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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2008-06-10 10:30 |
東京 | 東京大学(生産研 An棟) | Ru/HfSiONゲートスタックのバックサイドX線光電子分光分析 ～ Ruの実効仕事関数変化の起源 ～ ○森 大樹・大田晃生・吉永博路・宮崎誠一（広島大）・門島 勝・奈良安雄（半導体先端テクノロジーズ）  SDM2008-50 |
厚さ1~6nmのSiO2もしくは厚さ0.7nmのSiON上に、~2.5nmのHfSiONを形成後、仕事関数制御メタルとし... [more] | SDM2008-50 pp.47-52 |
| SDM | 2008-06-10 11:20 |
東京 | 東京大学(生産研 An棟) | TiAlN/HfSiONゲートスタックにおけるX線光電子分光分析 ～ Al拡散による実効仕事関数変化の緩和 ～ ○大田晃生・森 大樹・吉永博路・宮崎誠一（広島大）・門島 勝・奈良安雄（半導体先端テクノロジーズ） SDM2008-52 |
厚さ~2.5nmのHfSiON膜をSiO2(~1nm)/Si(100)上に形成後、仕事関数制御メタルとして厚さ~30nm... [more] | SDM2008-52 pp.59-64 |
| LQE | 2007-12-07 13:25 |
東京 | 機械振興会館 地下3階6号室 | ［招待講演］LSIオンチップ光配線技術 ○西 研一・大橋啓之（MIRAI-Selete/NEC） LQE2007-118 |
LSIのオンチップでの光配線技術は，将来のLSIにおける電気配線での課題を解決可能な技術として期待されるものである．光素... [more] | LQE2007-118 pp.27-32 |
| ICD, SDM (共催) |
2007-08-24 13:00 |
北海道 | 北見工業大学 | ［特別招待講演］日本が目指すナノエレクトロニクス大国 ○渡辺久恒（半導体先端テクノロジーズ） SDM2007-162 ICD2007-90 |
[more] | SDM2007-162 ICD2007-90 p.117 |
| SDM | 2007-06-08 10:30 |
広島 | 広島大学（学士会館） | HfSiOxのBTIに対する窒素添加効果 ○田村知大・内藤達也（筑波大）・佐藤基之・犬宮誠治（半導体先端テクノロジーズ）・蓮沼 隆・山部紀久夫（筑波大） SDM2007-42 |
電圧ストレス下におけるHfSiOx膜およびHfSiON膜のしきい値電圧変化を評価した。その結果、しきい値電圧の変化を-Δ... [more] | SDM2007-42 pp.59-64 |
| SDM | 2006-06-21 14:55 |
広島 | 広島大学, 学士会館 | 低速陽電子ビームを用いたhigh-kゲート絶縁膜の空隙の評価 ○上殿明良・大塚 崇・伊東健一・白石賢二・山部紀久夫（筑波大）・宮崎誠一（広島大）・梅澤直人・知京豊裕（物質・材料研究機構）・大平俊行・鈴木良一（産総研）・犬宮誠治・神山 聡（半導体先端テクノロジーズ）・赤坂泰志（東京エレクトロン）・奈良安雄（半導体先端テクノロジーズ）・山田啓作（早大） |
[more] | SDM2006-46 pp.25-30 |
| SDM | 2006-06-21 16:00 |
広島 | 広島大学, 学士会館 | 金属電極/High-k絶縁膜キャパシタのフラットバンド電圧特性に与える仕事関数変調及び熱処理の影響 ○大毛利健治（物質・材料研究機構）・Parhat Ahmet（東工大）・白石賢二（筑波大）・渡部平司（阪大）・赤坂泰志（半導体先端テクノロジーズ）・山部紀久雄（筑波大）・吉武道子（物質・材料研究機構）・K. S. Chang・M. L. Green（NIST）・奈良安雄（半導体先端テクノロジーズ）・山田啓作（早大）・知京豊裕（物質・材料研究機構） |
[more] | SDM2006-48 pp.37-41 |
| SDM | 2006-06-22 13:10 |
広島 | 広島大学, 学士会館 | 酸素雰囲気アニール中のHfO2/SiO2/Si(001)界面反応の高分解能RBS観察 趙 明・○中嶋 薫・鈴木基史・木村健二（京大）・植松真司（NTT）・鳥居和功・神山 聡・奈良安雄（半導体先端テクノロジーズ）・山田啓作（早大） |
[more] | SDM2006-59 pp.99-102 |
| SDM | 2006-06-22 14:40 |
広島 | 広島大学, 学士会館 | HfSiON膜電気特性の窒素濃度依存性 ○蓮沼 隆・内藤達也（筑波大）・犬宮誠治（半導体先端テクノロジーズ）・山部紀久夫（筑波大） |
[more] | SDM2006-62 pp.113-117 |
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