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研究会終了後に懇親会を開催いたします。



シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 大野 裕三 (筑波大)
副委員長 国清 辰也 (ルネサス エレクトロニクス)
幹事 黒田 理人 (東北大)

日時 2014年 6月19日(木) 09:30 - 17:35
議題 MOSデバイス・メモリ高性能化-材料・プロセス技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催) 
会場名 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー 
住所 〒464-8603 名古屋市千種区不老町
交通案内 地下鉄 名古屋大学駅から徒歩3分
http://www.vbl.nagoya-u.ac.jp/access/index.html
会場世話人
連絡先
宮崎 誠一 (名古屋大学 大学院工学研究科)
052-789-3588
他の共催 ◆応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 共催
お知らせ ◎研究会終了後,懇親会を予定していますので御参加ください.

6月19日(木) 午前 
09:30 - 17:35
(1) 09:30-09:50 極薄EOT high-k/Geゲートスタックの熱安定性及び界面特性改善に向けたプロセス設計 淺原亮平細井卓治志村考功渡部平司阪大
(2) 09:50-10:10 Al2O3/GeOx/GeゲートスタックにおけるAl-PMA効果の調査 永冨雄太長岡裕一山本圭介王 冬中島 寛九大
(3) 10:10-10:30 Sn/Geコンタクトにおけるフェルミレベルピニング現象の軽減 鈴木陽洋朝羽俊介横井 淳黒澤昌志加藤公彦坂下満男田岡紀之中塚 理財満鎭明名大
(4) 10:30-10:50 金属/Ge界面における空孔欠陥の安定性:第一原理計算による検討 佐々木奨悟中山隆史千葉大
  10:50-11:05 休憩 ( 15分 )
(5) 11:05-11:25 Ge1-xSnxエピタキシャル成長における積層欠陥構造の制御 浅野孝典名大)・田岡紀之IHP Microelectronics)・中塚 理財満鎭明名大
(6) 11:25-11:45 Ge基板中のAs高効率活性化と低抵抗浅接合形成 浜田慎也村上秀樹小野貴寛橋本邦明広島大)・大田晃生名大)・花房宏明東 清一郎広島大)・宮崎誠一名大
(7) 11:45-12:05 ALD法で作製したAl2O3/(Ta/Nb)Ox/Al2O3多層構造のチャージトラップフラッシュメモリーの評価 生田目俊秀大井暁彦物質・材料研究機構)・伊藤和博高橋 誠阪大)・知京豊裕物質・材料研究機構
(8) 12:05-12:25 Mnナノドットを埋め込んだNi/SiOx/Ni構造の抵抗変化特性 荒井 崇大田晃生牧原克典宮崎誠一名大
  12:25-13:25 昼食 ( 60分 )
(9) 13:25-13:45 p-Cu2O/SiOx/n-SiC構造pnメモリダイオードの低温形成 山下敦史塚本貴広須田良幸東京農工大
(10) 13:45-14:05 第一原理計算を用いたSi-rich SiO2への水素・窒素原子の混入による影響の原子論的考察 白川裕規山口慶太筑波大)・神谷克政神奈川工科大)・白石賢二名大
(11) 14:05-14:25 ナノ構造中における電子輸送の理論的研究 藤田弦暉塩川太郎筑波大)・高田幸宏東京理科大)・小鍋 哲筑波大)・村口正和東北大)・山本貴博東京理科大)・遠藤哲郎東北大)・初貝安弘筑波大)・白石賢二名大
  14:25-14:40 休憩 ( 15分 )
(12) 14:40-15:00 [依頼講演]III-Vナノワイヤ/Siヘテロ接合界面の電子素子応用と光電変換素子応用 冨岡克広北大/JST)・福井孝志北大
(13) 15:00-15:20 [依頼講演]VO2単結晶薄膜中の転移応力制御による急峻な金属絶縁体転移の実現 矢嶋赳彬二宮裕磨西村知紀長汐晃輔鳥海 明東大
(14) 15:20-15:40 [依頼講演]ナノドットを電極に用いたNi/SiOx/Niダイオードの抵抗変化特性評価 大田晃生劉 冲荒井 崇竹内大智張 海牧原克典宮崎誠一名大
(15) 15:40-16:00 [依頼講演]抵抗変化メモリにおけるナノ導通フィラメントの抵抗の温度依存性 大塚慎太郎濱田佳典清水智弘新宮原正三関西大
  16:00-16:15 休憩 ( 15分 )
(16) 16:15-16:35 [依頼講演]抵抗変化メモリにおけるナノ空間を利用した導電性フィラメント形成制御とスイッチング特性の改善 高瀬浩一谷本優輔日大)・大塚慎太郎清水智弘新宮原正三関西大
(17) 16:35-16:55 [依頼講演]酸化物ナノ薄膜を用いた原子スイッチ型抵抗変化メモリーとその応用 鶴岡 徹長谷川 剛物質・材料研究機構
(18) 16:55-17:15 [依頼講演]絶縁膜上におけるIV族半導体多結晶薄膜の低温形成 ~ 低融点Snの活用 ~ 黒澤昌志名大/学振)・田岡紀之名大)・池上 浩九大)・竹内和歌奈坂下満男中塚 理財満鎭明名大
(19) 17:15-17:35 [依頼講演]4H-SiCにおける熱酸化界面構造の酸化雰囲気による相違 平井悠久東大)・喜多浩之東大/JST

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 黒田 理人
東北大学 大学院工学研究科
TEL: 022-795-4833
FAX: 022-795-4834
e: fffe 


Last modified: 2014-04-10 23:20:35


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