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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 浅野 種正 (九大)
副委員長 杉井 寿博 (富士通)
幹事 川中 繁 (東芝), 安斎 久浩 (ソニー)
幹事補佐 大見 俊一郎 (東工大)

日時 2007年10月 4日(木) 13:00 - 17:20
2007年10月 5日(金) 09:30 - 16:40
議題 プロセス科学と新プロセス技術 
会場名 東北大学 未来科学技術共同研究センター 
住所 980-8579 仙台市青葉区荒巻字青葉6-6-10
交通案内 仙台駅バスプール9番より、「工学部経由動物公園循環」、「宮教大」もしくは「青葉台」行きに乗ってください。最寄のバス停は、「情報科学研究科前」です。
http://www.fff.niche.tohoku.ac.jp/ja/index.php?%5B%5BMap%5D%5D
会場世話人
連絡先
未来科学技術共同研究センター 寺本章伸
022-795-3977
お知らせ ◎10月4日研究会終了後,懇親会を予定していますので御参加ください

10月4日(木) 午後 
13:00 - 17:20
(1) 13:00-13:25 プラズマディスプレイ用MgO保護膜の構造破壊ダイナミクスと理論設計 久保百司芹澤和実菊地宏美鈴木 愛Riadh Sahnoun古山通久坪井秀行畠山 望遠藤 明高羽洋充Carlos A. Del Carpio東北大)・梶山博司篠田 傅広島大)・宮本 明東北大
(2) 13:25-13:50 分子動力学法によるMgOの力学的特性の予測 大沼宏彰芹澤和実鈴木 愛Riadh Sahnoun古山通久坪井秀行畠山 望遠藤 明高羽洋充久保百司Carlos A. Del Carpio東北大)・梶山博司篠田 傅広島大)・宮本 明東北大
(3) 13:50-14:15 計算化学によるプラズマディスプレイ用MgO保護膜の電子放出特性の評価 芹澤和実大沼宏彰菊地宏美鈴木 愛Riadh Sahnoun古山通久坪井秀行畠山 望遠藤 明高羽洋充久保百司Carlos A. Del Carpio東北大)・梶山博司篠田 傳広島大)・宮本 明東北大
(4) 14:15-14:40 新規計算化学手法を用いたDLCの摩擦特性解析 森田祐輔敖敦其木格鈴木 愛Riadh Sahnoun古山通久坪井秀行畠山 望遠藤 明高羽洋充久保百司Carlos A. Del Carpio宮本 明東北大
(5) 14:40-15:05 Influence of Chemical Topology on the Electrical Properties of Carbon Black – A Theoretical Study Arunabhiram ChutiaZhigang ZhuAi SuzukiRiadh SahnounMichihisa KoyamaHideyuki TsuboiNozomu HatakeyamaAkira EndouHiromitsu TakabaMomoji KuboCarlos A. Del CarpioAkira MiyamotoTohoku Univ.
  15:05-15:15 休憩 ( 10分 )
(6) 15:15-15:40 Nitrogen Profile Study for SiON Gate Dielectrics of Advanced DRAM Shigemi MurakawaTokyo Electron/Tohoku Univ.)・Masashi TakeuchiMinoru HondaShu-ichi IshizukaToshio NakanishiYoshihiro HirotaTakuya SugawaraYoshitsugu TanakaYasushi AkasakaTokyo Electron AT)・Akinobu TeramotoShigetoshi SugawaTadahiro OhmiTohoku Univ.
(7) 15:40-16:05 マルチスケールトンネル電流シミュレータの開発 坪井秀行芹澤和実鈴木 愛サヌーン リアド古山通久畠山 望遠藤 明高羽洋充久保百司デルカルピオ カルロス東北大)・梶山博司篠田 傳広島大)・宮本 明東北大
(8) 16:05-16:30 Development of Multi-Scale Electrical Conductivity Simulator with the Joule Heating Module and its Application to Polycrystalline SiO2 John Paul YacapinAi SuzukiRiadh SahnounMichihisa KoyamaHideyuki TsuboiNozomu HatakeyamaAkira EndouHiromitsu TakabaMomoji KuboCarlos A. Del CarpioAkira MiyamotoTohoku Univ.
(9) 16:30-16:55 ECRプラズマプロセスによるHfO2系絶縁膜の極薄膜化の検討 仲野雄介佐藤雅樹大見俊一郎東工大
