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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ICD | 2018-04-20 10:45 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］同/異RowでのWLパルスタイミング調整を用いた同期型2RW 8T Dual-port SRAMのダイナミック電力削減 ○横山佳巧・石井雄一郎・奥田治之・新居浩二（REL）  ICD2018-9 |
同期2-read/write (2RW) 8T dual-port (DP) SRAMにおいて動作電力を削減する効果的な... [more] | ICD2018-9 pp.33-38 |
| SDM | 2018-01-30 14:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］16/14nmノード混載フラッシュメモリに向けた狭いVth分布を持つFinFET Split-Gate MONOSアレイの信頼性及びスケーラビリティ ○津田是文・斉藤朋也・長瀬寛和・川嶋祥之・吉冨敦司・岡西 忍・林 倫弘・丸山卓也・井上真雄・村中誠志・加藤茂樹・萩原琢也・齊藤博和・山口 直・門島 勝・丸山隆弘・三原竜善・柳田博史・園田賢一郎・山下朋弘・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス） SDM2017-94 |
本論文ではFinFET構造を持つSG-MONOSアレイの信頼性及びスケーラビリティについて述べる．FinFET SG-M... [more] | SDM2017-94 pp.13-16 |
| SDM | 2017-11-09 13:05 |
東京 | 機械振興会館 | p-LDMOSFETのホットキャリア耐性を向上させる新構造の検討 ○酒井 敦・永久克己（ルネサス エレクトロニクス）・藤井宏基・森 隆弘（ルネサスセミコンダクタマニュファクチャリング）・秋山 豊・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス） SDM2017-63 |
BiCDプロセスで用いられるp-LDMOSFETではホットキャリアストレスによってゲート酸化膜の絶縁破壊が起こるため，信... [more] | SDM2017-63 pp.11-14 |
| SDM | 2017-10-26 13:00 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［依頼講演］28nmスプリットゲートMONOS型フラッシュメモリを用いた高温動作かつ低エラー率を実現するPUF技術 ○下井貴裕・斉藤朋也・長瀬寛和・伊豆名雅之・神田明彦・伊藤 孝・河野隆司（ルネサス エレクトロニクス） SDM2017-58 |
28nmスプリットゲートMONOS（SG-MONOS）型フラッシュメモリを用いた、ハードウェアセキュリティ向けの高信頼の... [more] | SDM2017-58 pp.45-49 |
| SDM | 2017-10-26 13:30 |
宮城 | 東北大学未来研 | スクライブ上モニタパタンのシート抵抗測定によるイメージセンサの空乏化電位管理について ○後藤洋太郎（ルネサスセミコンダクタマニュファクチャリング）・山口 直・松浦正純（ルネサス エレクトロニクス）・飯塚康治（ルネサスセミコンダクタマニュファクチャリング） SDM2017-59 |
[more] | SDM2017-59 pp.51-55 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2017-07-31 10:40 |
北海道 | 北海道大学情報教育館 | SOTBプロセスによるIoT向け低消費電力混載SRAMの開発 ○藪内 誠・新居浩二・田中信二（ルネサス エレクトロニクス）・篠崎義弘（日本システムウエア）・山本芳樹・長谷川拓実・新川田裕樹・蒲原史朗（ルネサス エレクトロニクス） SDM2017-33 ICD2017-21 |
[more] | SDM2017-33 ICD2017-21 pp.13-16 |
| ICD | 2017-04-20 14:55 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］16/14nmノード以降における高速かつ高信頼性を有する混載フラッシュメモリ向けFinFET Split-Gate MONOS ○津田是文・川嶋祥之・園田賢一郎・吉冨敦司・三原竜善・鳴海俊一・井上真雄・村中誠志・丸山隆弘・山下朋弘・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス）・久本 大（日立） ICD2017-7 |
