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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 品田 高宏 (東北大)
副委員長 平野 博茂 (パナソニック・タワージャズ)
幹事 池田 浩也 (静岡大), 諸岡 哲 (東芝メモリー)
幹事補佐 森 貴洋 (産総研), 小林 伸彰 (日大)

日時 2019年10月23日(水) 13:30 - 17:10
2019年10月24日(木) 09:30 - 16:40
議題 プロセス科学と新プロセス技術 
会場名 東北大学未来情報産業研究館5F大会議室 
住所 〒980-8579 宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉6-6-10
交通案内 地下鉄東西線青葉山駅から徒歩1分
http://www.fff.niche.tohoku.ac.jp
お知らせ ◎初日23日(水)の研究会終了後に、懇親会を予定しておりますので、ぜひ御参加ください。
参加費に
ついて
この開催は「技報完全電子化」研究会です.参加費(SDM研究会)についてはこちらをご覧ください.

10月23日(水) 午後 
13:30 - 17:10
(1) 13:30-14:20 [招待講演]プラズマを用いた原子層エッチング(ALE) 熊倉 翔木原嘉英本田昌伸東京エレクトロン宮城
(2) 14:20-14:50 Hf界面層を用いた強誘電性ノンドープHfO2薄膜のSi(100)基板上への直接形成 片岡正和林 将生キム ミンギ大見俊一郎東工大
(3) 14:50-15:20 The investigation of interface property of N-doped LaB6/SiO2/Si(100) stack structure by increasing deposition temperature Kyung Eun ParkHideki KamataShun-ichiro OhmiTokyo Tech
  15:20-15:40 休憩 ( 20分 )
(4) 15:40-16:10 Investigation of ferroelectric undoped HfO2 formation on Si(100) utilizing post metallization annealing for nonvolatile memory application Min Gee KimMasakazu KataokaMasaki HayashiRengie Mark D. MailigShun-ichiro OhmiTokyo Tech.
(5) 16:10-16:40 A study on the EOT scaling of the Hf-based MONOS non-volatile memory characteristics utilizing HfON tunneling layer Jooyoung PyoYusuke HoriuchiShun-ichiro OhmiTokyo Tech.
(6) 16:40-17:10 多層電荷蓄積層を用いたHf系MONOS型不揮発性多値メモリに関する検討 堀内勇介表 柱栄大見俊一郎東工大
10月24日(木) 午前 
09:30 - 16:40
(7) 09:30-10:20 [招待講演]NiAl as Cu alternative for ultrasmall feature sizes Linghan ChenJunichi KoikeDaisuke AndoYuji SutouTohoku Univ.
(8) 10:20-10:50 [依頼講演]Co/Si界面の酸化物層がショットキー障壁高さと接触抵抗に及ぼす影響 城戸光一佐藤 謙黒田理人安藤大輔須藤祐司小池淳一東北大
(9) 10:50-11:20 Low temperature formation of PdErSi/Si(100) for Schottky barrier source and drain MOSFET applications Rengie Mark D. MailigYuichiro ArugaMin Gee KimShun-ichiro OhmiTokyo Tech
  11:20-13:00 昼食 ( 100分 )
(10) 13:00-13:50 [招待講演]ナノ人工物メトリクスを実現するランダムナノ構造形成と電気的読出技術 葛西誠也呂 任鵬清水克真殷 翔北大)・上羽陽介石川幹雄北村 満大日本印刷)・法元盛久産総研)・成瀬 誠東大)・松本 勉横浜国大
(11) 13:50-14:20 新しい圧電材料BiFeO3の薄膜形成技術と基板依存性 今泉文伸仲田陸人小山高専
(12) 14:20-14:50 超高感度トンネル磁気抵抗センサの開発 大兼幹彦東北大
  14:50-15:10 休憩 ( 20分 )
(13) 15:10-15:40 次世代メモリ材料の高精度統計評価を行う抵抗測定プラットフォーム 前田 健大村裕弥黒田理人寺本章伸諏訪智之須川成利東北大
(14) 15:40-16:10 高SN比CMOS吸光イメージセンサによる半導体プロセスチャンバー内ガス濃度分布計測 髙橋圭吾Yhang Ricardo Sipauba Carvalho da Silva黒田理人藤原康行村田真麻石井秀和森本達郎諏訪智之寺本章伸須川成利東北大
(15) 16:10-16:40 高速ビデオカメラを用いたマグネトロンスパッタリングプラズマの揺動現象の観察 山崎森太郎後藤哲也鈴木 学黒田理人須川成利東北大

講演時間
一般講演発表 25 分 + 質疑応答 5 分
依頼講演発表 25 分 + 質疑応答 5 分
招待講演発表 40 分 + 質疑応答 10 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 諸岡 哲(東芝メモリ)
Tel 059-390-7451 Fax 059-361-2739
E-: ba 


Last modified: 2019-08-26 18:34:58


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