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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, ICD (共催) |
2011-08-26 09:00 |
富山 | 富山県民会館 | Takeuchiプロットを用いたHigh-k/Metal-Gate MOSFETのばらつき評価 ○水谷朋子・Anil Kumar（東大）・西田彰男・竹内 潔・稲葉 聡・蒲原史朗（MIRAI-Selete）・寺田和夫（広島市大）・最上 徹（MIRAI-Selete）・平本俊郎（東大/MIRAI-Selete）  SDM2011-83 ICD2011-51 |
[more] | SDM2011-83 ICD2011-51 pp.65-68 |
| SDM, ICD (共催) |
2011-08-26 09:25 |
富山 | 富山県民会館 | 微細MOSトランジスタにおけるDIBLおよび電流立上り電圧ばらつきの統計解析 ○Anil Kumar・水谷朋子（東大）・西田彰男・竹内 潔・稲葉 聡・蒲原史朗（MIRAI-Selete）・寺田和夫（広島市大）・最上 徹（MIRAI-Selete）・平本俊郎（東大/MIRAI-Selete） SDM2011-84 ICD2011-52 |
[more] | SDM2011-84 ICD2011-52 pp.69-73 |
| ICD, ITE-IST (連催) |
2011-07-22 10:25 |
広島 | 広島工業大学 | アナログ基本回路における基板雑音感度の解析法 ○高谷 聡・坂東要志（神戸大）・大川 徹・早田征明・宝本敏治・山田利夫・熊代成孝・最上 徹（MIRAI-Selete）・永田 真（神戸大） ICD2011-28 |
アナログ回路の基板雑音応答は、雑音の発生源から対象回路までの基板伝播と、回路を構成するデバイスの感度とで構成されており、... [more] | ICD2011-28 pp.73-78 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM (連催) ICD, CPM (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2010-11-29 11:20 |
福岡 | 九州大学医学部百年講堂 | アナログ基本回路の基板雑音感度に関する考察 ○高谷 聡・坂東要志・長谷川貴士（神戸大）・大川 徹・早田征明・宝本敏治・山田利夫・熊代成孝・最上 徹（半導体先端テクノロジーズ）・永田 真（神戸大） CPM2010-126 ICD2010-85 |
アナログ増幅回路における信号利得と基板ノイズ応答のその場評価システムを90 nm CMOSテクノロジで試作し、ジオメトリ... [more] | CPM2010-126 ICD2010-85 pp.13-17 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM (連催) ICD, CPM (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2010-11-29 14:10 |
福岡 | 九州大学医学部百年講堂 | ［招待講演］LSIチップ光配線開発の現状と課題 ○大橋啓之（MIRAI-Selete/NEC）・最上 徹（MIRAI-Selete） CPM2010-129 ICD2010-88 |
LSIチップ上への光配線技術導入は，シグナルインテグリティおよびピン数問題に対する優れた回答になる可能性を持っている．課... [more] | CPM2010-129 ICD2010-88 pp.31-36 |
| SDM | 2010-11-12 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | インバータセルにおけるSingle-Event-Transientパルス発生のモデリング ○田中克彦・中村英之・上村大樹・竹内 幹・福田寿一・熊代成孝・最上 徹（MIRAI-Selete） SDM2010-180 |
宇宙線中性子起因の二次イオンが発生させた電荷によって生じたエラー信号パルスが組み合わせ回路中を伝播する Single E... [more] | SDM2010-180 pp.47-52 |
| ICD, SDM (共催) |
2010-08-27 13:20 |
北海道 | 札幌エルプラザ内男女共同参画センター | DMA TEGによるSRAMのスタティックノイズマージンの直接測定と解析 ○平本俊郎・鈴木 誠・更屋拓哉・清水 健（東大）・西田彰男・蒲原史朗・竹内 潔・最上 徹（MIRAI-Selete） SDM2010-144 ICD2010-59 |
[more] | SDM2010-144 ICD2010-59 pp.111-114 |
| ICD, SDM (共催) |
2010-08-27 16:00 |
北海道 | 札幌エルプラザ内男女共同参画センター | 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析 ○水谷朋子（東大）・角村貴昭（MIRAI-Selete）・Anil Kumar（東大）・西田彰男・竹内 潔・稲葉 聡・蒲原史朗（MIRAI-Selete）・寺田和夫（広島市大）・最上 徹（MIRAI-Selete）・平本俊郎（東大/MIRAI-Selete） SDM2010-150 ICD2010-65 |
大規模DMA-TEGにより65nm技術で作製したMOSトランジスタの電流ばらつきを測定し、電流ばらつきがしきい値電圧ばら... [more] | SDM2010-150 ICD2010-65 pp.143-148 |
| ICD, ITE-IST (連催) |
2010-07-22 10:20 |
大阪 | 常翔学園大阪センター | 90 nm CMOS差動対トランジスタのVthとAC応答のその場評価 ○坂東要志・高谷 聡・長谷川貴士（神戸大）・大川 徹・早田征明・宝本敏治・山田利夫・熊代成孝・最上 徹（半導体先端テクノロジーズ）・永田 真（神戸大） ICD2010-23 |
[more] | ICD2010-23 pp.11-14 |
| SDM | 2010-02-05 11:20 |
