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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2007-03-15
13:05
東京 機械振興会館 五酸化タンタル界面層の形成による相変化メモリの書換えの低電力化
松井裕一黒土健三外村 修森川貴博木下勝治藤崎芳久松崎 望半澤 悟寺尾元康高浦則克守谷浩志岩崎富生日立)・茂庭昌弘古賀 剛ルネサステクノロジ
相変化メモリの低電力書換えを実現する革新的なメモリセルを開発した。GeSbTe(GST)とWプラグの間に極薄のTa2O5... [more] SDM2006-254
pp.1-6
ICD, ITE-CE
(共催)
2006-12-15
12:05
広島 (財)広島産業振興機構 広島県情報プラザ マルチプルCAMマッチとアダプティブテーブル最適化を利用するリアルタイムハフマン符号化アーキテクチャ
石崎雅勝熊木武志幸野 豊田上正治小出哲士マタウシュ ハンス ユルゲン広島大)・黒田泰斗行天隆幸野田英行堂阪勝己有本和民齊藤和則ルネサステクノロジ
 [more] ICD2006-165
pp.125-130
MW 2006-11-22
11:35
福岡 早稲田大(北九州市) 5GHz帯CMOS ソース接地FET切替形多段カスコード可変利得ドライバ増幅器
上田博民森 一富下沢充弘三菱電機)・矢ヶ崎知海矢萩孝一ルネサステクノロジ)・末松憲治三菱電機
 [more] MW2006-143
pp.63-66
ICD, SDM
(共催)
2006-08-18
12:05
北海道 北海道大学 超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発
今岡 進ルネサスデザイン)・新居浩二ルネサステクノロジ)・増田康浩ルネサスデザイン)・薮内 誠塚本康正大林茂樹五十嵐元繁冨田和朗坪井信生牧野博之石橋孝一郎篠原尋史ルネサステクノロジ
65nmテクノロジを適用した高密度の8T-dual-port(DP)-SRAMを開発した。プライオリティー行デコーダとビ... [more] SDM2006-148 ICD2006-102
pp.133-136
ICD, SDM
(共催)
2006-08-18
14:35
北海道 北海道大学 65nm混載SRAMでの動作マージン改善回路
薮内 誠大林茂樹新居浩二塚本康正ルネサステクノロジ)・今岡 進ルネサスデザイン)・五十嵐元繁竹内雅彦川島 光牧野博之山口泰男塚本和宏犬石昌秀石橋孝一郎篠原尋史ルネサステクノロジ
 [more] SDM2006-151 ICD2006-105
pp.149-153
ICD 2006-04-14
14:45
大分 大分大学 マイコン搭載フラッシュメモリモジュールの内蔵電源システム
石川次郎田中利広加藤 章山木貴志梅本由紀子下里 健中村 功品川 裕ルネサステクノロジ
マイコン搭載フラッシュメモリモジュールの内蔵電源システムを開発した.フラッシュメモリの書換え(P/E)回数を向上させるた... [more] ICD2006-20
pp.109-113
ICD, VLD
(共催)
2006-03-10
15:35
沖縄 メルパルク沖縄 ワースト条件をなくした低電圧SoC向けオンチップPVT制御システムの提案
行天隆幸森下 玄ルネサステクノロジ)・岡本真子大王電機)・堂阪勝己有本和民ルネサステクノロジ
本稿では,オンチップで低電圧時にワースト条件でのマージンを持たせた新しいPVT制御システムとして、AVM(Adaptiv... [more] VLD2005-132 ICD2005-249
pp.61-66
CAS, SIP, CS
(共催)
2006-03-06
15:30
沖縄 琉球大学 メモリバスSystemCモデルを用いたバスのバッファ評価
石田耕三小野みどり遠山 治三菱電機)・影本哲哉小山雅行ルネサステクノロジ)・細谷史郎三菱電機
 [more] CAS2005-116 SIP2005-162 CS2005-109
pp.117-121
ICD, ITE-CE
(共催)
2006-01-27
11:15
東京 機械振興会館 Wide Band 3D Y/C Separation Circuit for PAL System with Reduced Memory Size
Toshihiro GaiMasaki YamakawaMitsubishi Electric)・Sohichiroh HigashiMitsubishi Electric Micro-computer Application Software)・Tsuyoshi InoueRenesas Technology
アナログTV信号から輝度信号と色信号を分離するY/C分離回路において、27MHz固定クロックによるPAL方式3次元Y/C... [more] ICD2005-217
pp.13-15
SIP, ICD, IE, IPSJ-SLDM
(共催)
2005-10-20
16:30
宮城 作並温泉一の坊 SOIを用いたキャパシタレス・ツイントランジスタRAM (TTRAM)
行天隆幸森下 玄野田英行ルネサステクノロジ)・岡本真子大王電機)・一法師隆志前川繁登堂阪勝己有本和民ルネサステクノロジ
本稿では,SOIを用いた新規のメモリとして,キャパシタレス・ツインセルトランジスタRAM(TTRAM)を提案する。提案す... [more] SIP2005-113 ICD2005-132 IE2005-77
pp.107-112
EMCJ 2005-09-09
09:30
京都 京都大学吉田キャンパス 短波帯を利用する電力線搬送装置に起因する漏洩電界強度の測定
久保田 仁三菱電機)・大垣健二ルネサステクノロジ
現在450kHz以下に制限されている電力線搬送で使用可能な周波数を拡大することの是非が検討されている。
2MHz~9M... [more]
EMCJ2005-66
pp.43-47
EMCJ 2004-12-10
16:15
愛知 名古屋工業大学 基板解析への応用に向けたLSIイミュニティ評価法の検討
市川浩司櫻井礼彦稲垣正史松井 武デンソー)・馬淵雄一日立)・中村 篤林 亨ルネサステクノロジ
自動車向け電子制御装置(以下、車載電子機器)のイミュニティ解析の実現に向けて検討を行った。イミュニティ試験法の一つである... [more] EMCJ2004-115
pp.77-82
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