子（東大）・角村貴昭（MIRAI-Selete）・Anil Kumar（東大）・西田彰男・竹内 潔・稲葉 聡・蒲原史朗（MIRAI-Selete）・寺田和夫（広島市大）・最上 徹（MIRAI-Selete）・平本俊郎（東大/MIRAI-Selete）  SDM2010-150 ICD2010-65 |
大規模DMA-TEGにより65nm技術で作製したMOSトランジスタの電流ばらつきを測定し、電流ばらつきがしきい値電圧ばら... [more] | SDM2010-150 ICD2010-65 pp.143-148 |
| ICD, ITE-IST (連催) |
2010-07-22 10:20 |
大阪 | 常翔学園大阪センター | 90 nm CMOS差動対トランジスタのVthとAC応答のその場評価 ○坂東要志・高谷 聡・長谷川貴士（神戸大）・大川 徹・早田征明・宝本敏治・山田利夫・熊代成孝・最上 徹（半導体先端テクノロジーズ）・永田 真（神戸大） ICD2010-23 |
[more] | ICD2010-23 pp.11-14 |
| WIT | 2010-05-22 15:15 |
新潟 | 新潟大学駅南キャンパス | 地域における障害者ITサポートの現状と課題 ～ 長野県障害者ITサポートセンターの場合 ～ ○青木 敏（SOHO未来塾） WIT2010-16 |
地方における障害者ITサポートでは、サポーター、コーディネーター、ボランティア、利用者のいずれも人数が少ないため、質の高... [more] | WIT2010-16 pp.83-85 |
| SDM | 2009-11-12 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］2009 SISPADレビュー ○田中克彦（MIRAI-Selete） SDM2009-136 |
2009 International Conference on Simulation of Semiconductor... [more] | SDM2009-136 pp.7-11 |
| MVE | 2009-11-12 14:25 |
大阪 | 大阪工業大学 大阪センター | 筋電インタフェースEMGUIのための動作選択手法 ○谷口充展・中村裕一・近藤一晃・中村裕一（京大）・櫻澤 繁・戸田真志（公立はこだて未来大）・秋田純一（金沢大） MVE2009-61 |
本稿では,筋電位を用いたユーザインタフェース(EMGUI:ElectroMyoGraphic User Interfac... [more] | MVE2009-61 pp.19-20 |
| SDM | 2009-11-13 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］微細MOSデバイスにおけるランダムばらつき ○竹内 潔（MIRAI-Selete/NECエレクトロニクス）・西田彰男（MIRAI-Selete）・平本俊郎（MIRAI-Selete/東大） SDM2009-147 |
[more] | SDM2009-147 pp.67-71 |
| SDM | 2009-11-13 15:00 |
東京 | 機械振興会館 | チャネル不純物分布を正確に反映した離散化表面ポテンシャルモデルとその超高速不純物濃度ばらつき解析への応用 ○坂本浩則・有本 宏・増田弘生・船山 敏・熊代成孝（MIRAI-Selete） SDM2009-148 |
[more] | SDM2009-148 pp.73-78 |
| SDM | 2009-06-19 11:20 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | GeMIS界面欠陥の電気的性質 ○田岡紀之・水林 亘・森田行則・右田真司・太田裕之（半導体MIRAIプロジェクト）・高木信一（半導体MIRAIプロジェクト/東大） SDM2009-30 |
Ge MIS界面の電気的特性の理解は、少数キャリアの複雑な応答のため非常に困難である。そこで、本報告では、少数キャリアと... [more] | SDM2009-30 pp.21-26 |
| SDM | 2009-06-19 12:40 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | Ge MOSデバイスの熱安定性 ～ Ge oxygen [GeO(g)]脱ガスにおけるGe monoxide [GeO(II)]の役割 ～ ○鎌田善己（MIRAI-東芝）・高島 章（東芝）・手塚 勉（MIRAI-東芝） SDM2009-31 |
GeO(g)脱ガス温度は、酸化手法に依存せず、Ge酸化膜中のGeO(II)比率が多い程、低下する。GeO(g)脱ガスはH... [more] | SDM2009-31 pp.27-31 |
| OPE | 2008-12-19 14:55 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］オンチップ光配線開発の動向 ○大橋啓之（NEC/MIRAI-Selete） OPE2008-140 |
LSIにおいては、トランジスタの微細化に伴いゲート遅延が短縮される一方で、信号の高周波化および配線の微細・複雑化に伴い配... [more] | OPE2008-140 pp.23-24 |
| LQE, CPM, EMD, OPE (共催) |
2008-08-28 11:25 |
