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電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 葛原 正明 (福井大)
副委員長 橋詰 保 (北大)
幹事 高谷 信一郎 (日立), 村田 浩一 (NTT)
幹事補佐 原 直紀 (富士通研), 津田 邦男 (東芝)

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日時 2008年 6月13日(金) 13:00 - 17:25
2008年 6月14日(土) 09:00 - 12:10
議題 半導体のプロセス・デバイス(表面、界面、信頼性、一般) 
会場名 金沢大学 角間キャンパス 自然科学研究科図書館棟 G1階 G15会議室 
住所 〒920-1192 金沢市角間町
交通案内 金沢駅東口3番乗り場発 91・93・94・97「金沢大学」行き(兼六園下経由)下車34~37分「金沢大学自然研前」
http://www.kanazawa-u.ac.jp/university/access/index.html
お知らせ ◎13日研究会終了後、懇親会を予定していますのでご参加ください.
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

6月13日(金) 午後 
13:00 - 17:25
(1) 13:00-13:25 SiN/AlN積層構造によるAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタの表面パッシベーション ED2008-22 田中成明北陸先端大)・住田行常河合弘治パウデック)・鈴木寿一北陸先端大
(2) 13:25-13:50 p-GaNショットキー接触のI-V,C-V特性 ~ キャリア濃度,金属仕事関数依存性 ~ ED2008-23 福島慶広荻須啓太葛原正明塩島謙次福井大
(3) 13:50-14:15 AlGaNの深い準位とAlGaN/GaN HEMTの動作安定性の評価 ED2008-24 田島正文小谷淳二菅原克也橋詰 保北大
(4) 14:15-14:40 ワイドバンドギャップ半導体用NドープAlSiO膜の特性評価 ED2008-25 小松直佳田中裕崇青木秀充松之内恵子木村千春阪大)・奥村幸彦舞鶴高専)・杉野 隆阪大
(5) 14:40-15:05 MOCVD成長によるInP/InGaAs HBTの信頼性 ED2008-26 荻須啓太福島慶広塩島謙次福井大)・荒木賀行横浜秀雄NTT-AT
  15:05-15:20 休憩 ( 15分 )
(6) 15:20-15:45 Wet Cleaning Processing of VLSI Devices by Functional Waters ED2008-27 Masako KoderaYoshitaka MatsuiNaoto MiyashitaToshiba
(7) 15:45-16:10 Particle Performance Improvement of Single-Wafer Wet Cleaning for Next Generation ED2008-28 Ken-ichi SanoKatsuhiko MiyaAkira IzumiJim SnowAtsuro EitokuDainippon Screen MFG.
(8) 16:10-16:35 SPM洗浄法におけるレジスト剥離能力の劣化と電解硫酸液を用いたレジスト剥離技術の実証 ED2008-29 永井達夫山川晴義内田 稔大津 徹池宮範人栗田工業
(9) 16:35-17:00 マランゴニ乾燥における残留液膜・液滴の乾燥挙動 ED2008-30 宮本泰治鴨志田隼司山田 純芝浦工大
(10) 17:00-17:25 スピンエッチングによるφ300mmウェハのステイン膜形成 ED2008-31 増本哲己渡辺正晴佐藤啓介日本エスイーゼット
6月14日(土) 午前 
09:00 - 12:10
(11) 09:00-09:25 超高速MMIC作製のためのInP HEMTデバイス技術 ED2008-32 原 直紀高橋 剛牧山剛三富士通)・多木俊裕富士通研
(12) 09:25-09:50 化合物半導体三重障壁共鳴トンネルダイオードの非線形等価回路パラメタの評価 ED2008-33 井城悠一首都大東京)・品田唱秋都立大)・直井 護首都大東京)・朝岡直哉都立大)・須原理彦奥村次徳首都大東京
(13) 09:50-10:15 Fluidic Self-AssemblyのためのInGaAs系共鳴トンネルデバイスブロック作製技術 ED2008-34 前澤宏一富山大)・亀谷直樹岸本 茂水谷 孝名大)・赤松和弘日鉱金属
(14) 10:15-10:40 エピタキシャルリフトオフ-van der Waals貼付によるInAs薄膜の異種材料融合集積 ED2008-35 滝田隼人工藤昌宏田中成明鈴木寿一北陸先端大
  10:40-10:55 休憩 ( 15分 )
(15) 10:55-11:20 MBE growth of high In-content InGaAs/InAlAs heterojunction and its spin-orbit interaction in the 2DEG layer ED2008-36 Hyonkwan ChoiShunsuke NittaSyoji YamadaCNMT JAIST
(16) 11:20-11:45 Si(111)-√7×√3-In再構成構造を介したInSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長 ED2008-37 森 雅之斉藤光史長島恭兵上田広司吉田達雄前澤宏一富山大
(17) 11:45-12:10 Si(111)基板上での30°回転InSb薄膜層形成に対するIn及びSb層の効果 ED2008-38 斉藤光史森 雅之上田広司前澤宏一富山大

講演時間
一般講演(25)発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 高谷 信一郎(日立中研)
TEL: 0423-23-1111(内線3048)、FAX: 0423-27-7738
E-: crl
村田 浩一(NTT)
TEL:046-240-2871、FAX:046-270-2872
E-aecl
原 直紀 (富士通研究所)
TEL : 046-250-8242、FAX : 046-250-8168
E- : o
津田 邦男(東芝)
TEL : 044-549-2142、FAX : 044-520-1501
E- : oba 


Last modified: 2008-05-07 14:48:25


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