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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 国清 辰也 (ルネサス エレクトロニクス)
副委員長 品田 高宏 (東北大)
幹事 黒田 理人 (東北大), 山口 直 (ルネサス エレクトロニクス)
幹事補佐 池田 浩也 (静岡大), 諸岡 哲 (東芝メモリ)

日時 2017年11月 9日(木) 10:00 - 16:40
2017年11月10日(金) 10:00 - 16:40
議題 プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 
会場名 機械振興会館 6F 6-66会議室 
住所 〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8
交通案内 東京メトロ日比谷線・・・・・・・神谷町駅下車 徒歩8分
http://www.jspmi.or.jp/kaigishitsu/access.html
他の共催 ◆応用物理学会共催
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.
(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

11月9日(木) 午前 
座長: 安斎久浩 (ソニーセミコンダクタソリューションズ)
10:00 - 12:00
(1) 10:00-11:00 [招待講演]GaN MOVPE成長のマルチフィジックスシミュレーション SDM2017-61 白石賢二関口一樹長川健大白川裕規川上賢人山本芳裕洗平昌晃岡本直也芳松克則名大)・寒川義裕柿本浩一九大
(2) 11:00-12:00 [招待講演]SISPAD 2017 レビュー(1) SDM2017-62 廣木 彰京都工繊大
  12:00-13:05 昼食 ( 65分 )
11月9日(木) 午後 
座長: 相馬聡文 (神戸大学)
13:05 - 15:30
(3) 13:05-13:30 p-LDMOSFETのホットキャリア耐性を向上させる新構造の検討 SDM2017-63 酒井 敦永久克己ルネサス エレクトロニクス)・藤井宏基森 隆弘ルネサス)・秋山 豊山口泰男ルネサス エレクトロニクス
(4) 13:30-14:30 [招待講演]SiC中の不純物拡散モデル SDM2017-64 植松真司慶大
(5) 14:30-15:30 [招待講演]SiCパワーMOSFETの特性測定とモデル化 SDM2017-65 佐藤高史大石一輝廣本正之京大)・新谷道広奈良先端大
  15:30-15:40 休憩 ( 10分 )
11月9日(木) 午後 
座長: 國清辰也 (ルネサス エレクトロ二クス)
15:40 - 16:40
(6) 15:40-16:40 [招待講演]深いトラップを含むGaN MOSキャパシタ容量のシミュレーション SDM2017-66 福田浩一浅井栄大服部淳一清水三聡産総研)・橋詰 保北大
11月10日(金)  
座長: 高篠裕行 (ソニーセミコンダクタ)
10:00 - 12:00
(7) 10:00-11:00 [招待講演]SISPAD 2017 レビュー(2) SDM2017-67 来栖貴史東芝メモリ
(8) 11:00-12:00 [招待講演]不純物の離散性に伴った半導体デバイスモデリングの基本的側面 ~ ランダム不純物ばらつきと自己平均化 ~ SDM2017-68 佐野伸行筑波大
  12:00-13:30 昼食 ( 90分 )
11月10日(金) 午後 
座長: 野田泰史 (パナソニック)
13:30 - 15:30
(9) 13:30-14:30 [招待講演]極微細トランジスタの量子輸送シミュレーション SDM2017-69 森 伸也美里劫夏南阪大)・岩田潤一押山 淳東大
(10) 14:30-15:30 [招待講演]行列指数法によるデバイス過渡シミュレーションの正確な時間刻み指標 SDM2017-70 熊代成孝亀井達也廣木 彰小林和淑京都工繊大
  15:30-15:40 休憩 ( 10分 )
11月10日(金) 午後  相馬聡文 (神戸大学)
15:40 - 16:40
(11) 15:40-16:40 [招待講演]トラップ電荷起因抵抗を考慮した28nm世代混載フラッシュ向けSG-MONOS SPICEモデル SDM2017-71 黄 俐昭宮森 充常野克己牟田哲也川嶋祥之ルネサス エレクトロニクス

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分
招待講演発表 55 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 黒田 理人(東北大)
Tel 022-795-4833 Fax 022-795-4834
E-: e3 


Last modified: 2018-02-01 21:23:47


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