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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 渡辺 重佳 (湘南工科大)
副委員長 杉井 寿博 (富士通マイクロエレクトロニクス)
幹事 川中 繁 (東芝), 安斎 久浩 (ソニー)
幹事補佐 大見 俊一郎 (東工大)

日時 2008年11月13日(木) 13:00 - 16:00
2008年11月14日(金) 10:00 - 17:05
議題 プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 
会場名 機械振興会館 
住所 〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8
交通案内 地下鉄神谷町下車徒歩10分
http://www.jspmi.or.jp
他の共催 ◆応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会

11月13日(木) 午後 
13:00 - 16:00
  13:00-13:10 イントロダクトリー・トーク 小田中紳二(阪大) ( 10分 )
(1) 13:10-14:00 [招待講演]【招待講演】先端システムLSIにおけるアナログ回路設計 道正志郎崎山史朗森江隆史松川和生松下電器
(2) 14:00-14:50 [招待講演]ミリ波CMOS回路設計とデバイスモデリング 藤島 実東大
  14:50-15:10 休憩 ( 20分 )
(3) 15:10-15:35 13.75ns高速ホログラム光再構成 中島真央渡邊 実静岡大
(4) 15:35-16:00 大規模光再構成型ゲートアレイにおけるホログラムメモリの不良耐性 瀬戸大作渡邊 実静岡大
11月14日(金) 午前 
10:00 - 11:40
(5) 10:00-10:25 次世代半導体デバイス3次元シミュレータの開発(1) ~ 強安定収束シミュレータの開発 ~ 桜井清吾朱 日明佐藤昌宏山口 憲アドバンスソフト
(6) 10:25-10:50 次世代半導体デバイス3次元シミュレータの開発(2) ~ 立体構造の容易生成と高品質メッシュシステム ~ 朱 日明佐藤昌宏桜井清吾山口 憲アドバンスソフト
(7) 10:50-11:15 時間依存デバイスシミュレーションのための量子ドリフト‐拡散モデルの離散化手法 島田知子小田中紳二阪大
(8) 11:15-11:40 ナノスケールSOI MOFETの閾値電圧シフトに対するバンド非放物線性の影響に関するモデルの検討 ~ バンド非放物線性モデルの修正と検証 ~ 京兼大輔大村泰久関西大
11月14日(金) 午後 
13:00 - 17:05
(9) 13:00-13:50 [招待講演]LDMOSのデバイスモデリングと回路設計 ~ 回路設計に必要なデバイスモデリングとは ~ 渡辺博文根来宝昭リコー
(10) 13:50-14:40 [招待講演][招待講演]ディープサブミクロン世代におけるSRAMのロバスト設計 新居浩二薮内 誠塚本康正大林茂樹篠原尋史ルネサステクノロジ
  14:40-15:00 休憩 ( 20分 )
(11) 15:00-15:25 ナノスケールMOSFETチャネル中の引力型イオンがデバイス電気特性に与える影響 鎌倉良成ミリニコフ ゲナディ森 伸也阪大)・江崎達也広島大
(12) 15:25-15:50 極微細MOSFETにおけるゲートトンネル電流の3次元NEGFシミュレーション 三成英樹西谷大祐森 伸也阪大
(13) 15:50-16:15 フラックス方程式に基づいたシリコンの高電界輸送の解析 両角直人名取研二筑波大
(14) 16:15-16:40 シリコンナノワイヤトランジスタの3次元量子輸送シミュレーション 山田吉宏土屋英昭小川真人神戸大
(15) 16:40-17:05 第一原理計算によるひずみシリコンナノ構造チャネルの電子状態解析 前川忠史山内恒毅原 孟史土屋英昭小川真人神戸大

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 川中繁 (東芝)
TEL 045-776-5670, FAX 045-776-4104
E- geba 


Last modified: 2008-09-25 19:44:14


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