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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, ICD (共催) |
2011-08-26 16:30 |
富山 | 富山県民会館 | 低電圧動作可能なコンテンションレス・フリップフロップと2種の電源電圧による整数演算回路のエネルギー効率向上の実証 ○更田裕司（東大）・平入孝二（半導体理工学研究センター）・安福 正・高宮 真（東大）・野村昌弘・篠原尋史（半導体理工学研究センター）・桜井貴康（東大）  SDM2011-95 ICD2011-63 |
[more] | SDM2011-95 ICD2011-63 pp.127-132 |
| ICD, ITE-IST (連催) |
2011-07-22 16:10 |
広島 | 広島工業大学 | 0.5V動作の高速近接無線通信用送受信機の設計 ○松原岳志（慶大）・林 勇（半導体理工学研究センター）・アブル ハサン ジョハリ・熊木 聡・小平 薫・黒田忠広・石黒仁揮（慶大） ICD2011-36 |
本研究では65nmCMOSプロセスにおいてパルス型磁界結合を用いた高速の近接無線通信用送受信機を提案する。この送受信機は... [more] | ICD2011-36 pp.119-123 |
| ICD | 2011-04-19 11:20 |
兵庫 | 神戸大学 瀧川記念館 | [依頼講演]サスペンディッド・ビットライン読出し方式を用いた0.5V 5.5nsecアクセスタイムバルクCMOS 8T SRAM ○鈴木利一・森脇真一・川澄 篤・宮野信治・篠原尋史（半導体理工学研究センター） ICD2011-12 |
低電圧(0.5V)で高速(アクセスタイム5.5nsec)のバルクCMOS 8T SRAMについて報告する。相補読出し型の... [more] | ICD2011-12 pp.65-70 |
| ICD | 2011-04-19 11:45 |
兵庫 | 神戸大学 瀧川記念館 | 局所電子注入による非対称パスゲートトランジスタを用いた8T-SRAMにおけるハーフセレクトディスターブの抑制 ○宮地幸祐・本田健太郎・田中丸周平（東大）・宮野信治（半導体理工学研究センター）・竹内 健（東大） ICD2011-13 |
SRAMのVTHのばらつきによる読み出し・書き込みマージン減少の解決のため，6T-SRAMのパスゲートトランジスタへ局所... [more] | ICD2011-13 pp.71-76 |
| DC | 2011-02-14 11:25 |
東京 | 機械振興会館 | 統計的タイミング解析を用いたばらつき考慮テストメソドロジ ○新谷道広・畠山一実・相京 隆（半導体理工学研究センター） DC2010-62 |
LSI の微細化と高速化に伴い，プロセスばらつきの影響でチップのスペックを超えてしまうパラメトリック不良の増大が懸念され... [more] | DC2010-62 pp.21-26 |
| ICD | 2010-12-16 09:30 |
東京 | 東京大学 先端科学技術研究センター | 電子局所注入による非対称パスゲートトランジスタを用いた8T-SRAMにおけるハーフセレクト問題の除去 ○本田健太郎・宮地幸祐・田中丸周平（東大）・宮野信治（半導体理工学研究センター）・竹内 健（東大） ICD2010-95 |
8T-SRAMのアクセストランジスタをに局所的に電子を局所的に注入することによってしきい値電圧を非対称にし、ハーフセレク... [more] | ICD2010-95 pp.1-6 |
| ICD | 2010-12-16 15:10 |
東京 | 東京大学 先端科学技術研究センター | ［ポスター講演］0.5V動作6-bitスケーラブル位相補間器 ○熊木 聡・アブル ハサン ジョハリ・松原岳志（慶大）・林 勇（半導体理工学研究センター）・石黒仁揮（慶大） ICD2010-110 |
本研究では、２入力インバータを用いたスケーラブル位相補間器を提案する。 パイプラインのような構成を用いることにより、回... [more] |
ICD2010-110 p.81 |
| ICD | 2010-12-17 13:50 |
東京 | 東京大学 先端科学技術研究センター | Misleading Energy and Performance Claims in Sub/Near Threshold Digital Systems ○Yu Pu・Xin Zhang・Jim Huang（Univ. of Tokyo）・Atsushi Muramatsu・Masahiro Nomura・Koji Hirairi・Hidehiro Takata・Taro Sakurabayashi・Shinji Miyano（STARC）・Makoto Takamiya・Takayasu Sakurai（Univ. of Tokyo） ICD2010-122 |
Many of us in the field of ultra-low-Vdd processors experien... [more] | ICD2010-122 pp.135-140 |
| ICD | 2010-12-17 16:15 |
東京 | 東京大学 先端科学技術研究センター | A 1-V Input, 0.2-V to 0.47-V Output Switched-Capacitor DC-DC Converter with Pulse Density and Width Modulation (PDWM) for 57% Ripple Reduction ○Xin Zhang・Yu Pu・Koichi Ishida（Univ. of Tokyo）・Yoshikatsu Ryu・Yasuyuki Okuma（STARC）・Po-Hung Chen（Univ. of Tokyo）・Kazunori Watanabe（STARC）・Takayasu Sakurai・Makoto Takamiya（Univ. of Tokyo） ICD2010-127 |
[more] | ICD2010-127 pp.163-167 |
| ICD | 2010-12-17 16:40 |
東京 | 東京大学 先端科学技術研究センター | 起動回路に向けた基板順バイアス型0.18-V入力チャージポンプ回路 ○陳 柏宏・石田光一・張 信（東大）・大熊康介・劉 良勝（半導体理工学研究センター）・高宮 真・桜井貴康（東大） ICD2010-128 |
