電子情報通信学会 研究会発表申込システム
研究会 開催プログラム
技報閲覧サービス
技報オンライン
‥‥ (ESS/通ソ/エレソ/ISS)
技報アーカイブ
‥‥ (エレソ/通ソ)
 トップ  戻る   前のSDM研究会 / 次のSDM研究会 [HTML] / [HTML(simple)] / [TEXT]  [Japanese] / [English] 


シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 遠藤 哲郎 (東北大)
副委員長 奈良 安雄 (富士通マイクロエレクトロニクス)
幹事 小野 行徳 (NTT), 大西 克典 (九工大)
幹事補佐 野村 晋太郎 (筑波大)

日時 2010年11月11日(木) 10:00 - 15:30
2010年11月12日(金) 10:30 - 15:55
議題 プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 
会場名 機械振興会館 地下3階 研修-1 
他の共催 ◆応用物理学会共催
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.
(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

11月11日(木) 午前 
10:00 - 11:45
  10:00-10:05 イントロダクトリー・トーク ( 5分 )
(1) 10:05-10:55 [招待講演]2010 SISPADレビュー SDM2010-171 鎌倉良成阪大
(2) 10:55-11:45 [招待講演]ばらつき・信頼性シミュレーション技術の最新動向 ~ SISPAD2010併設ワークショップ1のレビュー ~ SDM2010-172 鳥山周一東芝
  11:45-13:00 昼食 ( 75分 )
11月11日(木) 午後 
13:00 - 15:30
(3) 13:00-13:50 [招待講演]磁性体メモリ最新動向と多値スピン注入MRAM(MLC-SPRAM) SDM2010-173 石垣隆士河原尊之竹村理一郎小埜和夫伊藤顕知日立)・大野英男東北大
(4) 13:50-14:40 [招待講演]MOSFETにおけるランダムテレグラフシグナルの統計的評価方法 SDM2010-174 寺本章伸阿部健一須川成利大見忠弘東北大
(5) 14:40-15:30 [招待講演]金属電極/高誘電率絶縁膜界面の物理を中心としたHigh-k/Metalゲートスタックの実効仕事関数変調機構の理解 SDM2010-175 細井卓治佐伯雅之喜多祐起奥 雄大有村拓晃北野尚武阪大)・白石賢二山田啓作筑波大)・志村考功渡部平司阪大
11月12日(金) 午前 
10:30 - 11:45
(6) 10:30-10:55 高速応答の低ドロップアウト(LDO)レギュレータに関する研究 SDM2010-176 Fouzhiwei Tong範 公可電通大
(7) 10:55-11:20 形状シミュレーションによるSiO2及びSiエッチングのモデル化と、BiCSメモリホールエッチング SDM2010-177 市川尚志一之瀬大吾川端研二玉置直樹東芝
(8) 11:20-11:45 自動化超高速化量子分子動力学法の開発とシリコン表面のドライ・ウェットおよびラジカル酸化反応シミュレーション SDM2010-178 坪井秀行稲葉賢二伊勢真理子林 由紀江鈴木裕佳佐藤裕美小原幸子南雲 亮三浦隆治鈴木 愛畠山 望遠藤 明高羽洋充久保百司宮本 明東北大
  11:45-13:00 昼食 ( 75分 )
11月12日(金) 午後 
13:00 - 15:55
(9) 13:00-13:50 [招待講演]VLSI設計自動化の現状と将来展望 SDM2010-179 高橋篤司阪大
(10) 13:50-14:15 インバータセルにおけるSingle-Event-Transientパルス発生のモデリング SDM2010-180 田中克彦中村英之上村大樹竹内 幹福田寿一熊代成孝最上 徹MIRAI-Selete
(11) 14:15-14:40 HV-MOSFETのオーバーラップ領域における2次元効果のモデル化 SDM2010-181 田中昭洋折附泰典菊地原秀行三宅正尭マタウシュ ハンス ユルゲン三浦道子広島大)・リウ ヨングリーン キースTexas Instruments
(12) 14:40-15:05 SPICEモデルを用いた特性合わせ込みにおける誤差指標の提案 SDM2010-182 坂本浩則飯塚貴弘ルネサス エレクトロニクス
(13) 15:05-15:30 シリコンナノワイヤにおけるホール電流のひずみ依存性 SDM2010-183 三成英樹阪大/JST)・北山達郎山本将央阪大)・森 伸也阪大/JST
(14) 15:30-15:55 GAA-MOSFETの極限微細化指針の検討 ~ モデルによるサブ30nmチャネルデバイスの実現性に関する考察 ~ SDM2010-184 仲野駿佑大村泰久関西大

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 安斎 久浩(ソニー)
Tel 046-201-3297 Fax046-202-6572
E-: Hisahiro.Ansai@jp.sony.com 


Last modified: 2010-10-01 12:02:13


ご注意: 迷惑メール対策のためメールアドレスの一部の文字を置換しております.ご了承ください.

[この開催に関する講演論文リストをダウンロードする] ※ こちらのページの最下にあるダウンロードボタンを押してください
 

[技術研究報告冊子体販売対象研究会向け:技報の当日価格一覧] ※ 開催2週間前頃に掲載されます
 
[研究会発表・参加方法,FAQ] ※ ご一読ください
 
[研究会資料インデックス(vol. no.ごとの表紙と目次)]
 

[SDM研究会のスケジュールに戻る]   /  
 
 トップ  戻る   前のSDM研究会 / 次のSDM研究会 [HTML] / [HTML(simple)] / [TEXT]  [Japanese] / [English] 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会