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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
VLD, DC, IPSJ-SLDM
(連催)
ICD, CPM
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2010-12-01
13:15
福岡 九州大学医学部百年講堂 [招待講演]TFT SRAMを用いた3D-FPGAの開発
内藤達也石田達也東芝)・小野塚 健コバレントマテリアル)・西郡正人中山武雄上野芳弘石本康実鈴木昭弘鍾 ウェイ丞東芝)・Raminda MadurawereadyASIC)・Sheldon WuChina International Intellectual Property Services)・池田修二tei Solutions)・親松尚人東芝RECONF2010-50
 [more] RECONF2010-50
pp.65-69
ICD, SDM
(共催)
2009-07-16
15:50
東京 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 微細High-k/メタルゲートデバイスにおけるキャリア移動度とTinvスケーリングの関係および22nmノードに向けたデバイス設計ガイドライン
後藤正和・○川中 繁犬宮誠治楠 直樹齋藤真澄辰村光介木下敦寛稲葉 聡豊島義明東芝SDM2009-107 ICD2009-23
Tinvスケーリングとチャネル内キャリア移動度劣化のトレードオフに関し、極微細MOSFETを用いた実験データに基づき解析... [more] SDM2009-107 ICD2009-23
pp.53-56
SDM 2008-10-10
15:45
宮城 東北大学 シリコン酸化膜中に取り込まれたドーパントの影響
永嶋賢史赤堀浩史東芝SDM2008-166
一般的なメモリやCMOSプロセスにおいては、拡散層やゲート電極にリンやボロン、砒素等の不純物をドープしたシリコン材料が用... [more] SDM2008-166
pp.63-68
SDM 2006-06-22
10:55
広島 広島大学, 学士会館 窒素高濃度極薄SiON膜のVtb改善メカニズム
松下大介村岡浩一中崎 靖加藤弘一菊地祥子佐久間 究三谷祐一郎高柳万里子江口和弘東芝
 [more] SDM2006-56
pp.81-86
ICD 2005-12-16
14:25
高知 高知工科大 1.2V動作可能な中心周波数可変複素バンドパスフィルタ
間島秀明石黒仁揮阿川謙一濱田基嗣東芝
 [more] ICD2005-202
pp.61-66
ICD, CPM
(共催)
2005-09-09
10:55
東京 機械振興会館 非鉛バンププロセスの高性能化
江澤弘和瀬戸雅晴樋口和人東芝
 [more] CPM2005-99 ICD2005-109
pp.17-22
EA 2005-06-24
15:50
埼玉 早稲田大学 本庄キャンパス コンデンサマイク/スピーカを用いた1bit波面記録再生システム
武岡成人栗原 誠岡崎正倫及川靖広早大)・西川明成東芝)・山崎芳男早大
 [more] EA2005-24
pp.25-30
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