電子情報通信学会 研究会発表申込システム
研究会 開催プログラム
技報閲覧サービス
技報オンライン
‥‥ (ESS/通ソ/エレソ/ISS)
技報アーカイブ
‥‥ (エレソ/通ソ)
 トップ  戻る   / [HTML] / [HTML(simple)] / [TEXT]  [Japanese] / [English] 


電子デバイス研究会(ED) [schedule] [select]
専門委員長 橋詰 保 (北大)
副委員長 加地 徹 (豊田中研)
幹事 村田 浩一 (NTT), 原 直紀 (富士通研)
幹事補佐 津田 邦男 (東芝), 須原 理彦 (首都大東京)

電子部品・材料研究会(CPM) [schedule] [select]
専門委員長 安井 寛治 (長岡技科大)
副委員長 竹村 泰司 (横浜国大)
幹事 大庭 直樹 (NTT), 野毛 悟 (沼津高専)
幹事補佐 今井 欽之 (NTT), 阿部 克也 (信州大)

レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE) [schedule] [select]
専門委員長 石川 浩 (産総研)
副委員長 河口 仁司 (奈良先端大)
幹事 橋本 順一 (住友電工), 佐藤 健二 (NEC)

日時 2009年11月19日(木) 08:55 - 18:25
2009年11月20日(金) 09:30 - 16:15
議題 窒化物及び混晶半導体デバイス 
会場名 徳島大学(常三島キャンパス・工業会館) 
住所 〒770-8506 徳島市南常三島町2-1
交通案内 JR徳島駅下車徒歩30分、徳島市営バス「助任橋」又は「徳島大学前」下車徒歩5分,徳島空港から徳島駅行きバス約25分徳島大学前下車
http://www.tokushima-u.ac.jp/article/0012050.html
会場世話人
連絡先
徳島大学 ソシオテクノサイエンス研究部 先進物質材料部門 教授 大野泰夫
088-656-7438, 学内5411

11月19日(木) 午前 
08:55 - 18:25
  08:55-09:00 委員長挨拶 ( 5分 )
(1) 09:00-09:25 Taマスクを用いた下地層エッチングによるGaN再成長 原 航平直井美貴酒井士郎徳島大
(2) 09:25-09:50 HVPE法によるm面サファイヤ基板上{11-22}面GaN結晶の作製 佐々木 斉後藤裕輝碓井 彰古河機械金属
(3) 09:50-10:15 AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と発光特性 島原佑樹武富浩幸三宅秀人平松和政三重大)・福世文嗣岡田知幸高岡秀嗣吉田治正浜松ホトニクス
  10:15-10:25 休憩 ( 10分 )
(4) 10:25-10:50 Moマスク選択成長法を用いた高品質規則配列InN結晶のMBE成長 神村淳平岸野克巳菊池昭彦上智大/JST
(5) 10:50-11:15 RF-MBE法を用いた高品質InN結晶成長 ~ 配列制御InNナノコラム成長について ~ 荒木 努山口智広金子昌充立命館大)・名西やすし立命館大/ソウル国立大
(6) 11:15-11:40 RF-MBE法における新規高品質InN結晶成長手法の提案とInGaN結晶成長への応用 山口智広立命館大)・名西やすし立命館大/ソウル国立大
(7) 11:40-12:05 AlNエピタキシャル薄膜における励起子発光機構 尾沼猛儀羽豆耕治東北大)・宗田孝之早大)・上殿明良筑波大)・秩父重英東北大
  12:05-13:05 昼食 ( 60分 )
(8) 13:05-13:30 半極性{11-22}InGaN量子井戸構造の近接場発光マッピング測定 金田昭男上田雅也船戸 充川上養一京大
(9) 13:30-13:55 近接場光学顕微鏡によるInGaN/GaN単一量子井戸構造の発光強度飽和マッピング 橋谷 享金田昭男船戸 充川上養一京大
(10) 13:55-14:20 ZnO基板上に成長した無極性面III族窒化物半導体の構造的・光学的異方性 小林 篤下元一馬上野耕平梶間智文太田実雄東大)・藤岡 洋尾嶋正治東大/JST
(11) 14:20-14:45 第一原理計算計算によるIn系窒化物の特異な電子構造の理論的研究 白石賢二岩田潤一筑波大/JST)・小幡輝明筑波大)・押山 淳東大/JST
  14:45-14:55 休憩 ( 10分 )
(12) 14:55-15:20 GaInAs多結晶薄膜の電気的光学的特性 鳥居義親奥迫拓也高見慎也梶川靖友島根大
(13) 15:20-15:45 GaInNの加圧MOVPEにおける熱力学解析 永田賢昌飯田大輔永松謙太郎竹田健一郎松原哲也岩谷素顕上山 智天野 浩赤崎 勇名城大
(14) 15:45-16:10 AlGaN系多重量子井戸型紫外レーザダイオード 吉田治正桑原正和山下陽滋高木康文内山和也菅 博文浜松ホトニクス
(15) 16:10-16:35 UVレーザダイオードの動作電圧の低減 市川友紀竹田健一郎小木曽裕二永田賢吾岩谷素顕上山 智天野 浩赤崎 勇名城大)・吉田治正桑原正和山下陽滋菅 博文浜松ホトニクス
  16:35-16:45 休憩 ( 10分 )
(16) 16:45-17:10 ショットキー型紫外発光ダイオードを用いたRGB発光素子の製作 本田 徹野崎 理坂井直之野口和之工学院大
(17) 17:10-17:35 酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化 永田賢吾市川友紀竹田健一郎永松謙太郎岩谷素顕上山 智天野 浩赤崎 勇名城大
(18) 17:35-18:00 InN系窒化物半導体超薄膜非対称量子井戸構造の新規光デバイス開発に向けて ~ 発光素子から太陽電池への展開 ~ 草部一秀石谷善博吉川明彦千葉大
(19) 18:00-18:25 GaN系表面ナノ構造光検出器 張 晶直井美貴酒井士郎徳島大)・深野敦之田中 覚SCIVAX
11月20日(金) 午前 
09:30 - 16:15
(20) 09:30-09:55 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長 藤田浩平奥浦一輝三宅秀人平松和政三重大)・乗松 潤平山秀樹理研
(21) 09:55-10:20 4inch×11枚大型MOVPE装置(UR25K)を用いた窒化ガリウムの高速成長 矢野良樹池永和正徳永裕樹大陽日酸)・山本 淳大陽日酸イー・エム・シー)・田渕俊也大陽日酸)・内山康右大陽日酸イー・エム・シー)・山口 晃福田 靖生方映徳大陽日酸)・原田康博伴 雄三郎松本 功大陽日酸イー・エム・シー)・山崎利明大陽日酸
(22) 10:20-10:45 4inch径Si基板上に作製した四元混晶InAlGaN/GaN HEMTエピ構造の特性評価 市村幹也三好実人田中光浩日本ガイシ)・江川孝志名工大
  10:45-10:55 休憩 ( 10分 )
(23) 10:55-11:20 MgドープGaN表面特性のアニールによる変化 小川恵理橋詰 保北大/JST
(24) 11:20-11:45 ステップストレス測定によるAlGaN/GaN HFET電流コラプス解析 黒田健太郎井川裕介光山健太敖 金平大野泰夫徳島大
(25) 11:45-12:10 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位 菅原克也久保俊晴北大)・武富浩幸三宅秀人平松和政三重大)・橋詰 保北大
  12:10-13:10  ( 60分 )
(26) 13:10-13:35 Siイオン注入した窒化物半導体上のAlフリーオーミック電極 今井章文南條拓真吹田宗義阿部雄次柳生栄治藏田哲之三菱電機
(27) 13:35-14:00 AlGaN/GaNヘテロ接合への低抵抗V/Al/Mo/Auオーミック電極の形成 渡邊史直福井大)・矢船憲成金属系材料研究開発センター/シャープ)・永森 基近岡大成福井大)・作野圭一シャープ)・葛原正明福井大
(28) 14:00-14:25 Si基板上AlGaN/GaN HEMTの高耐圧化 鈴江隆晃ローレンス セルバラージ江川孝志名工大
(29) 14:25-14:50 大電流動作GaN MOSFET 野村剛彦神林 宏佐藤義浩新山勇樹加藤禎宏次世代パワーデバイス技研組合
  14:50-15:00 休憩 ( 10分 )
(30) 15:00-15:25 Si基板上GaN-HEMTによる5GHz50W出力電力特性 星 真一伊藤正紀丸井俊治大来英之森野芳昭玉井 功戸田典彦関 昇平OKI)・江川孝志名工大
(31) 15:25-15:50 マイクロ波無線ユビキタス電源用GaNショットキーダイオードの開発 高橋健介敖 金平徳島大)・篠原真毅京大)・丹羽直幹鹿島建設)・藤原暉雄翔エンジニアリング)・大野泰夫徳島大
(32) 15:50-16:15 60 GHz帯におけるAlGaN/GaN系HEMTの出力特性 渡邊一世遠藤 聡山下良美広瀬信光NICT)・三村高志NICT/富士通研)・松井敏明NICT

