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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 奈良 安雄
副委員長 大野 裕三 (筑波大)
幹事 笹子 佳孝 (日立)
幹事補佐 黒田 理人 (東北大)

日時 2014年 1月29日(水) 09:30 - 17:00
議題 先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集) 
会場名 機械振興会館 地下3階研修1号室 
交通案内 営団地下鉄日比谷線神谷町駅下車 徒歩8分
他の共催 ◆応用物理学会共催
お知らせ ◎研究会終了後,懇親会を予定していますのでご参加ください(参加費別途).

1月29日(水) 午前 
09:30 - 11:40
  09:30-09:35 はじめに 坂本邦博(産総研) ( 5分 )
(1) 09:35-10:00 [招待講演]2層グラフェンにおけるギャップ内のキャリア応答と高電界でのサブバンド散乱 長汐晃輔金山 薫西村知紀鳥海 明東大
(2) 10:00-10:25 [招待講演]基板からみたGe n-MOSFETsにおける電子移動度の考察 李 忠賢西村知紀田畑俊行魯 辞莽張 文峰長汐晃輔鳥海 明東大
(3) 10:25-10:50 [招待講演]MOVPE再成長により形成した(111)B面を有する高移動度三角形状InGaAs-OI nMOSFETs 入沢寿史小田 穣池田圭司守山佳彦三枝栄子W Jevasuwan前田辰郎産総研)・市川 麿長田剛規秦 雅彦住友化学)・宮本恭幸東工大)・手塚 勉産総研
(4) 10:50-11:15 [招待講演]高信頼メタル/high-k CMOS SOI FinFETsのための高温イオン注入技術 水林 亘産総研)・おの田 博中島良樹日新イオン機器)・石川由紀松川 貴遠藤和彦Yongxun Liu大内真一塚田順一山内洋美右田真司森田行則太田裕之昌原明植産総研
(5) 11:15-11:40 [招待講演]Si上III-V族半導体ナノワイヤの集積:高性能縦型FETと低電圧トランジスタ応用 冨岡克広北大/JST)・福井孝志北大
  11:40-12:40 昼食 ( 60分 )
1月29日(水) 午後 
12:40 - 17:00
(6) 12:40-13:05 IEDMを振り返って 遠藤和彦(産総研)
(7) 13:05-13:30 [招待講演]不揮発性メモリMRAMの現状と将来展望 湯浅新治福島章雄薬師寺 啓野崎隆行甲野藤真前原大樹久保田 均谷口知大荒井礼子今村裕志安藤功兒産総研)・塩田陽一Frederic Bonnel鈴木義茂阪大)・下村尚治東芝
(8) 13:30-13:55 [招待講演]適応的コンピューティングシステムのための容量可変不揮発メモリアレイ 野口紘希武田 進野村久美子安部恵子池上一隆北川英二下村尚治伊藤順一・○藤田 忍東芝
(9) 13:55-14:20 [招待講演]110 億トランジスタの特性分布における±5.4σより外れたトランジスタの解析 水谷朋子クマール アニール平本俊郎東大
  14:20-14:40 休憩 ( 20分 )
(10) 14:40-15:05 [招待講演]P/N駆動力バランスを考慮した基板バイアス制御による超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらつき抑制 槇山秀樹山本芳樹篠原博文岩松俊明尾田秀一杉井信之超低電圧デバイス技術研究組合)・石橋孝一郎電通大)・水谷朋子平本俊郎東大)・山口泰男超低電圧デバイス技術研究組合
(11) 15:05-15:30 [招待講演]強い短チャネル効果耐性と閾値変調性を持つ極薄膜InAs-on-Insulator Tri-Gate MOSFET 金 相賢横山正史中根了昌東大)・市川 磨長田剛規秦 雅彦住友化学)・竹中 充高木信一東大
(12) 15:30-15:55 [招待講演]3D Integrated CMOS Device by Using Wafer Stacking and Via-last TSV Mayu AokiFutoshi FurutaKazuyuki HozawaYuko HanaokaKenichi TakedaHitachi
(13) 15:55-16:20 [招待講演]1.2μm裏面照射型イメージセンサにおける飽和信号増大と混色抑制のための三次元構造 篠原武一・○渡辺一史ソニーセミコンダクタ)・太田和伸ソニー)・中山 創ソニーセミコンダクタ)・森川隆史ソニー)・大野圭一杉本 大ソニーセミコンダクタ)・門村新吾平山照峰ソニー
(14) 16:20-17:00 総合討論

講演時間
招待講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 小野 行徳(NTT)
Tel 046-240-2641 Fax 046-240-4317
E-: o 


Last modified: 2014-01-06 17:33:06


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