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電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 原 直紀 (富士通研)
副委員長 前澤 宏一 (富山大)
幹事 葛西 誠也 (北大), 松永 高治 (NEC)
幹事補佐 鈴木 寿一 (北陸先端大), 新井 学 (新日本無線)

日時 2014年 8月 1日(金) 10:30 - 16:40
議題 半導体プロセス・デバイス(表面、界面、信頼性)、一般 
会場名 機械振興会館B3-1室 
交通案内 http://www.jspmi.or.jp/kaigishitsu/index.html

8月1日(金) 午前 
10:30 - 12:10
(1) 10:30-11:20 [招待講演]高感度ミリ波受信用GaAsSbバックワードダイオード技術 高橋 剛佐藤 優中舍安宏芝 祥一原 直紀岩井大介富士通研
(2) 11:20-11:45 GaAsSb/InGaAsヘテロ接合を用いたDouble-Gate Tunnel FETの理論特性とその実験的検証 大橋一水藤松基彦宮本恭幸東工大
(3) 11:45-12:10 貫通転位がInSb HEMT のデバイス特性に与える影響の解析 初芝正太長井彰平藤川紗千恵東京理科大)・原 紳介遠藤 聡渡邊一世笠松章史NICT)・藤代博記東京理科大
  12:10-13:30 休憩 ( 80分 )
8月1日(金) 午後 
13:30 - 16:40
(4) 13:30-14:20 [招待講演]低電圧/高速動作にむけたInGaAs MOSFETソース構造 宮本恭幸金澤 徹米内義晴加藤 淳藤松基彦柏野壮志大澤一斗大橋一水東工大
(5) 14:20-14:45 III-V DG MOSFETにおける遅延時間の発生メカニズムの解析 矢島悠貴大濱諒子藤川紗千恵藤代博記東京理科大
(6) 14:45-15:10 GaAs JPHEMT P-Type Cap層によるオフ特性改善 竹内克彦谷口 理柳田将志ソニー)・佐々木有司中村光宏ソニーセミコンダクタ)・和田伸一ソニー
  15:10-15:25 休憩 ( 15分 )
(7) 15:25-15:50 シートデバイスに向けた塗布型カーボンナノチューブTFTの作製 遠藤浩幸殿内規之二瓶史行NEC)・関谷 毅染谷隆夫東大
(8) 15:50-16:15 Al2O3/β-Ga2O3ヘテロ接合におけるバンドオフセット 上村崇史NICT)・佐々木公平タムラ)・黄 文海ダイワシガマニ キルシナムルティNICT)・倉又朗人タムラ)・増井建和光波)・山越茂伸タムラ)・東脇正高NICT
(9) 16:15-16:40 硬X線光電子分光によるGaAs表面の状態解析 斎藤吉広鶴見大輔飯原順次富永愛子米村卓巳山口浩司住友電工

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 上田 哲三(パナソニック)
TEL:06-6906-4940 Fax :06-6906-2426
E-zopac
葛西 誠也(北海道大)
TEL : 011-706-6509 Fax : 011-716-6004
E- : irciqei 


Last modified: 2014-06-17 15:28:17


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