東京 | 機械振興会館 | EUVリソグラフィーを用いた70nmピッチCu/ポーラス低誘電率膜デュアルダマシンインテグレーションの基礎検討 ○中村直文・小田典明・曽田栄一・細井信基・側瀬聡文・青山 肇・田中雄介・河村大輔・隣 真一・塩原守雄・垂水喜明・近藤誠一・森 一朗・斎藤修一（半導体先端テクノロジーズ） SDM2009-184 |
本報告においては、EUVリソグラフィーを用いた70nmピッチ2層デュアルダマシン構造の作製を行い、電気特性の評価を行った... [more] | SDM2009-184 pp.13-18 |
| SDM | 2009-11-12 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］2009 SISPADレビュー ○田中克彦（MIRAI-Selete） SDM2009-136 |
2009 International Conference on Simulation of Semiconductor... [more] | SDM2009-136 pp.7-11 |
| SDM | 2009-11-13 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］微細MOSデバイスにおけるランダムばらつき ○竹内 潔（MIRAI-Selete/NECエレクトロニクス）・西田彰男（MIRAI-Selete）・平本俊郎（MIRAI-Selete/東大） SDM2009-147 |
[more] | SDM2009-147 pp.67-71 |
| SDM | 2009-11-13 15:00 |
東京 | 機械振興会館 | チャネル不純物分布を正確に反映した離散化表面ポテンシャルモデルとその超高速不純物濃度ばらつき解析への応用 ○坂本浩則・有本 宏・増田弘生・船山 敏・熊代成孝（MIRAI-Selete） SDM2009-148 |
[more] | SDM2009-148 pp.73-78 |
| SDM | 2009-06-19 15:10 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | 低しきい値pMISFETに向けたAl2O3を堆積させたHfO2ゲート絶縁膜のアニールプロセスの検討 ○諸岡 哲・松木武雄・三瀬信行・神山 聡・生田目俊秀・栄森貴尚・奈良安雄・由上二郎・池田和人・大路 譲（半導体先端テクノロジーズ） SDM2009-38 |
Al2O3/HfO2/SiON構造ゲート絶縁膜を形成するためのアニールプロセスとVfb, EOT及びVtバラツキとの関係... [more] | SDM2009-38 pp.67-70 |
| OPE | 2008-12-19 14:55 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］オンチップ光配線開発の動向 ○大橋啓之（NEC/MIRAI-Selete） OPE2008-140 |
LSIにおいては、トランジスタの微細化に伴いゲート遅延が短縮される一方で、信号の高周波化および配線の微細・複雑化に伴い配... [more] | OPE2008-140 pp.23-24 |
| SDM | 2008-12-05 13:15 |
京都 | 京都大学桂キャンパスA1-001 | ［招待講演］金属電極とハフニウム系高誘電率ゲート絶縁膜界面の実効仕事関数変調機構 ○渡部平司・喜多祐起・細井卓治・志村考功（阪大）・白石賢二（筑波大）・奈良安雄（半導体先端テクノロジーズ）・山田啓作（早大） SDM2008-188 |
[more] | SDM2008-188 pp.21-25 |
| LQE, CPM, EMD, OPE (共催) |
2008-08-28 11:25 |
宮城 | 東北大学 | AD法によるEO/MO材料を用いた小型高速光素子 ○中田正文（NEC/MIRAI-Selete）・清水隆徳（MIRAI-Selete）・岩波瑞樹（NEC）・大橋啓之（NEC/MIRAI-Selete）・津田弘樹・明渡 純（産総研） EMD2008-34 CPM2008-49 OPE2008-64 LQE2008-33 |
微細結晶粒の再配列により膜を形成するエアロゾルデポジション（AD）法は、原子レベルから膜を形成する従来のスパッタ法などと... [more] | EMD2008-34 CPM2008-49 OPE2008-64 LQE2008-33 pp.11-14 |
| ICD, SDM (共催) |
2008-07-17 09:00 |
東京 | 機械振興会館 | (100), (110)基板上High-k/MetalゲートpMOSFETsのNBTIと1/fノイズ特性の相違に関する考察 ○佐藤基之・杉田義博・青山敬幸・奈良安雄・大路 譲（半導体先端テクノロジーズ） SDM2008-128 ICD2008-38 |
(110) 基板は(100) 基板上と比較して正孔の有効質量が実効的に小さいことから大きな正孔移動度が得られる。しかしな... [more] | SDM2008-128 ICD2008-38 pp.1-6 |
| ICD, SDM (共催) |
2008-07-17 14:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［特別講演］微細トランジスタにおける特性ばらつきの現状と将来動向 ○平本俊郎（東大/MIRAI-Selete）・竹内 潔・角村貴昭（MIRAI-Selete）・Arifin T.P.（東大）・西田彰男・蒲原史朗（MIRAI-Selete） SDM2008-135 ICD2008-45 |
微細トランジスタの特性ばらつきは，半導体技術のおける最大の問題の一つである．最先端の65nm技術におけるトランジスタの特... [more] | SDM2008-135 ICD2008-45 pp.41-46 |
| ICD, SDM (共催) |
2008-07-18 14:40 |
東京 | 機械振興会館 | FSP-FLA(Flexibly-Shaped-Pulse FLA)による極浅接合形成とメタル/高誘電率絶縁膜デバイス特性の改善 ○鬼沢 岳・加藤慎一・青山敬幸・奈良安雄・大路 譲（半導体先端テクノロジーズ） SDM2008-146 ICD2008-56 |
自由にパルス形状を変えることの出来るフラッシュランプアニール技術(FSP-FLA: Flexibly-Shaped-Pu... [more] | SDM2008-146 ICD2008-56 pp.103-108 |
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