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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
VLD 2008-09-29
13:30
石川 金沢商工会議所会館 [招待講演]エラー検出FFを用いたDVSにおけるShort Path PenaltyとOR-Tree Latencyの低減手法
栗本昌憲鈴木弘明ルネサステクノロジ)・秋山 励山中唯生大熊晴之ルネサスデザイン)・高田英裕篠原尋史ルネサステクノロジVLD2008-47
 [more] VLD2008-47
pp.1-6
ICD, SDM
(共催)
2008-07-17
10:30
東京 機械振興会館 プロセスばらつきや温度耐性を向上した45nm SoC向け混載SRAM
薮内 誠新居浩二塚本康正大林茂樹今岡 進ルネサステクノロジ)・山上由展石倉 聡寺野登志夫里見勝治赤松寛範松下電器)・篠原尋文ルネサステクノロジSDM2008-131 ICD2008-41
微細化によるランダムばらつき増大によって、SRAMの動作マージンが減少している。これを改善するために、抵抗型リードアシス... [more] SDM2008-131 ICD2008-41
pp.17-22
ICD, ITE-IST
(共催)
2007-07-27
11:10
兵庫 神戸大学瀧川記念学術交流会館 磁界結合パルス伝送方式によるLSIロジックモニター用のフレキシブル高速無線インターフェース
石黒仁揮慶大)・菅原俊彦高畑洋一ルネサスソリューションズ)・岩田俊一ルネサステクノロジ)・滝川 浩ルネサスデザイン)・黒田忠広慶大ICD2007-60
磁界結合パルス伝送方式を用いて、LSIパッケージに封止されたチップの動作を外部からモニターできる着脱可能な高速無線インタ... [more] ICD2007-60
pp.135-140
ICD 2007-04-13
09:40
大分 大分県・湯布院・七色の風 [招待講演]A 65 nm Embedded SRAM with Wafer Level Burn-In Mode, Leak-Bit Redundancy and E-trim Fuse for Known Good Die
Shigeki OhbayashiMakoto YabuuchiKazushi KonoRenesas Technology)・Yuji OdaShikino High-Tech)・Susumu ImaokaRenesas Design)・Keiichi UsuiDaioh Electric)・Toshiaki YonezuTakeshi IwamotoKoji NiiYasumasa TsukamotoMasashi ArakawaTakahiro UchidaHiroshi MakinoKoichiro IshibashiHirofumi ShinoharaRenesas TechnologyICD2007-11
 [more] ICD2007-11
pp.59-64
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