| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2017-07-31 10:40 |
北海道 | 北海道大学情報教育館 | SOTBプロセスによるIoT向け低消費電力混載SRAMの開発 ○藪内 誠・新居浩二・田中信二（ルネサス エレクトロニクス）・篠崎義弘（日本システムウエア）・山本芳樹・長谷川拓実・新川田裕樹・蒲原史朗（ルネサス エレクトロニクス）  SDM2017-33 ICD2017-21 |
[more] | SDM2017-33 ICD2017-21 pp.13-16 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2017-08-01 13:00 |
北海道 | 北海道大学情報教育館 | ［依頼講演］電圧比調整技術を用いた3.2ppm/℃の二次温度補償CMOSオンチップ発振器 ○張 国強・矢山浩輔・勝島明男・三木隆博（ルネサス エレクトロニクス） SDM2017-39 ICD2017-27 |
Local Interconnection Network(LIN)に適用可能なCMOSオンチップ発振器(OCO)を提案... [more] | SDM2017-39 ICD2017-27 p.69 |
| SITE, EMM, ISEC, ICSS (共催) IPSJ-CSEC, IPSJ-SPT (共催) (連催) [詳細] |
2017-07-15 13:50 |
東京 | 内田洋行東京本社ショールーム | TEEシステムアーキテクチャとそのオープンソース実装のセキュリティ評価 ○吉田直樹（横浜国大）・福島和彦・宮内成典（ルネサス エレクトロニクス）・坂本純一・藤本大介・松本 勉（横浜国大） ISEC2017-36 SITE2017-28 ICSS2017-35 EMM2017-39 |
ARMマイコンに搭載されるTrustZoneを用いて，デバイスのリソースをTrusted Execution Envir... [more] | ISEC2017-36 SITE2017-28 ICSS2017-35 EMM2017-39 pp.267-274 |
| ICD | 2017-04-20 14:55 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］16/14nmノード以降における高速かつ高信頼性を有する混載フラッシュメモリ向けFinFET Split-Gate MONOS ○津田是文・川嶋祥之・園田賢一郎・吉冨敦司・三原竜善・鳴海俊一・井上真雄・村中誠志・丸山隆弘・山下朋弘・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス）・久本 大（日立） ICD2017-7 |
世界初のFinFET構造を有するスプリットゲートMONOS型フラッシュメモリの作製，動作について報告する．FinFET構... [more] | ICD2017-7 pp.35-38 |
| ICD | 2017-04-20 15:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］車載用アプリケーションが求める混載Flash技術 ○中野全也・伊藤 孝・山内忠昭・山口泰男・河野隆司・日高秀人（ルネサス エレクトロニクス） ICD2017-8 |
低燃費エンジンおよびADAS(Advanced Driver Assistance System)の高性能化が進む中、車... [more] | ICD2017-8 pp.39-44 |
| ICD | 2017-04-21 10:25 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］16-nm FinFETを用いた6.05-Mb/mm2の高密度及び313psの高速読み出し可能なDouble Pumping型1W1R 2-port SRAM ○澤田陽平・藪内 誠・森本薫夫（ルネサス エレクトロニクス）・佐野聡明（ルネサス システムデザイン）・石井雄一郎・田中信二（ルネサス エレクトロニクス）・田中美紀（ルネサス システムデザイン）・新居浩二（ルネサス エレクトロニクス） ICD2017-12 |
[more] | ICD2017-12 pp.63-65 |
| DC | 2017-02-21 12:00 |
東京 | 機械振興会館 | 機械学習を用いたフェールチップ判別の性能向上に関する検討 ○柚留木大地・大竹哲史（大分大）・中村芳行（ルネサス システムデザイン） DC2016-77 |
今日，半導体技術の進歩によるLSIの高集積化によりLSIの低価格化が進んでいる． LSIの品質を保ちつつ，テストコスト... [more] |
DC2016-77 pp.17-22 |
