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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 奈良 安雄
副委員長 大野 裕三 (筑波大)
幹事 笹子 佳孝 (日立)
幹事補佐 黒田 理人 (東北大)

日時 2013年12月13日(金) 09:00 - 18:00
議題 シリコン関連材料の作製と評価 
会場名 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 大講義室 
住所 奈良県生駒市高山町8916-5
交通案内 学研北生駒から徒歩20分またはバスで5分、高の原駅からバス20分
http://www.naist.jp/accessmap/index_j.html
会場世話人
連絡先
奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 浦岡行治
0743-72-6060
他の共催 ◆応用物理学会共催
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.
(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

12月13日(金) 午後 
09:00 - 18:00
(1) 09:00-09:20 パルス電圧ストレス下における酸化物TFTの発熱劣化解析 SDM2013-116 木瀬香保利奈良先端大)・苫井重和出光興産)・上岡義弘山崎はるか浦川 哲奈良先端大)・矢野公規出光興産)・Dapeng Wang古田 守高知工科大)・堀田昌宏石河泰明浦岡行治奈良先端大
(2) 09:20-09:40 高圧水蒸気処理を施したn-GaN上ALD-Al2O3ゲート絶縁膜の電気的特性 SDM2013-117 吉嗣晃治梅原智明堀田昌宏石河泰明浦岡行治奈良先端大
(3) 09:40-10:00 多結晶シリコン薄膜デバイスによるフォトセンサ SDM2013-118 大山翔平松村 篤門目尭之田中 匠松田時宜木村 睦龍谷大
(4) 10:00-10:20 インジウムを介したVapor-Liquid-Solid機構に基づくシリコンナノワイヤーの形成と評価 SDM2013-119 福永圭吾畑山智亮矢野裕司岡本尚文谷 あゆみ石河泰明冬木 隆奈良先端大
(5) 10:20-10:40 キャリア再結合抑制効果を持つ電界効果型薄膜太陽電池 SDM2013-120 若宮彰太小林孝裕松尾直人部家 彰兵庫県立大
(6) 10:40-11:00 レーザープロセスを用いたボロンドーピングによるn型単結晶シリコン太陽電池の作製 SDM2013-121 山本悠貴西村英紀岡村隆徳福永圭吾冬木 隆奈良先端大
(7) 11:00-11:20 リンドープのシリコンナノインクを用いたレーザードーピングによる単結晶シリコン太陽電池の作製 SDM2013-122 岡村隆徳西村英紀冬木 隆奈良先端大)・富澤由香池田吉紀帝人
(8) 11:20-11:40 Poly-Si TFTを用いたGate Arrayの設計開発 SDM2013-123 井上雅志松田時宜木村 睦龍谷大
(9) 11:40-12:00 スパッタリングより形成したAl2O3膜をゲート絶縁膜とするCLC低温poly-Si TFT SDM2013-124 目黒達也原 明人東北学院大
  12:00-13:00 休憩 ( 60分 )
(10) 13:00-13:30 [招待講演]BLDA(青色半導体ダイオードアニール)によるSi薄膜結晶化と応用 SDM2013-125 野口 隆岡田竜弥琉球大
(11) 13:30-13:50 軟X線照射による半導体薄膜の低温結晶化 ~ 光子エネルギー依存性とSiGe多層膜のTEM観察 ~ SDM2013-126 草壁 史丸山裕樹部家 彰松尾直人神田一浩望月孝晏兵庫県立大)・伊藤和博高橋 誠阪大
(12) 13:50-14:10 軟X線源を用いたSi中B原子の低温活性化技術の開発 SDM2013-127 部家 彰草壁 史丸山裕樹松尾直人神田一浩兵庫県立大)・野口 隆琉球大
(13) 14:10-14:40 [招待講演]抵抗変化メモリにおける動作特性制御法としての「細孔エンジニアリング」の提案 木下健太郎鳥取大/TEDREC)・長谷川 祥鳥取大
(14) 14:40-15:00 Cu/HfO2/Pt構造CB-RAMの動作特性に対する溶媒置換の影響 SDM2013-129 長谷川 祥榎本雄太郎片田直伸伊藤敏幸岸田 悟木下健太郎鳥取大
  15:00-15:10 休憩 ( 10分 )
(15) 15:10-15:40 [招待講演]グラフェン誘導体表面に構築したオンチップ型FRETアプタセンサ SDM2013-128 上野祐子古川一暁NTT
(16) 15:40-16:00 第一原理分子動力学法を用いたConducting-Bridge Memory (CB-RAM)における金属拡散機構の解明 由良 翔鳥取大)・山崎隆浩物質・材料研究機構)・中田謙吾石井 晃鳥取大)・岸田 悟木下健太郎鳥取大/TEDREC
(17) 16:00-16:20 遷移金属酸化物抵抗変化メモリのデータリテンション特性 吉原幹貴緒方涼介村山直寛鳥取大)・岸田 悟木下健太郎鳥取大/TEDREC
(18) 16:20-16:40 誘電体厚膜の形成とプロトンビームによる直接パターニング SDM2013-130 渡辺和貴山口正樹西川宏之芝浦工大
(19) 16:40-17:00 長方形断面Geナノワイヤの電子移動度の断面形状およびサイズ依存性 SDM2013-131 田中 一森 誠悟森岡直也須田 淳木本恒暢京大
(20) 17:00-17:20 界面にリンおよび窒素を導入した4H-SiC MOSFETのしきい値電圧不安定性の考察 SDM2013-132 金藤夏子矢野裕司大澤 愛畑山智亮冬木 隆奈良先端大
(21) 17:20-17:40 コンダクタンス法を用いた面方位の異なるSiC MOS構造の界面準位の評価 SDM2013-133 中澤成哉南園悠一郎須田 淳木本恒暢京大
(22) 17:40-18:00 三フッ化塩素(ClF3)を用いた炭化珪素(SiC)表面の形状変化 SDM2013-134 堀 良太畑山智亮矢野裕司冬木 隆奈良先端大

講演時間
一般講演(20)発表 15 分 + 質疑応答 5 分
招待講演(30)発表 25 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 小野 行徳(NTT)
Tel 046-240-2641 Fax 046-240-4317
E-: o 


Last modified: 2013-11-30 22:00:50


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