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集積回路研究会(ICD)
[schedule]
[select]
専門委員長
松澤 昭 (東工大)
副委員長
内山 邦男 (日立)
幹事
相本 代志治 (NECエレクトロニクス), 永田 真 (神戸大)
幹事補佐
藤島 実 (東大), 広瀬 佳生 (富士通研)
日時
2008年 4月17日(木) 09:25 - 17:00
2008年 4月18日(金) 10:00 - 16:35
議題
メモリ技術(DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリー)
会場名
機会振興会館地下3階研修1号室
住所
東京都港区芝公園3丁目5番8号
交通案内
東京メトロ日比谷線神谷町駅下車 徒歩8分、都営地下鉄三田線御成門駅下車 徒歩8分
http://www.jspmi.or.jp/
お知らせ
◎4月17日(金)研究会終了後,懇親会を予定していますので御参加ください.
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
4月17日(木) 午前
09:25 - 17:00
(1)
09:25-10:15
[招待講演]
非対称ユニットβレシオセルを用いた0.7V,1GHz動作45nm SRAMマクロ
ICD2008-1
○
佐々木貴彦
・
川澄 篤
・
矢部友章
・
武山泰久
・
平林 修
・
櫛田桂一
(
東芝
)・
東畑晃史
(
東芝マイクロエレクトロニクス
)・
片山 明
・
深野 剛
・
藤村勇樹
・
大塚伸朗
(
東芝
)
(2)
10:15-11:05
[招待講演]
NMOSおよびPMOSの基板バイアスを個別制御した65nm SRAM
ICD2008-2
○
山岡雅直
(
日立
)・
前田徳章
・
島崎靖久
(
ルネサステクノロジ
)・
長田健一
(
日立
)
11:05-11:15
休憩 ( 10分 )
(3)
11:15-12:05
[招待講演]
833MHz周波数動作グラフィックス用途向け疑似2ポートeDRAM
ICD2008-3
○
加来真理子
・
岩井 斎
・
永井 健
・
和田政春
・
鈴木 淳
・
高井智久
・
糸賀尚子
・
宮崎隆行
・
岩井隆之
(
東芝
)・
竹中博幸
(
東芝マイクロエレクトロニクス
)・
北城岳彦
・
宮野信治
・
大塚伸朗
(
東芝
)
12:05-13:05
昼食 ( 60分 )
(4)
13:05-13:55
[招待講演]
コンシューマエレクトロニクス向け混載DRAM技術
ICD2008-4
○
白井浩樹
・
石川亮佑
・
伊藤雄一
・
北村卓也
・
竹内麻美
・
佐甲 隆
・
井上 顕
・
川崎 澄
・
勝木信幸
・
星崎博之
・
桑原愼一
・
夏目秀隆
・
坂尾眞人
・
谷川高穂
(
NECエレクトロニクス
)
(5)
13:55-14:20
43nmCMOS技術を用いた120mm2 16Gb多値NANDフラッシュメモリの開発
ICD2008-5
○
中村 大
・
神田和重
・
小柳 勝
・
山村俊雄
・
細野浩司
・
吉原正浩
(
東芝
)・
三輪 達
・
加藤洋介
(
サンディスク
)・
Alex Mak
・
Siu Lung Chan
・
Frank Tsai
・
Raul Cernea
・
Binh Le
(
サンディスクコーポレーション
)・
牧野英一
・
平 隆志
(
東芝
)
(6)
14:20-15:10
[招待講演]
SSD動向とNANDフラッシュメモリ
ICD2008-6
○
竹内 健
(
東大
)
15:10-15:20
休憩 ( 10分 )
(7)
15:20-17:00
[パネル討論]
大容量フラッシュメモリの可能性を探る ~ 進行するフラッシュ革命のインパクト ~
ICD2008-7
○
梶谷一彦
(
エルピーダメモリ
)・
篠崎直治
(
Spansion
)・
柿原俊男
(
日立グローバルストレージテクノロジーズ
)・
神田和重
(
東芝
)・
小林三千夫
(
Spansion
)・
佐圓 真
(
日立
)・
杉林直彦
(
NEC
)・
竹内 健
(
東大
)・
塚澤寿夫
(
東芝
)
4月18日(金) 午前
10:00 - 16:35
(8)
10:00-10:25
2ポートアンチヒューズセルを格子状に配置した65nm Pure CMOSプロセスで搭載可能なOne-time Programmableメモリ
ICD2008-8
○
松藤謙介
・
行川敏正
・
中野浩明
・
伊藤 洋
・
和田 修
・
大塚伸朗
(
東芝
)
(9)
10:25-11:15
[招待講演]
自動車用MCU対応8kB EEPROMエミュレーションデータフラッシュモジュールと混載フラッシュの動向
ICD2008-9
○
河井伸治
・
細金 明
・
久家重博
・
阿部俊広
・
橋本康平
・
大石 司
・
辻 直樹
・
榊原清彦
・
野口健二
(
ルネサステクノロジ
)
(10)
11:15-12:05
[招待講演]
電子システムの環境中性子線起因のエラーの現状と対策 ~ マルチノードアップセット問題の対応 ~
ICD2008-10
○
伊部英史
(
日立
)
12:05-13:05
昼食 ( 60分 )
(11)
13:05-13:55
[招待講演]
二重トンネル接合層を用いた15nmプラナーバルクSONOS型メモリー素子
ICD2008-11
○
大場竜二
・
三谷祐一郎
・
杉山直治
・
藤田 忍
(
東芝
)
(12)
13:55-14:20
共有書き込みトランジスタセルとリーク電流複製読み出し方式を用いた4-Mb MRAMマクロ
ICD2008-12
○
根橋竜介
・
崎村 昇
・
杉林直彦
・
本庄弘明
・
齊藤信作
・
加藤有光
・
笠井直記
(
NEC
)
(13)
14:20-14:45
半ピッチシフト方式とビット線分離型2T1MTJセルを用いた混載向け250MHz,1Mb-MRAMマクロ
ICD2008-13
○
崎村 昇
・
杉林直彦
・
根橋竜介
・
本庄弘明
・
斉藤信作
・
加藤有光
・
笠井直記
(
NEC
)
(14)
14:45-15:10
TbCoFe/CoFe垂直磁化膜を用いたMRAM素子におけるスピン注入磁化反転の実証
ICD2008-14
○
中山昌彦
・
甲斐 正
・
下村尚治
・
天野 実
・
北川英二
・
永瀬俊彦
・
吉川将寿
・
岸 達也
・
池川純夫
・
與田博明
(
東芝
)
15:10-15:20
休憩 ( 10分 )
(15)
15:20-16:10
[招待講演]
二元系酸化物RRAM特性の電極材料依存性
ICD2008-15
○
玉井幸夫
(
シャープ
)・
島 久
・
秋永広幸
(
産総研
)・
細井康成
・
大西茂夫
・
粟屋信義
(
シャープ
)
(16)
16:10-16:35
先端不揮発性メモリの将来展望とそのBiCS型積層化に関する基礎検討 ~ FeRAMのBiCS型積層化に関する基礎検討 ~
ICD2008-16
○
渡辺重佳
(
湘南工科大
)
講演時間
一般講演
発表 20 分 + 質疑応答 5 分
招待講演
発表 40 分 + 質疑応答 10 分
問合先と今後の予定
ICD
集積回路研究会(ICD)
[今後の予定はこちら]
問合先
相本代志治 (NECエレクトロニクス)
TEL 044-435-1258,FAX 044-435-1878
E-
:
ai
cel
Last modified: 2008-03-07 15:32:20
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