| SDM | 2017-01-30 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］16/14nmノード以降における高速かつ高信頼性を有する混載フラッシュメモリ向けFinFET Split-Gate MONOS ○津田是文・川嶋祥之・園田賢一郎・吉冨敦司・三原竜善・鳴海俊一・井上真雄・村中誠志・丸山隆弘・山下朋弘・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス）・久本 大（日立） SDM2016-134 |
世界初のFinFET構造を有するスプリットゲートMONOS型フラッシュメモリの作製，動作について報告する．FinFET構... [more] | SDM2016-134 pp.17-20 |
| ICD, CPM, ED, EID, EMD, MRIS, OME, SCE, SDM (共催) QIT (併催) [詳細] |
2017-01-31 15:25 |
広島 | みやじま杜の宿(広島) | ビット密度5.92Mb/mm2を実現したダブルポンピング回路を用いた28nm擬似2RW DP-SRAM ○石井雄一郎・薮内 誠・澤田陽平・森本薫夫・塚本康正（ルネサス エレクトロニクス）・良田雄太・柴田 健・佐野聡明（ルネサス システムデザイン）・田中信二・新居浩二（ルネサス エレクトロニクス） EMD2016-86 MR2016-58 SCE2016-64 EID2016-65 ED2016-129 CPM2016-130 SDM2016-129 ICD2016-117 OME2016-98 |
6TシングルポートSRAMセルとダブルポンピング回路を用いて、2-read/write (2RW)機能を実現した擬似2R... [more] | EMD2016-86 MR2016-58 SCE2016-64 EID2016-65 ED2016-129 CPM2016-130 SDM2016-129 ICD2016-117 OME2016-98 pp.87-92 |
| SDM | 2016-11-10 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］SISPAD 2016レビュー (1) ○園田賢一郎（ルネサス エレクトロニクス） SDM2016-79 |
[more] | SDM2016-79 pp.1-7 |
| SDM | 2016-10-26 15:30 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［招待講演］超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらつきを抑制する基板バイアス制御技術 ○槇山秀樹・山本芳樹・長谷川拓実・岡西 忍・前川径一・新川田裕樹・蒲原史朗・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス）・杉井信之（日立）・石橋孝一郎（電通大）・水谷朋子・平本俊郎（東大） SDM2016-71 |
薄膜BOX-SOI(SOTB)デバイスのように低ばらつきのトランジスタは動作電圧の低減に有効である。しかし、超低電圧領域... [more] | SDM2016-71 pp.15-20 |
| SDM | 2016-10-26 16:10 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［招待講演］基板バイアス技術を用いたSOTB 2Mbit SRAMの超低電圧動作 ○山本芳樹・槇山秀樹・長谷川拓実・岡西 忍・前川径一・新川田裕樹・蒲原史朗・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス）・杉井信之（日立）・水谷朋子・平本俊郎（東大） SDM2016-72 |
薄膜BOX-SOI (SOTB: Silicon on Thin Buried oxide)を用いた6T-SRAMの超低... [more] | SDM2016-72 pp.21-25 |
| ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2016-08-03 13:20 |
大阪 | 中央電気倶楽部 | ［招待講演］機能安全規格ISO26262 ASIL Bに対応する16nm FinFETヘテロジニアス9コアSoC ○高橋睦史・芝原真一・福岡一樹・松嶋 潤・北地祐子（ルネサス システムデザイン）・島崎靖久・原 博隆・入田隆宏（ルネサス エレクトロニクス） SDM2016-64 ICD2016-32 |
本稿では，機能安全規格ISO26262 ASIL Bに対応する次世代自動車情報機器向けヘテロジニアス9コアSoCについて... [more] | SDM2016-64 ICD2016-32 pp.105-110 |
