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電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 原 直紀 (富士通研)
副委員長 前澤 宏一 (富山大)
幹事 葛西 誠也 (北大), 松永 高治 (NEC)
幹事補佐 鈴木 寿一 (北陸先端大), 新井 学 (新日本無線)

電子部品・材料研究会(CPM) [schedule] [select]
専門委員長 高野 泰 (静岡大)
副委員長 野毛 悟 (沼津高専)
幹事 佐藤 知正 (神奈川大), 小舘 淳一 (NTT)
幹事補佐 岩田 展幸 (日大), 坂本 尊 (NTT)

シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 大野 裕三 (筑波大)
副委員長 国清 辰也 (ルネサス エレクトロニクス)
幹事 黒田 理人 (東北大)
幹事補佐 山口 直 (ルネサス エレクトロニクス)

日時 2015年 5月28日(木) 13:00 - 18:20
2015年 5月29日(金) 08:40 - 12:35
議題 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料) 
会場名 豊橋技術科学大学ベンチャービジネスラボラトリ(VBL)3Fセミナー室 
住所 〒441-8580豊橋市天伯町雲雀ヶ丘1-1
交通案内 JR豊橋駅東口バス2番のりばから豊鉄バス豊橋技科大線に乗車、「技科大前」下車(約35分)
http://www.tut.ac.jp/about/access.html
会場世話人
連絡先
エレクトロニクス先端融合研究所(EIIRIS)/電気・電子情報工学系 岡田 浩
0532-44-6979
他の共催 ◆協賛:豊橋技術科学大学VBL
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.
(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

