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電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 原 直紀 (富士通研)
副委員長 前澤 宏一 (富山大)
幹事 上田 哲三 (パナソニック), 葛西 誠也 (北大)
幹事補佐 松永 高治 (NEC), 鈴木 寿一 (北陸先端大)

電子部品・材料研究会(CPM) [schedule] [select]
専門委員長 高野 泰 (静岡大)
副委員長 野毛 悟 (沼津高専)
幹事 圓佛 晃次 (NTT), 佐藤 知正 (神奈川大)
幹事補佐 小舘 淳一 (NTT), 岩田 展幸 (日大)

レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE) [schedule] [select]
専門委員長 松尾 慎治 (NTT)
副委員長 近藤 正彦 (阪大)
幹事 田中 有 (富士通研), 有賀 博 (三菱電機)

日時 2013年11月28日(木) 10:30 - 17:30
2013年11月29日(金) 09:30 - 17:10
議題 窒化物及び混晶半導体デバイス、及び一般 
会場名 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館ホール 
住所 〒565-0871 大阪府吹田市山田丘2-2
交通案内 阪急電車千里線:北千里駅(終点)下車東へ徒歩約15分,大阪モノレール:阪大病院前駅下車徒歩約5~15分,阪急バス:・千里中央発「阪大本部前行」、「茨木美穂ヶ丘行」阪大医学部前または阪大本部前下車 徒歩約5~15分・北千里発「阪大病院線」,近鉄バス・阪急茨木市駅発「阪大本部前行」(JR茨木駅経由)いずれも、阪大医学部前または阪大本部前下車 徒歩約5~15分
http://www.osaka-u.ac.jp/ja/access/accessmap.html
会場世話人
連絡先
工学研究科 電気電子情報工学専攻 近藤正彦
06-6879-7765
お知らせ ◎28日研究会終了後,懇親会を予定していますので御参加ください.

