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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 浅野 種正
副委員長 杉井 寿博
幹事 大野 守史, 高柳 万里子
幹事補佐 松井 裕一

日時 2006年 6月21日(水) 13:00 - 17:40
2006年 6月22日(木) 09:00 - 15:55
議題 ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術 
会場名 広島大学 学士会館 
住所 東広島市鏡山1丁目2-2
交通案内 JR西条駅からバスで15分、「広大中央口」下車
http://www.hiroshima-u.ac.jp/add_html/access/ja/saijyo2.html
会場世話人
連絡先
広島大学 大学院先端物質科学研究科 宮崎誠一
082-424-7656
他の共催 ◆応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 共催
お知らせ ◎今回の合同研究会において、応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会研究集会に関するお問い合わせは、担当オーガナイザー:廣瀬和之(宇宙航空研究開発機構, pubis ), 金田千穂子(富士通研究所, o )へお願いいたします。
◎初日研究会終了後,懇親会を予定していますので御参加ください.

6月21日(水) 午後 
13:00 - 17:40
(1) 13:00-13:25 MOCVD法による堆積膜/SiCの作製と評価 日野史郎畑山智裕徳光永輔東工大)・三浦成久大森達夫三菱電機
(2) 13:25-13:50 HfO2/Ge(100)構造における光電子分光分析 中川 博大田晃生安部浩透村上秀樹東 清一郎宮崎誠一広島大
(3) 13:50-14:15 光電子分光法によるAl2O3/SiNx/poly-Siスタック構造における界面反応評価 古川寛章多比良昌弘大田晃生中川 博村上秀樹宮崎誠一広島大)・米田賢司堀川貢弘小山邦明三宅秀治エルピーダメモリ
  14:15-14:30 休憩 ( 15分 )
(4) 14:30-14:55 La2O3-Al2O3複合膜における定電圧ストレス印加時の局所的な電荷捕獲とその放出過程 佐合寿文世古明義坂下満男酒井 朗小川正毅財満鎭明名大
(5) 14:55-15:20 低速陽電子ビームを用いたhigh-kゲート絶縁膜の空隙の評価 上殿明良大塚 崇伊東健一白石賢二山部紀久夫筑波大)・宮崎誠一広島大)・梅澤直人知京豊裕物質・材料研究機構)・大平俊行鈴木良一産総研)・犬宮誠治神山 聡半導体先端テクノロジーズ)・赤坂泰志東京エレクトロン)・奈良安雄半導体先端テクノロジーズ)・山田啓作早大
(6) 15:20-15:45 フェルミピニングによるpoly-Si電極の仕事関数制御と低電力用CMOSFET特性の向上 嶋本泰洋日立)・由上二郎井上真雄水谷斉治林 岳米田昌弘ルネサステクノロジ
  15:45-16:00 休憩 ( 15分 )
(7) 16:00-16:25 金属電極/High-k絶縁膜キャパシタのフラットバンド電圧特性に与える仕事関数変調及び熱処理の影響 大毛利健治物質・材料研究機構)・Parhat Ahmet東工大)・白石賢二筑波大)・渡部平司阪大)・赤坂泰志半導体先端テクノロジーズ)・山部紀久雄筑波大)・吉武道子物質・材料研究機構)・K. S. ChangM. L. GreenNIST)・奈良安雄半導体先端テクノロジーズ)・山田啓作早大)・知京豊裕物質・材料研究機構
(8) 16:25-16:50 NiSi/SiO2界面近傍の化学結合状態およびNiSi 層の実効仕事関数評価 吉永博路東 大介村上秀樹大田晃生宗高勇気東 清一郎宮崎誠一広島大)・青山敬幸保坂公彦富士通研)・芝原健太郎広島大
(9) 16:50-17:15 シリコン表面マイクロラフネスの発生メカニズムと低減技術 森永 均島岡健治大見忠弘東北大
