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研究会終了後に懇親会を開催いたします。



シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 大野 裕三 (筑波大)
副委員長 国清 辰也 (ルネサス エレクトロニクス)
幹事 黒田 理人 (東北大)
幹事補佐 山口 直 (ルネサス エレクトロニクス)

日時 2015年 6月19日(金) 09:30 - 17:30
議題 MOSデバイス・メモリ高性能化-材料・プロセス技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催) 
会場名 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー 
住所 〒464-8603 名古屋市千種区不老町
交通案内 地下鉄 名古屋大学駅から徒歩3分
http://www.vbl.nagoya-u.ac.jp/access/index.html
会場世話人
連絡先
宮崎 誠一 (名古屋大学 大学院工学研究科)
052-789-3588
他の共催 ◆応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会共催
お知らせ ◎[依頼講演]は、シリコンテクノロジー分科会で企画された講演です.
◎研究会終了後,懇親会を予定していますので御参加ください.

6月19日(金) 午前 
09:30 - 17:30
(1) 09:30-09:50 [依頼講演]Al2O3/AlGaN/GaN構造の界面電子準位評価 谷田部然治橋詰 保北大
(2) 09:50-10:10 [依頼講演]容量過渡分光法によるMOCVD n-GaNのトラップ評価 徳田 豊愛知工大
(3) 10:10-10:30 [依頼講演]Al2O3/Ga2O3界面構造とその面方位依存性 上村崇史ダイワシガマニ キルシナムルティNICT)・倉又朗人山腰茂伸タムラ製作所)・東脇正高NICT
  10:30-10:50 休憩 ( 20分 )
(4) 10:50-11:10 [依頼講演]3C/4H異種ポリタイプ接合を有するSiC MOSFETに対する検討 野口宗隆岩松俊明三浦成久中田修平山川 聡三菱電機
(5) 11:10-11:30 [依頼講演]SiC/SiO2界面における窒素化学状態の結晶面方位依存性 森 大輔井上 慧寺西秀明広瀬隆之瀧川亜樹富士電機
(6) 11:30-11:50 [依頼講演]SiO2/SiC MOS界面の欠陥特性に酸窒化処理が与える影響 竹内和歌奈名大)・山本建策デンソー)・坂下満男名大)・金村髙司デンソー)・中塚 理財満鎭明名大
  11:50-12:40 休憩 ( 50分 )
(7) 12:40-13:00 光電子分光法による熱酸化SiO2/4H-SiCの化学結合状態および欠陥準位密度評価 渡辺浩成大田晃生牧原克典宮崎誠一名大
(8) 13:00-13:20 シリコン熱酸化膜の水素アニール効果に関する第一原理計算 川内伸悟白川裕規洗平昌晃名大)・影島愽之島根大)・遠藤哲郎東北大)・白石賢二名大
(9) 13:20-13:40 Tiナノドットを埋め込んだSiリッチ酸化膜の抵抗変化特性 加藤祐介荒井 崇大田晃生牧原克典宮崎誠一名大
(10) 13:40-14:00 低い正孔障壁を有するPtGe/Geコンタクトの作製とメタルS/D型Ge p-MOSFETへの適用 永冨雄太田中慎太郎長岡裕一山本圭介王 冬中島 寛九大
  14:00-14:15 休憩 ( 15分 )
(11) 14:15-14:35 メタルソース/ドレインGe CMOS実現に向けたNiGe/Ge接合障壁変調機構の解明 岡 博史箕浦佑也淺原亮平細井卓治志村考功渡部平司阪大
(12) 14:35-14:55 金属/Ge界面への超高Sn組成SnxGe1-x層導入による界面電気伝導特性の制御 鈴木陽洋柴山茂久坂下満男竹内和歌奈中塚 理財満鎭明名大
(13) 14:55-15:15 Ge1-xSnxエピタキシャル層中の欠陥へ及ぼす熱処理の効果 浅野孝典柴山茂久竹内和歌奈坂下満男中塚 理財満鎭明名大
(14) 15:15-15:35 PE-ALD法で作製した極薄膜Al2O3ゲート絶縁膜を用いたGIZO TFTの電気特性 栗島一徳明大/物質・材料研究機構)・生田目俊秀塚越一仁大井暁彦知京豊裕物質・材料研究機構)・小椋厚志明大
  15:35-15:50 休憩 ( 15分 )
(15) 15:50-16:10 Fully compatible resistive random access memory with amorphous InGaZnO based thin film transistor fabrication process Keisuke KadoMutsunori UenumaKyouhei NabesakaKriti SharmaHaruka YamazakiSatoshi UrakawaMami FujiiYasuaki IshikawaYukiharu UraokaNAIST
(16) 16:10-16:30 極薄Al2O3/SiO2 hybrid BOX層を有する貼り合わせGeOI基板の熱処理による電気特性改善 吉田啓資・○竹内正太郎中村芳明酒井 朗阪大
(17) 16:30-16:50 [依頼講演]二層グラフェンのバンドギャップ形成と電極接触抵抗 野内 亮阪府大
(18) 16:50-17:10 [依頼講演]原子薄膜の電気的極性可変トランジスタ 中払 周物質・材料研究機構)・飯島智彦小川真一八木克典原田直樹林 賢二郎近藤大雄高橋 慎産総研)・黎 松林山本真人林 彦甫物質・材料研究機構)・上野啓司埼玉大)・塚越一仁物質・材料研究機構)・佐藤信太郎横山直樹産総研
(19) 17:10-17:30 [依頼講演]High-k/MetalゲートMoS2 MOSFETの試作と評価 森 貴洋産総研)・二之宮成樹横浜国大)・内田紀行久保利隆産総研)・渡辺英一郎津谷大樹森山悟士物質・材料研究機構)・田中正俊横浜国大)・安藤 淳産総研

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 黒田 理人(東北大)
Tel 022-795-4833 Fax 022-795-4834
E-: fffe 


Last modified: 2015-04-27 19:54:27


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