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電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 前澤 宏一 (富山大)
副委員長 津田 邦男 (東芝)
幹事 松永 高治 (NEC), 鈴木 寿一 (北陸先端大)
幹事補佐 新井 学 (新日本無線), 東脇 正高 (NICT)

電子部品・材料研究会(CPM) [schedule] [select]
専門委員長 野毛 悟 (沼津高専)
副委員長 廣瀬 文彦 (山形大)
幹事 小舘 淳一 (NTT), 岩田 展幸 (日大)
幹事補佐 坂本 尊 (NTT), 中村 雄一 (豊橋技科大)

シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 大野 裕三 (筑波大)
副委員長 国清 辰也 (ルネサス エレクトロニクス)
幹事 黒田 理人 (東北大)
幹事補佐 山口 直 (ルネサス エレクトロニクス)

日時 2016年 5月19日(木) 13:00 - 16:40
2016年 5月20日(金) 09:30 - 12:20
議題 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料)およびその他 
会場名 静岡大学 工学部 浜松キャンパス 総合研究棟 10F会議室 
住所 浜松市中区城北 3-5-1
交通案内 遠鉄バスのりば等 JR浜松駅前北口 バスターミナル15,16番のりばから 全路線 「静岡大学」下車 (所要時間約20分、1時間に10本程度運行)
http://hama.shizuoka.ac.jp/pages/access/
会場世話人
連絡先
工学部 電子物質科学コース 高野 泰

5月19日(木) 午後 
13:00 - 16:40
(1) 13:00-13:25 ドライ転写技術によるナノキャビティ上へのCVD単層グラフェンダイアフラムの製作 石田隼斗石田 誠豊橋技科大)・澤田和明高橋一浩豊橋技科大/豊橋技科大EIIRIS
(2) 13:25-13:50 熱化学気相成長法による合金基板上へのグラフェン合成 岸 直希岩間一樹水谷拓哉加藤慎也曽我哲夫名工大
(3) 13:50-14:15 ZnO nanostructures for the fabrication of photoanode towards energy applications Mani NavaneethanJayaram ArchanaSanthana HarishTadanobu KoyamaHiroya IkedaYasuhiro HayakawaShizuoka Univ.
(4) 14:15-14:40 ZnOナノ構造を用いたフレキシブル材料の熱電特性評価 和波雅也セルバラジ シャンティ鈴木悠平ベルスワミィ パンディヤラサン静岡大)・ファイズ サレマラヤ大)・下村 勝村上健司池田浩也静岡大
  14:40-15:00 休憩 ( 20分 )
(5) 15:00-15:25 絶縁ゲート型トランジスタに向けた絶縁体/窒化物半導体界面形成プロセスの検討 近藤佑隆篠原正俊彦坂朋輝馬場真人岡田 浩関口寛人山根啓輔若原昭浩豊橋技科大
(6) 15:25-15:50 ダイヤモンドショットキーバリアダイオードによるレクテナ回路の作製 河野直士嘉数 誠大石敏之佐賀大
(7) 15:50-16:15 パリレン薄膜を用いたアルミサブ波長格子によるプラズモニックカラーシートの製作 熊谷隼人豊橋技科大)・本間浩章豊橋技科大/学振)・石田 誠澤田和明豊橋技科大/豊橋技科大EIIRIS)・高橋一浩豊橋技科大
(8) 16:15-16:40 セリウム置換イットリウム鉄ガーネットを用いた近赤外波長域用磁性フォトニック結晶の形成に関する研究 吉本拓矢後藤太一高木宏幸中村雄一内田裕久井上光輝豊橋技科大
5月20日(金) 午前 
09:30 - 12:20
(9) 09:30-09:55 EDTAを錯化剤に用いた溶液成長法によるSnS薄膜堆積 神田祐作高野 泰石田明広静岡大
(10) 09:55-10:20 光化学堆積法による透明なp型半導体薄膜CuxZnySの熱処理 トン バインガルディ市村正也名工大
(11) 10:20-10:45 Evaluation of electrical properties of HfS2 thin flakes obtained by mechanical exfoliation Vikrant UpadhyayaToru KanazawaYasuyuki MiyamotoTokyoTech
  10:45-11:05 休憩 ( 20分 )
(12) 11:05-11:30 Si(111)-√3×√3-Ga表面相上へのGaSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長 下山浩哉・○森 雅之前澤宏一富山大
(13) 11:30-11:55 Gravity effect on the properties of InxGa1-xSb ternary alloys grown at the International Space Station Velu NirmalKumarShizuoka Univ)・Mukannan ArivanandhanAnna Univ)・Govindasamy RajeshTadanobu KoyamaYoshimi MomoseShizuoka Univ)・Kaoruho SakataUniv.Tokyo)・Tetsuo OzawaShizuoka Insti.Sci.&Tech.)・Yasunori OkanoOsakaUniv.)・Yuko InatomiJAXA)・Yasuhiro HayakawaShizuoka Univ
(14) 11:55-12:20 III-V/Siヘテロエピタキシーのための界面制御 山根啓輔関口寛人岡田 浩若原昭浩豊橋技科大

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 松永 高治(日本電気)
TEL:044-435-8348 Fax :044-455-8253
E-: k-fpc
鈴木 寿一(北陸先端科学技術大学院大学)
TEL : 0761-51-1441 Fax : 0761-51-1455
E- : sijaist 
CPM 電子部品・材料研究会(CPM)   [今後の予定はこちら]
問合先 中村 雄一 (豊橋技術科学大学)
TEL : 0532-44-6734 FAX : 0532-44-6757
e- : eetut 
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 黒田 理人(東北大)
Tel 022-795-4833 Fax 022-795-4834
E-: e3 


Last modified: 2016-03-23 10:38:10


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