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電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 前澤 宏一 (富山大)
副委員長 津田 邦男 (東芝)
幹事 松永 高治 (NEC), 鈴木 寿一 (北陸先端大)
幹事補佐 新井 学 (新日本無線), 東脇 正高 (NICT)

日時 2016年 1月20日(水) 10:30 - 16:20
議題 パワーデバイスおよび超高周波デバイス/マイクロ波一般 
会場名 機械振興会館 地下3階1号室 
交通案内 http://www.jspmi.or.jp/kaigishitsu/access.html

1月20日(水) 午前 
10:30 - 16:20
(1) 10:30-10:55 [依頼講演]SiC基板の評価技術とデバイス特性 北畠 真FUPET
(2) 10:55-11:20 [依頼講演]3.3kV耐圧SiC-MOSFETの低抵抗化技術と世界初鉄道車両用フルSiC適用インバータの実現 濱田憲治日野史郎三浦成久渡邊 寛中田修平末川英介海老池勇史今泉昌之梅嵜 勲山川 聡三菱電機
(3) 11:20-11:45 [依頼講演]酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術 東脇正高ワン マンホイ小西敬太NICT)・佐々木公平タムラ/NICT)・後藤 健タムラ/東京農工大)・野村一城ティユ クァン トゥ富樫理恵村上 尚熊谷義直Bo Monemar纐纈明伯東京農工大)・倉又朗人増井建和山腰茂伸タムラ
  11:45-13:30 休憩 ( 105分 )
(4) 13:30-13:55 [依頼講演]GaNパワーデバイスの特長とそれを活かす技術 中原 健近松健太郎山口敦司黒田尚孝ローム
(5) 13:55-14:20 [依頼講演]等価回路モデルを利用したレクテナRF-DC変換効率計算 ~ 大電力RFデバイスに適した半導体材料の検討 ~ 大石敏之嘉数 誠佐賀大
(6) 14:20-14:45 [依頼講演]GaNショットキーバリアダイオードとマイクロ波無線電力伝送 大野泰夫レーザーシステム
  14:45-15:05 休憩 ( 20分 )
(7) 15:05-15:30 [依頼講演]テラヘルツIC用InP HEMTの高fmax化 高橋 剛川野陽一牧山剛三芝 祥一中舍安宏原 直紀富士通研
(8) 15:30-15:55 GaN HEMTユニットセルにおけるミリ波発振の解析 渡辺伸介今井翔平桑田英悟小山英寿加茂宣卓山本佳嗣三菱電機
(9) 15:55-16:20 [依頼講演]高周波用GaN-HEMTの開発 川合貴久SEDI

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分
依頼講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 松永 高治(日本電気)
TEL:044-435-8348 Fax :044-455-8253
E-: k-fpc
鈴木 寿一(北陸先端科学技術大学院大学)
TEL : 0761-51-1441 Fax : 0761-51-1455
E- : sijaist 


Last modified: 2016-01-18 14:20:41


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