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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ICD, SDM (共催) |
2009-07-16 15:50 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 | 微細High-k/メタルゲートデバイスにおけるキャリア移動度とTinvスケーリングの関係および22nmノードに向けたデバイス設計ガイドライン 後藤正和・○川中 繁・犬宮誠治・楠 直樹・齋藤真澄・辰村光介・木下敦寛・稲葉 聡・豊島義明（東芝）  SDM2009-107 ICD2009-23 |
Tinvスケーリングとチャネル内キャリア移動度劣化のトレードオフに関し、極微細MOSFETを用いた実験データに基づき解析... [more] | SDM2009-107 ICD2009-23 pp.53-56 |
| ICD, ITE-IST (共催) |
2008-10-23 11:10 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館3F | ［招待講演］MOSFETのスケーリングとアナログ/RF特性 ～ 微細MOSはアナログ/RFにとって味方なのか ～ ○大黒達也（東芝） ICD2008-74 |
MOSFETの微細化によってデジタル回路の高速化や高周波用回路を実現してきた。最近、特性向上のために ゲートの微細化だけ... [more] | ICD2008-74 pp.89-94 |
| ICD, CPM (共催) |
2005-09-09 10:55 |
東京 | 機械振興会館 | 非鉛バンププロセスの高性能化 ○江澤弘和・瀬戸雅晴・樋口和人（東芝） |
[more] | CPM2005-99 ICD2005-109 pp.17-22 |
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