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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ICD | 2016-04-14 14:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］A Triple-Protection Structured COB FRAM with 1.2-V Operation and 1E17-Cycle Endurance ○齋藤 仁・中村 亘・小澤聡一郎・佐次田直也・三原 智・彦坂幸信・王 文生・堀 智之・高井一章・中澤光晴・小杉 騰・濱田 誠・川嶋将一郎・恵下 隆・松宮正人（FSL）  ICD2016-9 |
我々は低電圧1.2 V動作, 書き換え回数1E17 サイクルの強誘電体RAM(FRAM)を開発した。我々が新たに開発した... [more] | ICD2016-9 pp.45-49 |
| ICD, ITE-IST (連催) |
2013-07-04 10:55 |
北海道 | サン・リフレ函館 | ［招待講演］データ補間回路を用いた2-tap DFE付32Gb/sデータ受信器 ○土肥義康・柴崎崇之・檀上 匠・ウィン チャイヴィパース・橋田拓志（富士通研）・宮岡弘樹（富士通セミコンダクター）・星野正格（富士通マイクロソリューションズ）・小柳洋一（富士通研）・山本拓司（富士通米国研）・塚本三六・田村泰孝（富士通研） ICD2013-27 |
本論文では，プリント回路基板(PCB)上チップ間電気通信において，非同期サンプリングクロックを用いてサンプリングした電圧... [more] | ICD2013-27 pp.19-24 |
| ICD, ITE-IST (連催) |
2012-07-27 11:40 |
山形 | 山形大学米沢キャンパス | ［招待講演］90nm CMOSテクノロジを用いた3バンド対応W-CDMA用電力増幅器IC ○神田浩一（富士通研）・川野陽一・佐々木孝朗・白井徳明・田村哲朗・川井重明・工藤真大・村上智敏（富士通セミコンダクター）・中本裕之（富士通研）・長谷川延正・加納英樹（富士通セミコンダクター）・峰山亜希子・大石和明（富士通研）・島 昌司・田村直義（富士通セミコンダクター） ICD2012-28 |
[more] | ICD2012-28 pp.65-70 |
| SDM, ICD (共催) |
2011-08-25 11:15 |
富山 | 富山県民会館 | ［招待講演］強誘電体メモリ（FeRAM）の技術動向 ～ 2010とこれから ～ ○川嶋将一郎（富士通セミコンダクター） SDM2011-76 ICD2011-44 |
強誘電体は自発分極をもちこの方向を０と１の記憶に用いた不揮発性メモリが ＦｅＲＡＭである。強誘電体の例としてＰＺＴ（チ... [more] |
SDM2011-76 ICD2011-44 pp.29-34 |
| SANE | 2011-06-23 13:55 |
茨城 | JAXA筑波宇宙センター | ［招待講演］機能安全に基づくシステム設計 ○吉岡律夫（日本システム安全研） SANE2011-24 |
近年、機能安全規格IEC61508と各分野別規格に基づいて、広範な産業で機能安全設計が始まっている。これらの規格は、事故... [more] | SANE2011-24 pp.41-46 |
| ICD, SDM (共催) |
2010-08-27 10:15 |
北海道 | 札幌エルプラザ内男女共同参画センター | ［招待講演］実デバイス基板を用いたサブ10ミクロンの薄化技術の開発 ○前田展秀・金 永ソク（東大）・彦坂幸信・恵下 隆（富士通セミコンダクター）・北田秀樹・藤本興治（東大）・水島賢子（富士通研）・鈴木浩助（大日本印刷）・中村友二（富士通研）・川合章仁・荒井一尚（ディスコ）・大場隆之（東大） SDM2010-141 ICD2010-56 |
200mmおよび300mmのデバイスウェハーを10μm以下のレベルまで薄化した．裏面研削後にできる200nmの非結晶層は... [more] | SDM2010-141 ICD2010-56 pp.95-97 |
| RCS, AP, WBS, SR, MW, MoNA (併催) |
2006-03-02 10:15 |
神奈川 | YRP | ［招待講演］UWB導入のための周波数共用の考え方 ～ UWBスペクトルマスク規制値の差について ～ ○倉持雄三（フリースケール・セミコンダクタ・ジャパン） |
2002年２月のFCCによるUWBの認可以来、他の団体においてもUWBの法制化について検討が重ねられ、その出力規制レベル... [more] | WBS2005-77 SR2005-69 pp.19-24 |
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