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
ED 電子デバイス研究会(ED)   [今後の予定はこちら]
問合先 村田 浩一(NTT)
TEL:046-240-2871、FAX:046-270-2872
E-aecl
原 直紀 (富士通研究所)
TEL : 046-250-8242、FAX : 046-250-8168
E- : o
津田 邦男(東芝)
TEL : 044-549-2142、FAX : 044-520-1501
E- : oba
須原 理彦(首都大)
TEL : 042-677-2765 Fax : 042-677-2756
E- : t 
CPM 電子部品・材料研究会(CPM)   [今後の予定はこちら]
問合先 阿部 克也(信州大学)
E-: abenshu-u 
LQE レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE)   [今後の予定はこちら]
問合先 橋本順一(住友電気工業株式会社)
TEL 045-853-7308, FAX 045-852-2913
E-: -jui 
お知らせ ◎LQE研究会ホームページ http://www.ieice.org/~lqe/jpn/
◎LQE研究会では 平成18年度より「LQE奨励賞」を設けました。対象は発表年度の4月1日時点で32歳以下の若手研究者(学生を含む)です。積極的にご投稿下さい。


Last modified: 2009-09-28 16:15:49


ご注意: 迷惑メール対策のためメールアドレスの一部の文字を置換しております.ご了承ください.

[この開催に関する講演論文リストをダウンロードする] ※ こちらのページの最下にあるダウンロードボタンを押してください
 

[技術研究報告冊子体販売対象研究会向け:技報の当日価格一覧] ※ 開催2週間前頃に掲載されます
 
[研究会発表・参加方法,FAQ] ※ ご一読ください
 
[研究会資料インデックス(vol. no.ごとの表紙と目次)]
 

[ED研究会のスケジュールに戻る]   /   [CPM研究会のスケジュールに戻る]   /   [LQE研究会のスケジュールに戻る]   /  
 
 トップ  戻る   / [HTML] / [HTML(simple)] / [TEXT]  [Japanese] / [English] 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会