世界初のFinFET構造を有するスプリットゲートMONOS型フラッシュメモリの作製，動作について報告する．FinFET構... [more] | ICD2017-7 pp.35-38 |
| ICD | 2017-04-20 15:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］車載用アプリケーションが求める混載Flash技術 ○中野全也・伊藤 孝・山内忠昭・山口泰男・河野隆司・日高秀人（ルネサス エレクトロニクス） ICD2017-8 |
低燃費エンジンおよびADAS(Advanced Driver Assistance System)の高性能化が進む中、車... [more] | ICD2017-8 pp.39-44 |
| ICD | 2017-04-21 10:25 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］16-nm FinFETを用いた6.05-Mb/mm2の高密度及び313psの高速読み出し可能なDouble Pumping型1W1R 2-port SRAM ○澤田陽平・藪内 誠・森本薫夫（ルネサス エレクトロニクス）・佐野聡明（ルネサス システムデザイン）・石井雄一郎・田中信二（ルネサス エレクトロニクス）・田中美紀（ルネサス システムデザイン）・新居浩二（ルネサス エレクトロニクス） ICD2017-12 |
[more] | ICD2017-12 pp.63-65 |
| SDM | 2017-01-30 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］16/14nmノード以降における高速かつ高信頼性を有する混載フラッシュメモリ向けFinFET Split-Gate MONOS ○津田是文・川嶋祥之・園田賢一郎・吉冨敦司・三原竜善・鳴海俊一・井上真雄・村中誠志・丸山隆弘・山下朋弘・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス）・久本 大（日立） SDM2016-134 |
世界初のFinFET構造を有するスプリットゲートMONOS型フラッシュメモリの作製，動作について報告する．FinFET構... [more] | SDM2016-134 pp.17-20 |
| ICD, CPM, ED, EID, EMD, MRIS, OME, SCE, SDM (共催) QIT (併催) [詳細] |
2017-01-31 15:25 |
広島 | みやじま杜の宿(広島) | ビット密度5.92Mb/mm2を実現したダブルポンピング回路を用いた28nm擬似2RW DP-SRAM ○石井雄一郎・薮内 誠・澤田陽平・森本薫夫・塚本康正（ルネサス エレクトロニクス）・良田雄太・柴田 健・佐野聡明（ルネサス システムデザイン）・田中信二・新居浩二（ルネサス エレクトロニクス） EMD2016-86 MR2016-58 SCE2016-64 EID2016-65 ED2016-129 CPM2016-130 SDM2016-129 ICD2016-117 OME2016-98 |
6TシングルポートSRAMセルとダブルポンピング回路を用いて、2-read/write (2RW)機能を実現した擬似2R... [more] | EMD2016-86 MR2016-58 SCE2016-64 EID2016-65 ED2016-129 CPM2016-130 SDM2016-129 ICD2016-117 OME2016-98 pp.87-92 |
| SDM | 2016-10-26 15:30 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［招待講演］超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらつきを抑制する基板バイアス制御技術 ○槇山秀樹・山本芳樹・長谷川拓実・岡西 忍・前川径一・新川田裕樹・蒲原史朗・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス）・杉井信之（日立）・石橋孝一郎（電通大）・水谷朋子・平本俊郎（東大） SDM2016-71 |
薄膜BOX-SOI(SOTB)デバイスのように低ばらつきのトランジスタは動作電圧の低減に有効である。しかし、超低電圧領域... [more] | SDM2016-71 pp.15-20 |
| SDM | 2016-10-26 16:10 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［招待講演］基板バイアス技術を用いたSOTB 2Mbit SRAMの超低電圧動作 ○山本芳樹・槇山秀樹・長谷川拓実・岡西 忍・前川径一・新川田裕樹・蒲原史朗・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス）・杉井信之（日立）・水谷朋子・平本俊郎（東大） SDM2016-72 |
