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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 品田 高宏 (東北大)
副委員長 平野 博茂 (パナソニック・タワージャズ)
幹事 池田 浩也 (静岡大), 諸岡 哲 (東芝メモリー)
幹事補佐 森 貴洋 (産総研), 小林 伸彰 (日大)

日時 2019年 6月21日(金) 11:00 - 17:05
議題 MOSデバイス・メモリ高性能化-材料・プロセス技術 (応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会との合同開催) 
会場名 名古屋大学 ベンチャービジネスラボラトリー ベンチャーホール3F 
住所 〒464-0814 名古屋市千種区不老町B2-4
交通案内 www.vbl.nagoya-u.ac.jp/access.html
他の共催 ◆応用物理学会共催
参加費に
ついて
この開催は「技報完全電子化」研究会です.参加費(SDM研究会)についてはこちらをご覧ください.

6月21日(金) 午前 
11:00 - 17:05
(1) 11:00-11:20 NO窒化処理を施したSiO2/SiC界面近傍の窒素分布評価 細井卓治Kidist Moges阪大)・染谷 満産総研)・志村考功阪大)・原田信介産総研)・渡部平司阪大
(2) 11:20-11:40 Ultra-low resistance contact for n-type Ge1-xSnx with in-situ Sb heavily doping and nickel stanogermanide formation Jihee JeonAkihiro SuzukiShigehisa ShibayamaShigeaki ZaimaOsamu NakatsukaNagoya Univ.
(3) 11:40-12:00 熱処理によるAl/Ge(111)上の極薄Ge層形成 小林征登大田晃生黒澤昌志洗平昌晃田岡紀之池田弥央牧原克典宮﨑誠一名大
(4) 12:00-12:20 イオン注入法によるⅣ族半導体混晶薄膜の歪緩和促進機構について 祖父江秀隆福田雅大柴山茂久名大)・財満鎭明名城大)・中塚 理名大
  12:20-13:30 昼食 ( 70分 )
(5) 13:30-14:00 [依頼講演]電子デバイスから見た 2D/3D ナノ計測の必要性 ナノ計測の必要性 臼田宏冶東芝メモリ
(6) 14:00-14:30 [依頼講演]超音波原子間力顕微鏡によるナノ領域弾性特性評価 辻 俊宏東北大)・山中一司ボールウェーブ
(7) 14:30-15:00 [依頼講演]光電子ホログラフィー法によるシリコン中に高濃度ドープされた活性および不活性な不純物原子の三次元原子配列構造の観測 筒井一生東工大)・松下智裕高輝度光科学研究センター)・名取鼓太郞小川達博東工大)・室 隆桂之高輝度光科学研究センター)・森川良忠阪大)・星井拓也角嶋邦之若林 整東工大)・林 好一名工大)・松井文彦分子科学研)・木下豊彦高輝度光科学研究センター
(8) 15:00-15:30 [依頼講演]X線によるナノデバイスおよび格子欠陥の三次元観測 ~ シリコン材料・デバイス研究会 ~ 表 和彦伊藤義泰リガク
  15:30-15:45 休憩 ( 15分 )
(9) 15:45-16:05 超急峻スイッチングを可能にするVO2モットトランジスタの特殊な動作モード 矢嶋赳彬東大)・佐俣勇佑西村知紀鳥海 明JST
(10) 16:05-16:25 超格子GeTe/Sb2Te3メモリの第一原理計算による構造変化シミュレーション 小川湧太郎野原弘晶白川裕規洗平昌晃白石賢二名大
(11) 16:25-16:45 ホウ素導入を行ったALD-Al2O3/GaN-MOSキャパシタにおける界面特性評価 出来真斗奥出 真安藤悠人渡邉浩崇田中敦之久志本真希新田州吾本田善央天野 浩名大
(12) 16:45-17:05 HfSiOx/GaN(0001)の化学構造および電子状態分析 大田晃生牧原克典名大)・生田目俊秀物質・材料研究機構)・塩﨑宏司宮﨑誠一名大

講演時間
一般講演発表 15 分 + 質疑応答 5 分
依頼講演発表 25 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 諸岡 哲(東芝メモリ)
Tel 059-390-7451 Fax 059-361-2739
E-: ba 


Last modified: 2019-04-19 21:22:29


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