本論文では、0.18-V入力基板順バイアス型三段チャージポンプ回路を提案した。本回路はチャージポンプを構成する全てのトラ... [more] | ICD2010-128 pp.169-173 |
| ICD, SDM (共催) |
2010-08-27 13:45 |
北海道 | 札幌エルプラザ内男女共同参画センター | プロセス工程後の局所的電子注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上 ○宮地幸祐・田中丸周平・本田健太郎（東大）・宮野信治（半導体理工学研究センター）・竹内 健（東大） SDM2010-145 ICD2010-60 |
本論文ではプロセス後にSRAMセルのパスゲートトランジスタの記憶保持ノード側の接合端付近の絶縁膜中に電子を局所的に注入す... [more] | SDM2010-145 ICD2010-60 pp.115-120 |
| ICD (ワークショップ) |
2010-08-16 - 2010-08-18 |
海外 | ホーチミン市百科大学 | Device-modeling techniques for high-frequency circuits operated at over 100GHz ○Ryuichi Fujimoto（STARC）・Kyoya Takano・Mizuki Motoyoshi（Univ. of Tokyo）・Uroschanit Yodprasit・Minoru Fujishima（Hiroshima Univ.） |
[more] | |
| SDM | 2010-06-22 15:15 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | 作製後における電子局在注入による非対称パスゲートトランジスタ及びしきい値圧ばらつき自己修復機能を有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上 ○宮地幸祐・田中丸周平・本田健太郎（東大）・宮野信治（半導体理工学研究センター）・竹内 健（東大） SDM2010-44 |
本論文ではSRAMセルの安定性を自己修復するように一方のパスゲートトランジスタのゲート絶縁膜中に局所的に電子を注入するこ... [more] | SDM2010-44 pp.61-65 |
| SDM | 2010-02-05 15:45 |
東京 | 機械振興会館 | 低速陽電子ビームを用いたCu/Low-k配線構造中の欠陥検出 ○上殿明良（筑波大）・井上尚也・林 喜宏・江口和弘・中村友二・廣瀬幸範・吉丸正樹（半導体理工学研究センター）・大島永康・大平俊行・鈴木良一（産総研） SDM2009-190 |
陽電子消滅は結晶中の点欠陥やポーラス材料の空隙を非破壊で感度良く検出することができる手法である．陽電子が電子と対消滅する... [more] | SDM2009-190 pp.49-52 |
| ICD, ITE-IST (共催) |
2009-10-01 10:00 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京（田町） | マイクロプロセッサにおける基板ノイズの評価と解析 ○坂東要志（神戸大）・小坂大輔（エイアールテック）・横溝剛一・坪井邦彦（半導体理工学研究センター）・Ying Shiun Li・Shen Lin（Apache）・永田 真（神戸大/エイアールテック） ICD2009-35 |
SoC をターゲットとした電源・基板雑音の統合解析手法について、90nm CMOS 技術によるマイクロプロセッサ・チップ... [more] | ICD2009-35 pp.11-14 |
| DC | 2009-06-19 11:35 |
東京 | 機械振興会館 | 縮退故障用ATPGを用いた遷移故障の診断用テスト生成法 樋上喜信・○黒瀬洋介・大野智志・山岡弘典・高橋 寛（愛媛大）・清水良浩・相京 隆（半導体理工学研究センター）・高松雄三（愛媛大） DC2009-13 |
半導体デバイスの微細化・高速化に伴い，タイミング不良である遅延故障に対する故障診断の要求が高まってきている．故障診断結果... [more] | DC2009-13 pp.19-24 |
| SDM | 2009-06-19 16:00 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | High-k膜を利用したバイオ系ドット型フローティングゲートメモリ ○小原孝介・山下一郎（奈良先端大）・八重樫利武・茂庭昌弘・吉丸正樹（半導体理工学研究センター）・浦岡行治（奈良先端大/JST） SDM2009-40 |
我々は生体由来の球殻タンパク質(フェリチン)を利用したドット型フローティングゲートメモリの実現を目指した研究を行っている... [more] | SDM2009-40 pp.77-80 |
| DC | 2009-06-19 14:45 |
東京 | 機械振興会館 | 事前見積りを利用した電力・ノイズ考慮テスト ○埜田健治・伊藤秀昭・畠山一実・相京 隆（半導体理工学研究センター） DC2009-15 |
低電力設計の進展とともに，テスト時の電力消費とIRドロップの問題は重大化している．過剰な電力消費やIRドロップによるテス... [more] | DC2009-15 pp.29-30 |
| DC | 2009-02-16 14:40 |
東京 | 機械振興会館 | ゲート内抵抗性オープン欠陥に対する微小遅延故障モデル ○新井雅之・周藤明史・岩崎一彦（首都大東京）・中野勝幸・新谷道広・畠山一実・相京 隆（半導体理工学研究センター） DC2008-75 |
[more] | DC2008-75 pp.43-48 |
| VLD | 2008-09-30 10:00 |
石川 | 金沢商工会議所会館 | ［招待講演］順序統計量のEDAへの応用とノンパラメトリック統計的タイミング解析 ○今井正紀（半導体理工学研究センター/東工大） VLD2008-53 |
本論文は筆者が東工大において社会人博士として行なった研究結果をまとめ, DAC2008で発表した``Non-Parame... [more] | VLD2008-53 pp.37-42 |
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