11月28日(木) 午前 
10:30 - 17:30
  10:30-10:35 委員長挨拶 ( 5分 )
(1) 10:35-11:00 InGaN半導体レーザのワット級高出力化とその応用展開 萩野裕幸左文字克哉吉田真治瀧川信一森本 廉瀧澤俊幸春日井秀紀山中一彦片山琢磨パナソニック
(2) 11:00-11:25 m面GaNの異方性ドライエッチングによるテクスチャーの形成とこれによるLED光取り出し効率の向上 藤田稔之山田篤志井上 彰加藤 亮横川俊哉パナソニック
(3) 11:25-11:50 350nm紫外LED光取り出し効率改善に関する研究 中嶋 翼竹田健一郎岩谷素顕上山 智竹内哲也赤﨑 勇名城大)・天野 浩名大
(4) 11:50-12:15 内部集光レーザを用いた窒化物半導体デバイス用基板のそり制御 ~ シリコン基板への応用 ~ 青田奈津子会田英雄武田秀俊並木精密宝石
  12:15-13:30 昼食,休憩 ( 75分 )
(5) 13:30-13:55 表面活性化ボンディング法により形成したSi/SiCヘテロ接合の電気特性 西田将太梁 剣波森本雅史重川直輝阪市大)・新井 学新日本無線
(6) 13:55-14:20 表面活性化ボンディング法によるタンデム太陽電池の作成 梁 剣波西田将太森本雅史重川直輝阪市大
(7) 14:20-14:45 InGaN/GaN MQW太陽電池におけるMQW構造最適化に関する考察 渡邉則之満原 学横山春喜NTT)・梁 剣波重川直輝阪市大
(8) 14:45-15:10 GaN自立基板上低キャリア厚膜n-GaNショットキー接触の評価 塩島謙次木原雄平青木俊周福井大)・金田直樹三島友義日立金属
(9) 15:10-15:35 低Mgドープp-GaNショットキー接触のAC動作 塩島謙次青木俊周福井大)・金田直樹三島友義日立金属
  15:35-15:50 休憩 ( 15分 )
(10) 15:50-16:15 高輝度電子ビーム源を目指したNEA表面p-GaNの量子効率 前川拓也本田善央天野 浩西谷智博名大
(11) 16:15-16:40 MOVPE法によるGaN及びAlGaNへのCドーピングに関する研究 若杉侑矢本田善央天野 浩名大
(12) 16:40-17:05 A novel method for crystallizations of aluminum nitride PeiTsen WuMitsuru FunatoYoichi KawakamiKyoto Univ.
(13) 17:05-17:30 トンネル接合を用いた多接合窒化物半導体の検討 黒川泰視合田智美加賀 充岩谷素顕竹内哲也上山 智名城大)・赤﨑 勇名城大/名大)・天野 浩名大
11月29日(金) 午前 
09:30 - 17:10
(14) 09:30-09:55 赤色発光Eu添加GaN/AlGaN多重量子井戸構造のOMVPE成長と発光特性 荒居孝紀若松龍太李 東建小泉 淳藤原康文阪大
(15) 09:55-10:20 有機金属気相エピタキシャル法により作製したEu,Si共添加GaNにおける欠陥準位の深準位過渡応答測定 桒田宗一郎小泉 淳藤原康文阪大
(16) 10:20-10:45 加圧MOVPE法によるInGaN厚膜成長に関する研究 山下康平本田善央山口雅史天野 浩名大
  10:45-11:00 休憩 ( 15分 )
(17) 11:00-11:25 薄膜3C-SiC緩衝層を用いたSi基板上GaN成長 片桐正義泉 健太三宅秀人平松和政三重大)・奥 秀彦浅村英俊川村啓介エア・ウォーターR&D
(18) 11:25-11:50 サファイア上AlN緩衝層のN2-COアニールとMOVPE法による高温成長 西尾 剛鈴木周平三宅秀人平松和政三重大)・福山博之東北大
(19) 11:50-12:15 減圧HVPE成長を用いた6H-SiC基板上へのAlN成長における核形成制御 北川 慎三宅秀人平松和政三重大
  12:15-13:30 昼食,休憩 ( 75分 )
(20) 13:30-13:55 270nm帯深紫外LEDの大面積形成 美濃卓哉理研/パナソニック)・平山秀樹理研)・野口憲路高野隆好椿 健治理研/パナソニック
(21) 13:55-14:20 透明p型AlGaNを用いた高効率深紫外LEDの実現 前田哲利平山秀樹理研
(22) 14:20-14:45 AlGaN系深紫外LEDの開発 一本松正道平野 光創光科学)・天野 浩名大)・赤崎 勇名城大
(23) 14:45-15:10 高効率深紫外LEDを目指したピラーAlNバッファーの開発 豊田史朗埼玉大/理研)・平山秀樹理研)・鎌田憲彦埼玉大
  15:10-15:25 休憩 ( 15分 )
(24) 15:25-15:50 ALD-Al2O3を有するInAlN MOS構造の電気的特性に対する作製プロセスの影響 千葉勝仁中野拓真赤澤正道北大
(25) 15:50-16:15 ZrO2/Al2O3積層膜をゲート絶縁膜に用いたn-GaN MISダイオードの界面特性 樹神真太郎徳田博邦葛原正明福井大
(26) 16:15-16:40 電気化学的手法によるGaN多孔質構造の形成と光電極特性 熊崎祐介渡部晃生谷田部然治佐藤威友北大
(27) 16:40-17:05 GaN-HEMTスイッチング回路における不要電磁波の放射特性の評価 井手利英鍛冶良作清水三聡産総研)・水谷研治上野弘明大塚信之上田哲三田中 毅パナソニック
  17:05-17:10 委員長挨拶 ( 5分 )

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 上田 哲三(パナソニック)
TEL:06-6906-4940 Fax :06-6906-2426
E-zopac
葛西 誠也(北海道大)
TEL : 011-706-6509 Fax : 011-716-6004
E- : irciqei 
CPM 電子部品・材料研究会(CPM)   [今後の予定はこちら]
問合先 佐藤 知正(神奈川大学)
TEL 045-481-5661, FAX 045-491-7915
E-: ut02-u 
LQE レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE)   [今後の予定はこちら]
問合先 田中 有(富士通研究所)
TEL 046-250-8251, FAX 046-250-8146
E-: _

有賀 博 (三菱電機)
TEL 0467-41-2906,FAX 0467-41-2519
E-: AHiabMibiElectc 
お知らせ ◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/
◎LQE研究会では 平成18年度より「LQE奨励賞」を設けました。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。


Last modified: 2013-09-20 23:28:30


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