| ICD | 2016-04-14 10:10 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］低消費電力MCU向け40-nm 4-Mb組込みSRAMを用いた効率的なスクリーニング手法 ○良田雄太（ルネサス システムデザイン）・横山佳巧・石井雄一郎（ルネサス エレクトロニクス）・稲田敏浩・田中浩司・田中美紀・辻橋良樹（ルネサス システムデザイン）・新居浩二（ルネサス エレクトロニクス） ICD2016-1 |
低消費マイコン(MCU)向けに、効率的なテストスクリーニング回路を搭載した組込みシングルポートSRAMを開発した。室温で... [more] | ICD2016-1 pp.1-6 |
| ICD | 2016-04-14 11:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］298-fJ/writecycle 650-fJ/readcycleを実現する画像処理プロセッサ向け28-nm FD-SOI 8T 3ポートSRAM ○森 陽紀・中川知己・北原佑起・河本優太・高木健太・吉本秀輔・和泉慎太郎（神戸大）・新居浩二（ルネサス エレクトロニクス）・川口 博・吉本雅彦（神戸大） ICD2016-3 |
28-nm FD-SOIプロセス技術を用いた, 低消費電力かつ低電圧な画像処理向け64-kb 8T3ポートSRAMを提案... [more] | ICD2016-3 pp.13-16 |
| ICD | 2016-04-15 10:55 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］車載向け高温Tj=175℃書換え1億回以上、エネルギー0.07mJ/8kBの90nm 1T-MONOS eFlashの開発 ○中西 悟・三谷秀徳・松原 謙・吉田 浩・河野隆司・帯刀恭彦・伊藤 孝・倉藤 崇・野口健二・日高秀人・山内忠明（ルネサス エレクトロニクス） ICD2016-15 |
車載用途のフラッシュメモリを混載したマイコン向けに、90nmプロセスの1T-MONOS構造を採用した混載用フラッシュマク... [more] | ICD2016-15 pp.77-81 |
| CPSY, DC (共催) IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB, IPSJ-ARC (連催) (併催) [詳細] |
2016-03-25 15:45 |
長崎 | 福江文化会館・勤労福祉センター | LSIテストにおけるフェイル予測のためのばらつき補正に関する検討 ○小河 亮（奈良先端大）・中村芳行（ルネサス セミコンダクタパッケージ&テストソリューションズ）・井上美智子（奈良先端大） CPSY2015-158 DC2015-112 |
近年，データマイニングを用いたテストコスト削減手法が注目を集めている．LSIは多数のテスト工程を経て市場に出荷される．こ... [more] | CPSY2015-158 DC2015-112 pp.271-276 |
| SDM | 2016-01-28 14:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］最先端テクノロジノードにおける2RWデュアルポートSRAM設計事例 ○新居浩二・薮内 誠（ルネサス エレクトロニクス）・横山佳巧（ルネサス システムデザイン）・石井雄一郎・岡垣 健・森本薫夫・塚本康正（ルネサス エレクトロニクス）・田中浩司・田中美紀（ルネサス システムデザイン）・田中信二（ルネサス エレクトロニクス） SDM2015-125 |
[more] | SDM2015-125 pp.21-25 |
| RCC, ITS, WBS (共催) |
2015-12-18 14:50 |
沖縄 | 沖縄産業支援センター | 歩行者を意識したITS高度化のためのセキュアな歩行者属性メッセージの認証方式 ○溝口誠一郎（KDDI研）・押田大介・高木久考（ルネサス エレクトロニクス）・川端秀明・竹森敬祐・窪田 歩（KDDI研） WBS2015-78 ITS2015-50 RCC2015-80 |
ITSにおいて，子供・お年寄り・怪我人といった歩行者の属性を基に高度な制御を行うサービスを提供する場合，これらの属性自体... [more] | WBS2015-78 ITS2015-50 RCC2015-80 pp.221-226 |
| SDM | 2015-11-05 14:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］SISPAD2015レビュー ○國清辰也（ルネサス エレクトロニクス） SDM2015-88 |
2015 International Conference on Simulation of Semiconductor... [more] | SDM2015-88 pp.23-27 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]