(10) 16:55-17:20 機械的歪み印加によるSrTiO3MIMキャパシタ誘電率変調 黒木伸一郎小谷光司伊藤隆司東北大
10月5日(金) 午前 
09:30 - 16:40
(11) 09:30-09:55 Theoretic Study of Electronic and Electrical Properties for Nano-Structural ZnO Zhigang ZhuArunabhiram ChutiaAi SuzukiRiadh SahnounMichihisa KoyamaHideyuki TsuboiNozomu HatakeyamaAkira EndouHiromitsu TakabaCarlos A. Del CarpioMomoji KuboAkira MiyamotoTohoku Univ.
(12) 09:55-10:20 Tight-Binding Quantum Chemical Molecular Dynamics Study on Interfacial Electron Transfer in Dye-Sensitized Anatase (001) Surface Chen LvAgalya GovindasamyKei OgiyaAi SuzukiRiadh SahnounMichihisa KoyamaHideyuki TsuboiNozomu HatakeyamaAkira EndouHiromitsu TakabaMomoji KuboCarlos A. Del CarpioAkira MiyamotoTohoku Univ.
(13) 10:20-10:45 量子分子動力学法によるダイヤモンドライクカーボン膜生成過程の検討 敖敦其木格森田祐輔鈴木 愛Riadh Sahnoun古山通久坪井秀行畠山 望遠藤 明高羽洋充久保百司Carlos A. Del Carpio宮本 明東北大
  10:45-10:55 休憩 ( 10分 )
(14) 10:55-11:20 低誘電率アモルファスハイドロカーボン(aCHx)膜の銅配線バリアー特性の検討 石川 拓東京エレクトロン技研/東北大)・野沢俊久松岡孝明東京エレクトロン技研)・寺本章伸平山昌樹伊藤隆司大見忠弘東北大
(15) 11:20-11:45 減圧雰囲気下でプラズマとCa(OH)2/CaOを用いる高効率フロロカーボン除去システムの開発 鈴木克昌石原良夫迫田 薫大陽日酸)・白井泰雪平山昌樹寺本章伸大見忠弘東北大)・渡辺高行宇部マテリアルズ
(16) 11:45-12:10 色素増感型太陽電池のためのマルチスケールシミュレータの開発 扇谷 恵呂 晨鈴木 愛Riadh Sahnoun古山通久坪井秀行畠山 望遠藤 明高羽洋充久保百司Carlos A. Del Carpio宮本 明東北大
  12:10-13:10 昼食 ( 60分 )
(17) 13:10-13:35 マイクロ波CVDを用いた高移動度ボトムゲート微結晶シリコンTFTの試作 廣江昭彦寺本章伸大見忠弘東北大
(18) 13:35-14:00 High Performance Accumulation Mode FD-SOI MOSFETs on Si(100) and (110) Surfaces Weitao ChengAkinobu TeramotoRihito KurodaChingfoa TyeSyunichi WatabeTomoyuki SuwaTetsuya GotoFuminobu ImaizumiShigetoshi SugawaTadahiro OhmiTohoku Univ.
(19) 14:00-14:25 SBSI プロセスによるSOI/BOX 層の均一形成に関する検討 野武幸輝須田雄一郎大見俊一郎東工大
(20) 14:25-14:50 Hfとの混晶化によるPtSiの仕事関数制御 大見俊一郎高 峻仲野雄介東工大
  14:50-15:00 休憩 ( 10分 )
(21) 15:00-15:25 シリコン表面の原子オーダー平坦化技術 諏訪智之黒田理人寺本章伸大見忠弘東北大
(22) 15:25-15:50 LSAとSpike-RTAの組合せによる極浅接合形成技術 遠藤誠一丸山祥輝川崎洋司山下朋弘尾田秀一井上靖朗ルネサステクノロジ
(23) 15:50-16:15 大規模アレイTEGを用いたランダム・テレグラフ・シグナルの統計的評価 阿部健一須川成利黒田理人渡部俊一寺本章伸大見忠弘東北大
(24) 16:15-16:40 プラズマプロセスによるMOSFET特性ばらつきの統計的評価 渡部俊一須川成利阿部健一藤澤孝文宮本直人寺本章伸大見忠弘東北大

講演時間
一般講演(25)発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 西岡泰城(日本大学理工学部 精密機械工学科)
TEL047-469-6482,FAX047-467-9504
E-:etn-u,acmsk 


Last modified: 2007-08-12 14:46:13


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