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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 平野 博茂 (タワー パートナーズ セミコンダクター)
副委員長 大見 俊一郎 (東工大)
幹事 森 貴洋 (産総研), 小林 伸彰 (日大)
幹事補佐 野田 泰史 (パナソニック), 諏訪 智之 (東北大)

日時 2020年10月22日(木) 10:00 - 16:20
議題 プロセス科学と新プロセス技術 
会場名 オンライン開催 
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
参加費に
ついて
この開催は「技報完全電子化」研究会です.参加費(SDM研究会)についてはこちらをご覧ください.

10月22日(木) 午前 
10:00 - 16:20
(1) 10:00-10:50 [記念講演]プラズマを利用した原子層制御エッチングプロセス SDM2020-14 熊倉 翔東京エレクトロン宮城
(2) 10:50-11:20 3次元積層に向けた高容量密度・高耐圧SiN絶縁膜粗面トレンチキャパシタの開発 SDM2020-15 齊藤宏河吉田彩乃黒田理人東北大)・柴田 寛柴口 拓栗山尚也ラピスセミコンダクタ宮城)・須川成利東北大
  11:20-13:00 昼休憩 ( 100分 )
(3) 13:00-13:30 Investigation of N-doped LaB6/LaBxNy/Si(100) MIS structure and floating-gate memory applications SDM2020-16 Kyung Eun ParkHideki KamataShun-ichiro OhmiTokyo Tech
(4) 13:30-14:00 A two-step wet etching process for the integration of PdEr/HfO2 gate stack structure on the gate-first Schottky barrier MOSFET SDM2020-17 Rengie Mark D. MailigYuichiro ArugaShun-ichiro OhmiTokyo Tech
(5) 14:00-14:30 Investigation on millisecond solid phase crystallization of amorphous silicon films induced by micro thermal plasma jet. SDM2020-18 Hoa Thi Khanh NguyenHiroaki HanafusaYuri MizukawaHiroshima Univ.)・Shohei HayashiToray Res. Cent.)・Seiichiro HigashiHiroshima Univ.
  14:30-14:50 休憩 ( 20分 )
(6) 14:50-15:20 IPAを用いた銅・酸化銅上の表面改質 SDM2020-19 間脇武蔵東北大)・寺本章伸広島大)・石井勝利東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ)・志波良信諏訪智之東北大)・東雲秀司清水 亮梅澤好太東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ)・黒田理人白井泰雪須川成利東北大
(7) 15:20-15:50 強誘電体薄膜BiFeO3の格子整合とX線構造分析 SDM2020-20 今泉文伸仲田陸人小山高専
(8) 15:50-16:20 統計的計測によるドレイン-ソース間電圧がランダムテレグラフノイズに与える影響の解析 SDM2020-21 秋元 瞭黒田理人東北大)・寺本章伸広島大)・間脇武蔵市野真也諏訪智之須川成利東北大

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分
記念講演発表 40 分 + 質疑応答 10 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 SDM幹事:森 貴洋(産業技術総合研究所)
電話 029-849-1149
E-Mail -aist 


Last modified: 2020-11-06 16:09:28


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