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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 大野 裕三 (筑波大)
副委員長 国清 辰也 (ルネサス エレクトロニクス)
幹事 黒田 理人 (東北大)
幹事補佐 山口 直 (ルネサス エレクトロニクス)

集積回路研究会(ICD) [schedule] [select]
専門委員長 藤島 実 (広島大)
副委員長 日高 秀人 (ルネサス エレクトロニクス)
幹事 吉田 毅 (広島大)
幹事補佐 高宮 真 (東大), 岩崎 裕江 (NTT), 橋本 隆 (パナソニック), 伊藤 浩之 (東工大), 範 公可 (電通大)

日時 2015年 8月24日(月) 09:30 - 18:25
2015年 8月25日(火) 09:30 - 14:50
議題 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
会場名 1日目:熊本市民会館大会議室、2日目:くまもと県民交流会館パレア 会議室1 
住所 1日目:〒860-0805 熊本市中央区桜町1番3号、2日目:熊本市中央区手取本町8-9 テトリアくまもと 9F
交通案内 一日目 http://www.city.kumamoto.jp/hpKiji/pub/detail.aspx?c_id=5&id=2931&class_set_id=2&class_id=1865, 2日目 http://www.parea.pref.kumamoto.jp
会場世話人
連絡先
萩原良昭 (崇城大学)
他の共催 ◆共催:IEEE SSCS Japan/Kansai Chapter
お知らせ ◎1日目と2日目で会場が異なりますので、ご注意ください。
1日目:熊本市民会館 大会議室
2日目:くまもと県民交流会館パレア 会議室1
1日目終了後に懇親会を予定しております。奮ってご参加ください。
◎1日目の開始時間が9:00から9:30に変更になりました。ご注意ください。

8月24日(月) 午前 
09:30 - 18:25
(1) 09:30-10:20 [招待講演]フィラメント制御による28nm混載メモリ向けReRAM開発 早川幸夫姫野敦史安原隆太郎藤井 覚伊藤 理川島良男池田雄一郎川原昭文河合 賢魏 志強村岡俊作島川一彦三河 巧米田慎一パナソニック
(2) 10:20-10:45 半断線ビア抵抗を検出するためのスクライブライン搭載アレイTEG技術の開発 新川田裕樹坪井信生ルネサス エレクトロニクス)・津田淳史ルネサス システムデザイン)・佐藤伸吾関西大)・山口泰男ルネサス エレクトロニクス
  10:45-10:55 休憩 ( 10分 )
(3) 10:55-11:45 [招待講演]TFET(トンネルトランジスタ)のコンパクトモデル実装と超低消費電力回路応用検討 田中千加外園 明安達甘奈後藤正和近藤佳之杉崎絵美子藤松基彦原 浩幸宮野信治櫛田桂一川中 繁東芝
(4) 11:45-12:35 [招待講演]負性容量による急峻スロープトランジスタ(NCFET)の設計指針 小林正治平本俊郎東大
  12:35-13:35 昼食 ( 60分 )
(5) 13:35-14:25 [招待講演]原子スイッチを用いた不揮発性論理回路(NPL)およびROM 辻 幸秀白 旭宮村 信阪本利司多田宗弘伴野直樹岡本浩一郎井口憲幸NEC)・杉井信之日立)・波田博光NEC
(6) 14:25-14:50 非均等な時間間隔サンプリングされたデータの周波数成分ベクトルを求める演算回路 田中 優梁 維焜萩原良昭崇城大
  14:50-15:00 休憩 ( 10分 )
(7) 15:00-15:50 [招待講演]低消費電力LSI応用へ向けた高移動度III-V/Ge CMOS技術の最近の進展と課題 入沢寿史産総研)・池田圭司上牟田雄一小田 穣手塚 勉産総研/東芝)・前田辰郎太田裕之遠藤和彦産総研
(8) 15:50-16:15 16nm FinFETの容量解析と性能・面積検討 岡垣 健渋谷宏治森本薫夫塚本康正新居浩二小野沢和徳REL
  16:15-16:25 休憩 ( 10分 )
(9) 16:25-18:25 パネルディスカッション"極低消費電力LSIに新構造、新材料デバイスをどう使うか?"
[モデレーター]鳥海 明 (東京大学)
[パネリスト]入沢寿史(産総研)、田中千加(東芝)、小林正治(東京大学)、辻幸秀(NEC)、新居浩二(ルネサス エレクトロニクス)
8月25日(火) 午前 
09:30 - 14:50
(10) 09:30-10:20 [招待講演]低電力混載ReRAM技術 植木 誠田辺 昭砂村 潤成廣 充上嶋和也増﨑幸治古武直也満生 彰武田晃一長谷 卓林 喜宏ルネサス エレクトロニクス
(11) 10:20-10:45 再構成可能論理回路の設計と構成素子の見積もり 嘉藤淳紀渡辺重佳二宮 洋小林 学三浦康之湘南工科大
  10:45-10:55 休憩 ( 10分 )
(12) 10:55-11:45 [招待講演]high-k添加シングルp+Polyゲートを用いた超低リーク用途向け薄膜BOX-SOI CMOS 山本芳樹槇山秀樹山下朋弘尾田秀一蒲原史朗山口泰男ルネサス エレクトロニクス)・杉井信之日立)・水谷朋子小林正治平本俊郎東大
(13) 11:45-12:10 線幅2nmの超微細シリコンナノワイヤトランジスタにおけるしきい値電圧および電流ばらつき 水谷朋子棚橋裕麻鈴木龍太更屋拓哉小林正治平本俊郎東大
  12:10-13:10 昼食 ( 60分 )
(14) 13:10-14:00 [招待講演]45.5% Energy Reduction by applying DVFS and Multi-Level-Shift Architecture for Low-Power SoCs 田辺 聡村松 篤川崎健一毛利真寿石原輝雄富士通研
(15) 14:00-14:50 [招待講演]A 25Gb/s Hybrid Integrated Silicon Photonic Transceiver in 28nm CMOS and SOI Toshihiko MoriYanfei ChenMasaya KibuneFujitsu Lab.)・Asako TodaFujitsu Lab. America)・Akinori HayakawaTomoyuki AkiyamaShigeaki SekiguchiHiroji EbeNobuhiro ImaizumiTomoyuki AkahoshiFujitsu Lab.)・Suguru AiyamaShinsuke TanakaTakasi SimoyamaPETRA)・Ken MoritoFujitsu Lab.)・Takuji YamamotoFujitsu Lab. America

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分
招待講演発表 40 分 + 質疑応答 10 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 諸岡 哲(東芝)
Tel 044-549-2870
E-: ba 
ICD 集積回路研究会(ICD)   [今後の予定はこちら]
問合先 鈴木 弘明 (日本写真印刷)
TEL 075-823-5327
E-:h-ss 


Last modified: 2015-06-30 15:07:42


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