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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 渡辺 重佳 (湘南工科大)
副委員長 杉井 寿博 (富士通マイクロエレクトロニクス)
幹事 川中 繁 (東芝), 安斎 久浩 (ソニー)
幹事補佐 大見 俊一郎 (東工大)

日時 2008年12月 5日(金) 10:30 - 16:30
議題 シリコン関連材料の作製と評価 
会場名 京都大学 桂キャンパス A1棟 地階 講義室(A1-001) 
住所 〒615-8510 京都市西京区京都大学桂
交通案内 阪急京都線「桂」駅からバス(市バス「西6」あるいは京阪京都バス「20」)で15分「京大桂キャンパス前」下車
http://www.kyoto-u.ac.jp/ja/access/campus/map6r_k.htm
会場世話人
連絡先
木本 恒暢
075-383-2300
お知らせ ◎研究会終了後,懇親会を予定していますので御参加ください.
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

12月5日(金) 午前  シリコン関連材料の作製と評価
10:30 - 16:30
(1) 10:30-10:50 抵抗変化型不揮発性メモリ用NiO薄膜の構造および電気特性へのアニール効果 SDM2008-184 西 佑介木本恒暢京大
(2) 10:50-11:10 X線検出素子(Silicon Drift Detector)の簡素化と高エネルギーX線の感度向上を目指した研究 SDM2008-185 松浦秀治高橋美雪小原一徳山本和代前田健寿加川義隆阪電通大
(3) 11:10-11:30 エタノールクラスターイオンビームによるシリコン表面の低損傷・高効率スパッタリング SDM2008-186 龍頭啓充尾崎良介高岡義寛京大
(4) 11:30-11:50 アンジュレータ光源を使用した軟X線励起によるa-Si膜表面のSi原子移動 SDM2008-187 高梨泰幸部家 彰・○松尾直人神田一浩兵庫県立大
  11:50-13:15 昼食 ( 85分 )
(5) 13:15-13:50 [招待講演]金属電極とハフニウム系高誘電率ゲート絶縁膜界面の実効仕事関数変調機構 SDM2008-188 渡部平司喜多祐起細井卓治志村考功阪大)・白石賢二筑波大)・奈良安雄半導体先端テクノロジーズ)・山田啓作早大
(6) 13:50-14:10 バイオナノドットを用いた極薄トンネル酸化膜デバイスの電気特性評価 SDM2008-189 入船裕行矢野裕司浦岡行治冬木 隆山下一郎奈良先端大
(7) 14:10-14:30 NO直接酸化法により作製したC面上4H-SiC MOSデバイスの特性 SDM2008-190 大城ゆき岡本 大矢野裕司畑山智亮浦岡行治冬木 隆奈良先端大
(8) 14:30-14:50 立体ゲート構造を用いたSiC MOSFETの特性向上 SDM2008-191 南園悠一郎吉岡裕典登尾正人須田 淳木本恒暢京大
  14:50-15:10 休憩 ( 20分 )
(9) 15:10-15:30 アルコール系原料を用いた強誘電体膜の電気的特性評価 SDM2008-192 山口正樹大場友弘芝浦工大)・増田陽一郎八戸工大
(10) 15:30-15:50 紫外線プラズマ照射によるSiO2/Si界面及びSi中の電気的特性変化 SDM2008-193 滝内 芽鮫島俊之東京農工大
(11) 15:50-16:10 極淺接合形成のためのイオン注入によるGeアモルファス化プロセス SDM2008-194 長田光生・○芝原健太郎広島大
(12) 16:10-16:30 F2表面処理したHfO2/Ge MIS構造の電気的特性評価 SDM2008-195 今庄秀人Hyun Lee吉岡祐一金島 岳奥山雅則阪大

講演時間
一般講演発表 15 分 + 質疑応答 5 分
招待講演発表 30 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 川中繁 (東芝)
TEL 045-776-5670, FAX 045-776-4104
E- geba

現地世話人:
京都大学工学研究科電子工学専攻 木本 恒暢
〒615-8510 京都市西京区京都大学桂
Tel: 075-383-2300 Fax: 075-383-2303
E-: eek-u 


Last modified: 2008-10-21 19:33:10


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