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電子部品・材料研究会(CPM) [schedule] [select]
専門委員長 上村 喜一 (信州大)
副委員長 安井 寛治 (長岡技科大)
幹事 豊田 誠治 (NTT), 清水 英彦 (新潟大)
幹事補佐 竹村 泰司 (横浜国大), 大庭 直樹 (NTT)

日時 2007年11月16日(金) 12:30 - 17:50
2007年11月17日(土) 09:00 - 15:55
議題 薄膜プロセス・材料、一般 
会場名 長岡技術科学大学 
住所 〒940-2188 新潟県長岡市上富岡町1603-1
交通案内 JR長岡駅大手口7番線から技大前行き乗車にて約30分
http://www.nagaokaut.ac.jp/j/index.html
会場世話人
連絡先
電気系 安井寛治
0258-47-9502

11月16日(金) 午後 
12:30 - 17:50
(1) 12:30-12:55 Bi-2212固有ジョセフソン接合の温度特性の解析 毛利千里小黒恭平吉田 隆富永隼賢加藤孝弘濱崎勝義長岡技科大
(2) 12:55-13:20 Bi系高温超伝導デバイスの作製とその特性評価 吉田 隆名和海明富永隼賢三輪 淳加藤孝弘濱崎勝義長岡技科大)・島影 尚NICT
(3) 13:20-13:45 RFプラズマ堆積法により作製した有機薄膜の電気的特性・光学的特性 テンクー ナズリン ビン テンクー イブラヒム田中久仁彦打木久雄長岡技科大
(4) 13:45-14:10 低温成膜したITO薄膜を用いた有機EL素子の検討 中田悠介宮崎伸介梅津 岳伊藤嘉宏二木雅斗清水英彦丸山武男新潟大)・星 陽一東京工芸大)・皆川正寛日本精機
  14:10-14:20 休憩 ( 10分 )
(5) 14:20-14:45 第三電極を有するRFマグネトロンスパッタ法によるZnO透明導電膜特性の均一性評価 朝野 章長岡技科大)・片桐裕則長岡高専)・黒木雄一郎安井寛治高田雅介赤羽正志長岡技科大
(6) 14:45-15:10 スパッタビーム堆積法によるMo/Si多層薄膜の作製 長浜大作愛甲隆史平田 真清水英彦丸山武男岡 徹雄岩野春男新潟大
(7) 15:10-15:35 2スパッタ源反応性スパッタ法によるTiO2薄膜の高速堆積 境 哲也神谷 攻・○星 陽一東京工芸大)・清水英彦新潟大
(8) 15:35-16:00 ガスフロースパッタ法で作製されたZrO2膜をバッファ層として用いたNiCr薄膜抵抗の抵抗温度係数 岩坪 聡富山県工技センター
  16:00-16:10 休憩 ( 10分 )
(9) 16:10-16:35 ZrB2薄膜のキャラクタリゼーションとCu/SiO2間のバリヤ特性 武山真弓北見工大)・中台保夫神原正三アルバックマテリアル)・畠中正信アルバック)・野矢 厚北見工大
(10) 16:35-17:00 ZrNバリヤを用いたCu/層間絶縁膜間の界面制御 武山真弓・○佐藤 勝野矢 厚北見工大
(11) 17:00-17:25 サファイア基板及び白金電極上のCr2O3スパッタ薄膜の結晶成長 大月俊平浅田 毅岩田展幸山本 寛日大
(12) 17:25-17:50 ディップコートしたFeMo及びFePtナノ粒子触媒を用いたCVD法によるカーボンナノチューブの成長 石塚大祐園村拓也奥山博基岩田展幸山本 寛日大
11月17日(土) 午前 
09:00 - 15:55
(13) 09:00-09:25 ホットメッシュCVD法によるGaN成長 ~ ルテニウムコーティッドタングステンメッシュの効果 ~ 深田祐介安部和貴黒木雄一郎長岡技科大)・末光眞希伊藤 隆東北大)・成田 克九工大)・遠藤哲郎東北大)・中澤日出樹弘前大)・高田雅介安井寛治赤羽正志長岡技科大
(14) 09:25-09:50 モノメチルゲルマンによるSi(001)-2x1清浄表面上へのGe, SiCナノドットの形成と制御 荻原智明須藤晴紀安井寛治赤羽正志高田雅介長岡技科大
(15) 09:50-10:15 ホットメッシュCVD法によるSiCOI構造基板の作製とトップSi層厚依存性 牧野雄一郎三浦仁嗣西山 洋安井寛治高田雅介井上泰宣赤羽正志長岡技科大
(16) 10:15-10:40 バイアス印加RFプラズマ窒化法によるSiC-MIS構造の作製 石田芳樹陳 晨萩原正宜塩沢宏章仙石 昌林部林平山上朋彦上村喜一信州大
  10:40-10:50 休憩 ( 10分 )
(17) 10:50-11:15 Cu2ZnSnS4のバルク単結晶とゾル-ゲル・硫化法で作製した薄膜の光学特性 宮本裕介田中久仁彦大貫雅俊森竹典子打木久雄長岡技科大
(18) 11:15-11:40 ゾルゲル・硫化法によるCu2ZnSnS4薄膜太陽電池の作製と評価 大貫雅俊森竹典子田中久仁彦打木久雄長岡技科大
(19) 11:40-12:05 PCD法によるCu2ZnSnS4を用いた3Dセル構造の作製 森谷克彦佐伯勇輔田中久仁彦打木久雄長岡技科大
  12:05-13:15 昼食 ( 70分 )
(20) 13:15-13:40 PLD法によるEuGa2S4薄膜の作製と評価 金田亮平田中久仁彦打木久雄長岡技科大
(21) 13:40-14:05 Sn添加CaAl2S4の光学特性 太田 均田中久仁彦打木久雄長岡技科大
(22) 14:05-14:30 ケミカルバス法によるZnS薄膜の作製 ~ 膜厚の制御 ~ 上條和隆小林敏志坪井 望新潟大
  14:30-14:40 休憩 ( 10分 )
(23) 14:40-15:05 Electrical properties of ZnSnAs2 thin films grown by MBE Joel T. AsubarTadasuke YokoyamaYoshio JinboNaotaka UchitomiNagaoka Univ. of Tech.
(24) 15:05-15:30 強磁性半導体(Ga,Mn)As/Zn-doped-GaAs超格子構造のMBE成長とその低温熱処理効果 中川久幸ジョエル アスバル神保良夫内富直隆長岡技科大
(25) 15:30-15:55 Si基板上に成長したGaSb/AlGaSb多重量子井戸構造の評価 豊田英之安田武史藤江周作長岡技科大)・中村新一青学大)・神保良夫内富直隆長岡技科大

講演時間
一般講演(25)発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
CPM 電子部品・材料研究会(CPM)   [今後の予定はこちら]
問合先 清水英彦(新潟大学)
TEL 025-262-6811, FAX 025-262-6811
E-: engi-u

竹村 泰司(横浜国立大学)
TEL 045-339-4151, FAX 045-339-4151
E-: y 


Last modified: 2007-09-21 03:53:49


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