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電子部品・材料研究会(CPM) [schedule] [select]
専門委員長 石井 清
副委員長 上村 喜一
幹事 松浦 徹, 豊田 誠治
幹事補佐 清水 英彦, 竹村 泰司

日時 2006年11月 9日(木) 13:30 - 17:25
2006年11月10日(金) 09:00 - 12:05
議題 薄膜プロセス・材料、一般 
会場名 金沢大学角間キャンパス 
住所 〒920-1192 金沢市角間町
交通案内 JR金沢駅から北陸鉄道バスにて約40分
http://www.kanazawa-u.ac.jp/j/info/access/access.html
会場世話人
連絡先
金沢大学 大学院 電子情報科学専攻 森本章治
076-234-4876

11月9日(木) 午後 
13:30 - 17:25
(1) 13:30-13:55 スパッタ法によるAZO薄膜の作製 川上 歩野口 亨東出陽幸宮崎紳介清水英彦丸山武男岩野春男川上貴浩新潟大)・星 陽一東京工芸大
(2) 13:55-14:20 プラスチック基板上へのITO薄膜の作製 竹内正樹森下和哉梅津 岳中田悠介宮崎紳介清水英彦丸山武男岩野春男川上貴浩新潟大)・星 陽一東京工芸大)・皆川正寛日本精機
(3) 14:20-14:45 RFマグネトロンスパッタ法によるCr2O3薄膜の作製 浅田 毅長瀬研二朗山田貴之岩田展幸山本 寛日大
(4) 14:45-15:10 Ni/Mo層上におけるカーボンナノチューブの成長制御 奥山博基岩田展幸山本 寛日大
  15:10-15:20 休憩 ( 10分 )
(5) 15:20-15:45 RF-MBE法により成長したAlInN薄膜のCL測定による評価 味村 裕寺嶋 亘千葉大)・崔 成伯石谷善博吉川明彦千葉大/JST
(6) 15:45-16:10 反応性スパッタ法によるAlN薄膜の作製とLD用サブマウントへの応用 塩野晃宏中久木政秀小林勲生山上朋彦林部林平信州大)・小畑元樹シチズンファインテック)・阿部克也上村喜一信州大
(7) 16:10-16:35 Cu/ZrN/SiOC/Si構造の熱的安定性と界面モフォロジーの検討 野矢 厚佐藤 勝武山真弓北見工大)・青柳英二東北大
(8) 16:35-17:00 Cu配線のためのラジカル反応を用いた極薄TiNxバリヤの新規作製方法の検討 武山真弓柳田賢善野矢 厚北見工大
(9) 17:00-17:25 HW法により成膜された極薄HfNx膜のCu/SiO2及びCu/SiOC間のバリヤ特性 佐藤 勝武山真弓野矢 厚北見工大
11月10日(金) 午前 
09:00 - 12:05
(10) 09:00-09:25 IBS法による歪Si作製に向けた歪緩和SiGeの表面ラフネス制御 山本 純坂口勇太成瀬公博佐々木公洋金沢大
(11) 09:25-09:50 劣化エピタキシャル成長したSiGe薄膜の熱電性能 ~ 基板の影響 ~ 的場彰成早平寿夫都築崇博佐々木公洋金沢大)・岡本庸一守本 純防衛大
(12) 09:50-10:15 SiC埋め込み型Geナノドット構造を目指した高密度ナノドット形成 金丸哲史荻原智明安井寛治赤羽正志高田雅介長岡技科大
(13) 10:15-10:40 MOVPE成長したInN膜の成長中劣化現象 杉田憲一宝珍禎則橋本明弘山本暠勇福井大
  10:40-10:50 休憩 ( 10分 )
(14) 10:50-11:15 制限反応スパッタ法によるZrO2薄膜作製における成長遅れ時間 杉山英孝小島述央山岸大朗周 英佐々木公洋金沢大
(15) 11:15-11:40 酸素イオンのスパッタ照射による酸化物薄膜の作製装置 千葉 忍金沢大/CBC)・佐々木公洋金沢大)・元木 詮CBC)・畑 朋延JST)・伊藤昭彦芝浦メカトロニクス
(16) 11:40-12:05 スパッタ法で作製されたNiCr薄膜の構造と抵抗温度係数(TCR)特性に及ぼす基板表面あらさの影響 岩坪 聡清水孝晃富山県工技センター

講演時間
一般講演(25)発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
CPM 電子部品・材料研究会(CPM)   [今後の予定はこちら]
問合先 清水 英彦(新潟大学)
TEL 025-262-6811, FAX 025-262-6811
E-: engi-u

森本 章治(金沢大学)
Tel: 076-234-4876 Fax: 076-234-4870
E-: atect-u

安井 寛治(長岡技術科学大学)
TEL 0258-47-9502 FAX 0258-47-9500
E-: kivosut 


Last modified: 2006-10-30 21:12:26


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