5月28日(木) 午後 
13:00 - 18:20
(1) 13:00-13:25 液体原料を用いた熱CVDによるグラフェンの合成 ED2015-16 CPM2015-1 SDM2015-18 岸 直希岩田鷹明岩間一樹包 建峰劉 会濤曽我哲夫名工大
(2) 13:25-13:50 マイクロ波表面波プラズマCVDによる多数層グラフェン合成と紫外光カットによる高品質化 ED2015-17 CPM2015-2 SDM2015-19 市村 進内田秀雄脇田紘一中部大)・林 靖彦岡山大)・梅野正義中部大
(3) 13:50-14:15 SiC基板表面における浸漬法による自己組織化膜形成 ED2015-18 CPM2015-3 SDM2015-20 鈴木悠矢広瀬雄治玉置祥平宮川鈴衣奈木下隆利江龍 修名工大
(4) 14:15-14:40 分子線エピタキシー法により成長したInGaNナノプレートの光学特性 ED2015-19 CPM2015-4 SDM2015-21 光野徹也静岡大)・酒井 優山梨大)・岸野克巳上智大)・原 和彦静岡大
  14:40-14:50 休憩 ( 10分 )
(5) 14:50-15:15 Semi-polar GaN (10-13) grown on nominal Si (001) substrate with sputtered AlN buffer layer Hojun LeeTadashi MitsunariYoshio HondaHiroshi AmanoNagoya Univ.
(6) 15:15-15:40 表面窒化を用いたGaAsN混晶のN組成制御 ED2015-20 CPM2015-5 SDM2015-22 浦上法之山根啓輔関口寛人岡田 浩若原昭浩豊橋技科大
(7) 15:40-16:05 コランダム構造酸化物半導体の成長とMOSFET試作 ED2015-21 CPM2015-6 SDM2015-23 伊藤義人金子健太郎・○藤田静雄京大
(8) 16:05-16:30 高移動度β-Ga2O3(-201)単結晶を用いたショットキーバリアダイオードの作製 ED2015-22 CPM2015-7 SDM2015-24 古賀優太原田和也花田賢志大石敏之嘉数 誠佐賀大
  16:30-16:40 休憩 ( 10分 )
(9) 16:40-17:05 浮遊電極測定を用いたGaNショットキーバリアダイオードの順方向特性の解析 ED2015-23 CPM2015-8 SDM2015-25 山口修造・○大石敏之佐賀大)・山口裕太郎山中宏治三菱電機
(10) 17:05-17:30 Al2O3絶縁膜を有するNO2吸着H終端処理ダイヤモンドFETのデバイスシミュレーション ED2015-24 CPM2015-9 SDM2015-26 大石敏之東 竜太郎原田和也古賀優太佐賀大)・平間一行NTT)・嘉数 誠佐賀大
(11) 17:30-17:55 自由電子レーザー照射による面内配向単層カーボンナノチューブのカイラリティ制御の可能性 ED2015-25 CPM2015-10 SDM2015-27 川口大貴吉田圭佑小林弥生春宮清之介永田知子山本 寛・○岩田展幸日大
(12) 17:55-18:20 サファイア基板上におけるCo/Pt/r面配向Cr2O3積層膜の成膜条件最適化 ED2015-26 CPM2015-11 SDM2015-28 隅田貴士橋本浩佑福井慎二郎永田知子山本 寛・○岩田展幸日大
5月29日(金) 午前 
08:40 - 12:35
(13) 08:40-09:05 ピクセル間感度差に基づく溶液電位の算出によるガラス管参照電極を不要とするpHイメージセンサ ED2015-27 CPM2015-12 SDM2015-29 渡邊 愼太齋文博岩田達哉石田 誠服部敏明澤田和明豊橋技科大
(14) 09:05-09:30 分光電気化学法によるGaN/電解液界面の評価とナノ構造形成への応用 ED2015-28 CPM2015-13 SDM2015-30 熊崎祐介渡部晃生谷田部然治佐藤威友北大
(15) 09:30-09:55 混合導電性SrFeO3-δの結晶構造と酸素透過特性 ED2015-29 CPM2015-14 SDM2015-31 籠宮 功白川史朗柿本健一名工大
(16) 09:55-10:20 4H-SiC表面再結合速度の温度依存性の定量的評価 ED2015-30 CPM2015-15 SDM2015-32 小濱公洋森 祐人加藤正史市村正也名工大
  10:20-10:30 休憩 ( 10分 )
(17) 10:30-10:55 電気化学堆積CuxZnyS薄膜の熱処理 ED2015-31 CPM2015-16 SDM2015-33 トン バインガルディ市村正也名工大
(18) 10:55-11:20 溶液成長法によるSnS堆積量と撹拌の関係 ED2015-32 CPM2015-17 SDM2015-34 鈴木大司・○高野 泰石田明広静岡大
(19) 11:20-11:45 Fabrication of Cu2O/Fe-O heterojunction solar cells by electrodeposition ED2015-33 CPM2015-18 SDM2015-35 Zhang ChaolongNIT)・Junie Jhon M. VequizoTTI)・Masaya IchimuraNIT
(20) 11:45-12:10 電気化学堆積硫化鉄薄膜の硫黄アニール処理とZnOとのヘテロ接合への応用 ED2015-34 CPM2015-19 SDM2015-36 梶間崇宏名工大)・川井正一デンソー)・市村正也名工大
(21) 12:10-12:35 マイクロ流路チップ中でのレジオネラの運動制限による蛍光観測 ED2015-35 CPM2015-20 SDM2015-37 西村祐典林 隆平中澤寛一石田 誠澤田和明石井 仁豊橋技科大)・町田克之東工大/NTT-AT)・益 一哉東工大)・王 常楽飯田健一郎齋藤光正吉田眞一九大

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 葛西 誠也(北海道大)
TEL : 011-706-6509 Fax : 011-716-6004
E- : irciqei
松永 高治(NEC)
TEL:044-455-8348 Fax :044-455-8253
E-: k-fpc 
CPM 電子部品・材料研究会(CPM)   [今後の予定はこちら]
問合先  
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 黒田 理人(東北大)
Tel 022-795-4833 Fax 022-795-4834
E-: fffe 


Last modified: 2015-03-25 17:45:30


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