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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 大野 裕三 (筑波大)
副委員長 国清 辰也 (ルネサス エレクトロニクス)
幹事 黒田 理人 (東北大)
幹事補佐 山口 直 (ルネサス エレクトロニクス)

日時 2015年 1月27日(火) 10:00 - 17:10
議題 先端CMOSデバイス・ プロセス技術(IEDM特集) 
会場名 機械振興会館 地下3階研修1号室 
交通案内 営団地下鉄日比谷線神谷町駅下車 徒歩8分
他の共催 ◆応用物理学会共催
お知らせ ◎研究会終了後,懇親会を予定していますのでご参加ください(参加費別途).

1月27日(火) 午前 
10:00 - 12:05
(1) 10:00-10:25 [招待講演]Analytical formulation of interfacial SiO2scavenging in HfO2/SiO2/Si stacks Xiuyan LiTakeaki YajimaTomonori NishimuraKosuke NagashioAkira ToriumiUniv. of Tokyo
(2) 10:25-10:50 [招待講演]Dramatic Effects of Hydrogen-induced Out-diffusion of Oxygen from Ge Surface on Junction Leakage as well as Electron Mobility in n-channel Ge MOSFETs ChoongHyun LeeTomonori NishimuraCimang LuShoichi KabuyanagiAkira ToriumiUniv. of Tokyo
(3) 10:50-11:15 [招待講演]ゲルマニウムソース薄膜ひずみSOIトンネルFETの実現とその電気特性に与えるひずみ、MOS界面、バックバイアスの効果 金 閔洙若林勇希中根了昌横山正史竹中 充高木信一東大
(4) 11:15-11:40 [招待講演]フラッシュランプアニール法による多結晶Ge tri-gateジャンクションレスp-/n-MOSFET動作の実証 臼田宏治鎌田善巳上牟田雄一森 貴洋小池正浩手塚 勉産総研
(5) 11:40-12:05 [招待講演]電子・フォノン統合モンテカルロシミュレータによる微細トランジスタの自己発熱析 鎌倉良成インドラ ヌル アディスシロ久木田健太郎脇村 豪阪大)・木場隼介土屋英昭神戸大)・森 伸也阪大
  12:05-13:30 昼食 ( 85分 )
1月27日(火) 午後 
13:30 - 17:10
(6) 13:30-14:00 IEDM2014を振り返って 高柳真理子(東芝)
(7) 14:00-14:25 [招待講演]次世代3DICのためのCMOSウエーハ高精度積層技術~システムとプロセス~ 岡田政志菅谷 功三ツ石 創前田栄裕泉 重人中平法生岡本和也ニコン
(8) 14:25-14:50 [招待講演]SOI基板の直接接合を用いた画素並列A/D変換方式3次元構造CMOSイメージセンサ 後藤正英萩原 啓井口義則大竹 浩NHK)・更屋拓哉小林正治日暮栄治年吉 洋平本俊郎東大
(9) 14:50-15:15 [招待講演]次世代垂直磁化MTJと非対称磁場補正技術を用いたキャッシュメモリ向け低電力高密度STT-MRAM 池上一隆野口紘希鎌田親義天野 実安部恵子櫛田桂一落合隆夫下村尚治板井翔吾才田大輔田中千加川澄 篤原 浩幸伊藤順一藤田 忍東芝
  15:15-15:30 休憩 ( 15分 )
(10) 15:30-15:55 [招待講演]n型トンネルトランジスタにおけるPBTI寿命の正確な予測 水林 亘森 貴洋福田浩一柳 永勛松川 貴石川由紀遠藤和彦大内真一塚田順一山内洋美森田行則右田真司太田裕之昌原明植産総研
(11) 15:55-16:20 [招待講演]16nmノードMetal/high-k FinFETプロセスを用いたワード線オーバードライブアシスト技術による高速シングルポートSRAM 藪内 誠森本薫夫塚本康正田中信二田中浩司田中美紀新居浩二ルネサス エレクトロニクス
(12) 16:20-16:45 [招待講演]非晶質金属ゲート電極FinFETによるばらつき・低周波ノイズ抑制とアナログ・デジタル回路のスケーリング限界の改善 松川 貴福田浩一柳 永勛塚田順一山内洋美石川由紀遠藤和彦大内真一右田真司水林 亘森田行則太田裕之昌原明植産総研
(13) 16:45-17:10 [招待講演]Si CMOSプラットフォームにおけるp-n相補型トンネルFinFETの急峻サブスレッショルド・スイングおよび超低オフ電流の実証 森田行則森 貴洋福田浩一水林 亘右田真司松川 貴遠藤和彦大内真一柳 永勛昌原明植太田裕之産総研

講演時間
招待講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 黒田 理人(東北大)
Tel 022-795-4833 Fax 022-795-4834
E-: fffe 


Last modified: 2014-11-19 19:51:31


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