(10) 17:15-17:40 フェリチンタンパク質コアの非晶質Si薄膜中熱処理による還元 松村貴志三浦篤志・○浦岡行治冬木 隆奈良先端大)・吉井重雄山下一郎松下電器
  17:40-18:00 休憩 ( 20分 )
  18:00-19:30 懇親会(立食形式:参加希望者は、当日受付にて会費をお支払い下さい。) ( 90分 )
6月22日(木) 午前 
09:00 - 15:55
(11) 09:00-09:25 Si(110)とSi(100)表面の初期酸化過程の違い ~ リアルタイム光電子分光測定から ~ 末光眞希加藤 篤富樫秀晃今野篤史東北大)・寺岡有殿吉越章隆原子力機構)・成田 克九工大
(12) 09:25-09:50 Si(110)基板上CMOSトランジスタ特性のGate酸化プロセス依存性 桧山 晋王 俊利加藤孝義平野智之田井香織岩元勇人ソニー
(13) 09:50-10:15 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性 樋口正顕東北大)・品川誠治武蔵工大)・寺本章伸東北大)・野平博司武蔵工大)・服部健雄東北大/武蔵工大)・池永英司高輝度光科学研究センター)・須川成利大見忠弘東北大
  10:15-10:30 休憩 ( 15分 )
(14) 10:30-10:55 角度分解光電子分光を用いたSiO2/SiN積層膜の窒素濃度分布の解析 豊田智史岡林 潤尾嶋正治東大)・劉 国林劉 紫園池田和人臼田宏治半導体理工学研究センター
(15) 10:55-11:20 窒素高濃度極薄SiON膜のVtb改善メカニズム 松下大介村岡浩一中崎 靖加藤弘一菊地祥子佐久間 究三谷祐一郎高柳万里子江口和弘東芝
(16) 11:20-11:45 極薄ゲート絶縁膜のNBTIに及ぼす窒素と水素の影響 三谷祐一郎佐竹秀喜東芝
  11:45-12:45 昼食 ( 60分 )
(17) 12:45-13:10 HfNのECRプラズマ酸化によるHfON薄膜の形成 大見俊一郎黒瀬朋紀佐藤雅樹東工大
(18) 13:10-13:35 酸素雰囲気アニール中のHfO2/SiO2/Si(001)界面反応の高分解能RBS観察 趙 明・○中嶋 薫鈴木基史木村健二京大)・植松真司NTT)・鳥居和功神山 聡奈良安雄半導体先端テクノロジーズ)・山田啓作早大
(19) 13:35-14:00 HfO2系ゲート絶縁膜の熱的安定性に対する窒素添加効果 高橋憲彦山崎隆浩金田千穂子富士通研
  14:00-14:15 休憩 ( 15分 )
(20) 14:15-14:40 還元雰囲気下でのゲート電極形成プロセスによるHfo2膜の初期絶縁破壊 水林 亘小川有人生田目俊秀佐竹秀喜鳥海 明産総研
(21) 14:40-15:05 HfSiON膜電気特性の窒素濃度依存性 蓮沼 隆内藤達也筑波大)・犬宮誠治半導体先端テクノロジーズ)・山部紀久夫筑波大
(22) 15:05-15:30 XPSを用いたAu/極薄SiO2界面のバリアハイトの測定 鈴木治彦長谷川 覚野平博司武蔵工大)・服部健雄武蔵工大/東工大)・山脇師之鈴木信子総研大)・小林大輔廣瀬和之JAXA
(23) 15:30-15:55 Ni-FUSI/SiO(N)界面不純物効果とFUGE(Fully Germanided)電極の仕事関数決定要因の考察 土屋義規吉木昌彦木下敦寛小山正人古賀淳二西山 彰東芝
  - 題目の後に*のついた講演は、応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会でアレンジした講演です。

6月研究会担当
宮崎誠一(広島大)
羽路伸夫(横浜国大)
松井裕一(日立)

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 大野 守史(沖電気工業株式会社)
E-:oh565o
TEL:0426-62-6104, FAX:0426-67-8367 


Last modified: 2006-04-21 19:36:19


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