宮城 | 東北大学 | AD法によるEO/MO材料を用いた小型高速光素子 ○中田正文（NEC/MIRAI-Selete）・清水隆徳（MIRAI-Selete）・岩波瑞樹（NEC）・大橋啓之（NEC/MIRAI-Selete）・津田弘樹・明渡 純（産総研） EMD2008-34 CPM2008-49 OPE2008-64 LQE2008-33 |
微細結晶粒の再配列により膜を形成するエアロゾルデポジション（AD）法は、原子レベルから膜を形成する従来のスパッタ法などと... [more] | EMD2008-34 CPM2008-49 OPE2008-64 LQE2008-33 pp.11-14 |
| ICD, SDM (共催) |
2008-07-17 14:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［特別講演］微細トランジスタにおける特性ばらつきの現状と将来動向 ○平本俊郎（東大/MIRAI-Selete）・竹内 潔・角村貴昭（MIRAI-Selete）・Arifin T.P.（東大）・西田彰男・蒲原史朗（MIRAI-Selete） SDM2008-135 ICD2008-45 |
微細トランジスタの特性ばらつきは，半導体技術のおける最大の問題の一つである．最先端の65nm技術におけるトランジスタの特... [more] | SDM2008-135 ICD2008-45 pp.41-46 |
| EA | 2008-06-27 12:40 |
秋田 | 秋田県立大学 | アコースティックギター弾弦情報の計測および演奏・試聴システムの構築 ○徳弘一路（神奈川工科大）・高澤嘉光（未来テクノ）・山家清彦（ソナリサーチ） EA2008-30 |
種々のギター奏法に対して弦振動がブリッジに与える力を計測できる２次元ピックアップを開発し，２次元ピックアップを６個搭載し... [more] | EA2008-30 pp.25-30 |
| EA | 2008-06-27 13:10 |
秋田 | 秋田県立大学 | ASIO(Audio Stream Input Output)の有効性についての考察 ○高澤嘉光（未来テクノ）・徳弘一路（神奈川工科大） EA2008-31 |
Windowsにおいて音の入出力は，MMEと呼ばれるオーディオ・ドライバによって行なわれる．しかし，その入出力においてノ... [more] | EA2008-31 pp.31-36 |
| SDM | 2008-06-09 13:30 |
東京 | 東京大学(生産研 An棟) | ［チュートリアル講演］高性能CMOSのための高移動度チャネル技術の現状と展望 ○高木信一（東大） SDM2008-42 |
45nm世代を迎え、種々の微細化限界により、CMOS性能の飽和が顕在化している。このため、チャネルの電流駆動力向上やマル... [more] | SDM2008-42 pp.1-6 |
| SDM | 2008-06-10 10:55 |
東京 | 東京大学(生産研 An棟) | High-k MOSデバイスのしきい値電圧制御におけるhigh-k/SiO2界面の役割 ○岩本邦彦・上牟田雄一（半導体MIRAI-ASET）・布重 裕（芝浦工大/半導体MIRAI-産総研ASRC）・平野晃人・小川有人・渡邉幸宗（半導体MIRAI-ASET）・右田慎二・水林 亘・森田行則（半導体MIRAI-産総研ASRC）・高橋正志（半導体MIRAI-ASET）・太田裕之（半導体MIRAI-産総研ASRC）・生田目俊秀（半導体MIRAI-ASET）・鳥海 明（半導体MIRAI-産総研ASRC/東大） SDM2008-51 |
[more] | SDM2008-51 pp.53-58 |
| LQE | 2007-12-07 13:25 |
東京 | 機械振興会館 地下3階6号室 | ［招待講演］LSIオンチップ光配線技術 ○西 研一・大橋啓之（MIRAI-Selete/NEC） LQE2007-118 |
LSIのオンチップでの光配線技術は，将来のLSIにおける電気配線での課題を解決可能な技術として期待されるものである．光素... [more] | LQE2007-118 pp.27-32 |
| ED, SDM (共催) |
2007-06-25 13:00 |
海外 | Commodore Hotel Gyeongju Chosun, 慶州， 韓国 | ［招待講演］Robust Design of Transistors: Present Status and Measures to Characteristic Variations ○Toshiro Hiramoto（Univ. Tokyo and MIRAI-Selet） |
[more] | |
| SDM | 2007-06-08 15:05 |
広島 | 広島大学（学士会館） | Ge窒化膜を界面層とするHfO2/Ge MIS構造の特性 ○前田辰郎・森田行則・西澤正泰（産総研）・高木信一（産総研/東大） SDM2007-50 |
[more] | SDM2007-50 pp.101-106 |
| SDM, VLD (共催) |
2006-09-26 16:15 |
東京 | 機械振興会館 | 反転層量子化サブバンドとチャネル方向依存性を考慮した歪Si-MOSFETのフルバンドモンテカルロシミュレーション ○羽根正巳（NEC）・池澤健夫・河田道人（NEC情報システムズ）・江崎達也（広島大）・山本豊二（MIRAI-ASET） |
反転層の量子化サブバンドを考慮した歪Si-MOSFETのフルバンドモンテカルロシミュレーションの手法を用いて、一軸応力を... [more] | VLD2006-50 SDM2006-171 pp.65-69 |
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