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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 国清 辰也 (ルネサス エレクトロニクス)
副委員長 品田 高宏 (東北大)
幹事 黒田 理人 (東北大), 山口 直 (ルネサス エレクトロニクス)
幹事補佐 池田 浩也 (静岡大)

日時 2017年 1月30日(月) 10:00 - 16:30
議題 先端CMOSデバイス・ プロセス技術(IEDM特集) 
会場名 機械振興会館 地下3F 研修1 
住所 〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8
交通案内 東京メトロ日比谷線 神谷町駅下車 徒歩8分
http://www.jspmi.or.jp/kaigishitsu/access.html
他の共催 ◆応用物理学会共催

1月30日(月) 午前 
10:00 - 16:30
(1) 10:00-10:30 [招待講演]等電子トラップ技術によるオン電流増大に伴う相補型トンネルトランジスタ回路の性能向上 森 貴洋浅井栄大服部淳一福田浩一大塚慎太郎森田行則大内真一更田裕司右田真司水林 亘太田裕之松川 貴産総研
(2) 10:30-11:00 [招待講演]Ge/III-V族半導体を用いたトンネルFET技術 高木信一安 大煥野口宗隆後藤高寛西 康一金 閔洙竹中充一東大
(3) 11:00-11:30 [招待講演]Experimental Study on Polarization-Limited Operation Speed of Negative Capacitance FET with Ferroelectric HfO2 小林正治上山 望蒋 京珉平本俊郎東大
(4) 11:30-12:00 [招待講演]サブ10 nm世代負性容量FinFETのデバイスシミュレーション 太田裕之池上 勉服部淳一福田浩一右田真司産総研)・鳥海 明東大
  12:00-13:30 昼食 ( 90分 )
(5) 13:30-14:00 [招待講演]16/14nmノード以降における高速かつ高信頼性を有する混載フラッシュメモリ向けFinFET Split-Gate MONOS 津田是文川嶋祥之園田賢一郎吉冨敦司三原竜善鳴海俊一井上真雄村中誠志丸山隆弘山下朋弘山口泰男ルネサス エレクトロニクス)・久本 大日立
(6) 14:00-14:30 [招待講演]電圧トルクMRAM (VCM) 向け読み出し/書き込み回路と大容量キャッシュメモリへの応用 塩田陽一産総研)・野口紘希池上一隆安部恵子藤田 忍東芝)・野崎隆行湯浅新治産総研)・鈴木義茂阪大
(7) 14:30-15:00 [招待講演]超低消費エネルギーと高集積性を併せ持つ電圧制御スピントロニクスメモリ ~ Ultra-low Energy Consumption High-Density VoCSM ~ 與田博明下村尚治大沢裕一白鳥聡志加藤侑志井口智明上国裕三ブヤンダライ アルタンサガイ斉藤好昭鴻井克彦杉山英行及川壮一清水真理子石川瑞恵池上一隆東芝
  15:00-15:30 休憩 ( 30分 )
(8) 15:30-16:00 [招待講演]General relationship for cation and anion doping effects on ferroelectric HfO2 formation Xu LunShibayama ShigehisaIzukashi KazutakaNishimura TomonoriYajima TakeakiUniv. of Tokyo)・Migita ShinjiAIST)・Toriumi AkiraUniv. of Tokyo
(9) 16:00-16:30 [招待講演]多様化するアナログ信号処理に向けた新規機能性受動素子 ~ VO2揮発性スイッチの作製と応用 ~ 矢嶋赳彬西村知紀鳥海 明東大

講演時間
招待講演発表 25 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 黒田 理人(東北大)
Tel 022-795-4833 Fax 022-795-4834
E-: e3 


Last modified: 2016-12-16 14:59:58


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