11月11日(木) 午前  10:00 - 11:45
	10:00-10:05	イントロダクトリー・トーク　（ 5分 ）
(1)	10:05-10:55	［招待講演］2010 SISPADレビュー SDM2010-171	○鎌倉良成（阪大）
(2)	10:55-11:45	［招待講演］ばらつき・信頼性シミュレーション技術の最新動向 ～ SISPAD2010併設ワークショップ1のレビュー ～ SDM2010-172	○鳥山周一（東芝）
	11:45-13:00	昼食　（ 75分 ）
11月11日(木) 午後  13:00 - 15:30
(3)	13:00-13:50	［招待講演］磁性体メモリ最新動向と多値スピン注入MRAM（MLC-SPRAM） SDM2010-173	○石垣隆士・河原尊之・竹村理一郎・小埜和夫・伊藤顕知（日立）・大野英男（東北大）
(4)	13:50-14:40	［招待講演］MOSFETにおけるランダムテレグラフシグナルの統計的評価方法 SDM2010-174	○寺本章伸・阿部健一・須川成利・大見忠弘（東北大）
(5)	14:40-15:30	［招待講演］金属電極／高誘電率絶縁膜界面の物理を中心としたHigh-k/Metalゲートスタックの実効仕事関数変調機構の理解 SDM2010-175	○細井卓治・佐伯雅之・喜多祐起・奥　雄大・有村拓晃・北野尚武（阪大）・白石賢二・山田啓作（筑波大）・志村考功・渡部平司（阪大）
11月12日(金) 午前  10:30 - 11:45
(6)	10:30-10:55	高速応答の低ドロップアウト(LDO)レギュレータに関する研究 SDM2010-176	○Fouzhiwei Tong・範　公可（電通大）
(7)	10:55-11:20	形状シミュレーションによるSiO2及びSiエッチングのモデル化と、BiCSメモリホールエッチング SDM2010-177	○市川尚志・一之瀬大吾・川端研二・玉置直樹（東芝）
(8)	11:20-11:45	自動化超高速化量子分子動力学法の開発とシリコン表面のドライ・ウェットおよびラジカル酸化反応シミュレーション SDM2010-178	○坪井秀行・稲葉賢二・伊勢真理子・林　由紀江・鈴木裕佳・佐藤裕美・小原幸子・南雲　亮・三浦隆治・鈴木　愛・畠山　望・遠藤　明・高羽洋充・久保百司・宮本　明（東北大）
	11:45-13:00	昼食　（ 75分 ）
11月12日(金) 午後  13:00 - 15:55
(9)	13:00-13:50	［招待講演］VLSI設計自動化の現状と将来展望 SDM2010-179	○高橋篤司（阪大）
(10)	13:50-14:15	インバータセルにおけるSingle-Event-Transientパルス発生のモデリング SDM2010-180	○田中克彦・中村英之・上村大樹・竹内　幹・福田寿一・熊代成孝・最上　徹（MIRAI-Selete）
(11)	14:15-14:40	HV-MOSFETのオーバーラップ領域における2次元効果のモデル化 SDM2010-181	○田中昭洋・折附泰典・菊地原秀行・三宅正尭・マタウシュ ハンス ユルゲン・三浦道子（広島大）・リウ ヨン・グリーン キース（Texas Instruments）
(12)	14:40-15:05	SPICEモデルを用いた特性合わせ込みにおける誤差指標の提案 SDM2010-182	○坂本浩則・飯塚貴弘（ルネサス エレクトロニクス）
(13)	15:05-15:30	シリコンナノワイヤにおけるホール電流のひずみ依存性 SDM2010-183	○三成英樹（阪大/JST）・北山達郎・山本将央（阪大）・森　伸也（阪大/JST）
(14)	15:30-15:55	GAA-MOSFETの極限微細化指針の検討 ～ モデルによるサブ30nmチャネルデバイスの実現性に関する考察 ～ SDM2010-184	○仲野駿佑・大村泰久（関西大）

問合先と今後の予定
SDM	シリコン材料・デバイス研究会（SDM）   [今後の予定はこちら]
	問合先	安斎 久浩(ソニー) Tel 046-201-3297 Fax046-202-6572 E-: Hisahiro.Ansai＠jp.sony.com

Last modified: 2010-10-01 12:02:13