薄膜BOX-SOI (SOTB: Silicon on Thin Buried oxide)を用いた6T-SRAMの超低... [more] | SDM2016-72 pp.21-25 |
| ICD | 2016-04-14 10:10 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］低消費電力MCU向け40-nm 4-Mb組込みSRAMを用いた効率的なスクリーニング手法 ○良田雄太（ルネサス システムデザイン）・横山佳巧・石井雄一郎（ルネサス エレクトロニクス）・稲田敏浩・田中浩司・田中美紀・辻橋良樹（ルネサス システムデザイン）・新居浩二（ルネサス エレクトロニクス） ICD2016-1 |
低消費マイコン(MCU)向けに、効率的なテストスクリーニング回路を搭載した組込みシングルポートSRAMを開発した。室温で... [more] | ICD2016-1 pp.1-6 |
| ICD | 2016-04-15 10:55 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］車載向け高温Tj=175℃書換え1億回以上、エネルギー0.07mJ/8kBの90nm 1T-MONOS eFlashの開発 ○中西 悟・三谷秀徳・松原 謙・吉田 浩・河野隆司・帯刀恭彦・伊藤 孝・倉藤 崇・野口健二・日高秀人・山内忠明（ルネサス エレクトロニクス） ICD2016-15 |
車載用途のフラッシュメモリを混載したマイコン向けに、90nmプロセスの1T-MONOS構造を採用した混載用フラッシュマク... [more] | ICD2016-15 pp.77-81 |
| SDM | 2016-01-28 14:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］最先端テクノロジノードにおける2RWデュアルポートSRAM設計事例 ○新居浩二・薮内 誠（ルネサス エレクトロニクス）・横山佳巧（ルネサス システムデザイン）・石井雄一郎・岡垣 健・森本薫夫・塚本康正（ルネサス エレクトロニクス）・田中浩司・田中美紀（ルネサス システムデザイン）・田中信二（ルネサス エレクトロニクス） SDM2015-125 |
[more] | SDM2015-125 pp.21-25 |
| RCC, ITS, WBS (共催) |
2015-12-18 14:50 |
沖縄 | 沖縄産業支援センター | 歩行者を意識したITS高度化のためのセキュアな歩行者属性メッセージの認証方式 ○溝口誠一郎（KDDI研）・押田大介・高木久考（ルネサス エレクトロニクス）・川端秀明・竹森敬祐・窪田 歩（KDDI研） WBS2015-78 ITS2015-50 RCC2015-80 |
ITSにおいて，子供・お年寄り・怪我人といった歩行者の属性を基に高度な制御を行うサービスを提供する場合，これらの属性自体... [more] | WBS2015-78 ITS2015-50 RCC2015-80 pp.221-226 |
| SDM, ICD (共催) |
2015-08-24 15:50 |
熊本 | 熊本市 | 16nm FinFETの容量解析と性能・面積検討 ○岡垣 健・渋谷宏治・森本薫夫・塚本康正・新居浩二・小野沢和徳（REL） SDM2015-64 ICD2015-33 |
[more] | SDM2015-64 ICD2015-33 pp.37-40 |
| IN, NV (併催) |
2015-07-17 10:40 |
北海道 | 北海道大学 | 幅広かつ疎な処理規則に適応可能な省電力検索ハードウェアの実装と評価 ○遠藤景子・名和雅実・阿多信吾（阪市大）・矢野祐二・黒田泰斗（ルネサス エレクトロニクス）・岩本 久（REVSONIC）・井上一成（奈良高専/阪大）・岡 育生（阪市大） IN2015-33 |
テーブルの高速検索を行うために TCAM (Ternary Content Addressable Memory) が検... [more] | IN2015-33 pp.61-66 |
| ICD | 2015-04-16 13:00 |
長野 | 信州大学 | ［依頼講演］20nmプロセスにおける高密度SRAMのワード線調整アシスト回路システム ○藪内 誠・塚本康正・森本薫夫・田中美紀・新居浩二（ルネサス エレクトロニクス） ICD2015-1 |
[more] | ICD2015-1 pp.1-4 |
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