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電子部品・材料研究会(CPM) [schedule] [select]
専門委員長 竹村 泰司 (横浜国大)
副委員長 高野 泰 (静岡大)
幹事 圓佛 晃次 (NTT), 阿部 克也 (信州大)
幹事補佐 小舘 淳一 (NTT), 佐藤 知正 (神奈川大)

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日時 2012年10月26日(金) 13:00 - 18:20
2012年10月27日(土) 09:10 - 12:40
議題 薄膜プロセス・材料,一般 
会場名 まちなかキャンパス長岡 5階 501会議室 
住所 新潟県長岡市大手通2-6 フェニックス大手イースト
交通案内 長岡駅より徒歩5分
http://www.city.nagaoka.niigata.jp/kosodate/machicam/
会場世話人
連絡先
長岡技術科学大学 電気系 安井寛治
0258-39-3300(会場)
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

10月26日(金) 午後 
13:00 - 18:20
(1) 13:00-13:25 触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いたCVD法によるZnO膜の堆積特性 安井寛治三浦仁嗣田原将巳里本宗一長岡技科大
(2) 13:25-13:50 H2-O2触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いてサファイア基板上に堆積したZnO薄膜の電気伝導特性の解析 CPM2012-93 永冨瑛智山口直也竹内智彦里本宗一加藤孝弘安井寛治長岡技科大
(3) 13:50-14:15 触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜へのCVD低温バッファー層挿入効果 CPM2012-94 小柳貴寛竹澤和樹加藤孝弘長岡技科大)・片桐裕則神保和夫長岡高専)・安井寛治長岡技科大
(4) 14:15-14:40 スパッタ法によるAZO薄膜の抵抗率の検討 CPM2012-95 名越克仁富口祐輔清水英彦岩野春男川上貴浩福嶋康夫永田向太郎坪井 望野本隆宏新潟大
  14:40-14:50 休憩 ( 10分 )
(5) 14:50-15:15 非真空プロセスによるCu2ZnSnS4薄膜太陽電池の作製 ~ 窓層堆積条件検討による効率の改善 ~ CPM2012-96 田中久仁彦相澤卓実打木久雄長岡技科大
(6) 15:15-15:40 Cu2ZnSnS4を用いた三次元構造太陽電池の作製 CPM2012-97 黒川真登田中久仁彦加藤 実長沼萌壮長橋由樹打木久雄長岡技科大
(7) 15:40-16:05 塩素フリー溶液を用いたゾルゲル・硫化法によるCu2ZnSnS4薄膜の作製 CPM2012-98 佐久間広太田中久仁彦相澤卓実中野裕也打木久雄長岡技科大
(8) 16:05-16:30 CZTS薄膜太陽電池における硫化条件の最適化 CPM2012-99 樋口健人鷲尾 司神保和夫片桐裕則長岡高専
  16:30-16:40 休憩 ( 10分 )
(9) 16:40-17:05 Si基板上へのAlN層の形成およびSi/AlN上への3C-SiC成長 CPM2012-100 中澤日出樹鈴木大樹成田次理山本陽平弘前大
(10) 17:05-17:30 MOVPE法により作製したSi基板上GaPの界面形状 CPM2012-101 高木達也宮原 亮・○高野 泰静岡大
(11) 17:30-17:55 Ni/Si系におけるモノシリサイドとジシリサイドのマルチフェーズ形成 CPM2012-102 野矢 厚武山眞弓佐藤 勝徳田 奨北見工大
(12) 17:55-18:20 Cu/metal/SiO2/Si構造における界面での拡散・反応挙動(I) ~ Va遷移金属の拡散挙動 ~ CPM2012-103 武山真弓野矢 厚北見工大
10月27日(土) 午前 
09:10 - 12:40
(13) 09:10-09:35 コールドスプレー法により作製したCu/Alターゲットを用いた反応性スパッタリング法によるCuAlO2薄膜の作製 CPM2012-104 横本拓也荒井 崇小坂孝之岡島和希山上朋彦阿部克也榊 和彦信州大
(14) 09:35-10:00 熱処理法によるSrAl2O4: Eu, Dy薄膜用下地膜の検討 CPM2012-105 小林和晃清水英彦岩野春男福嶋康夫川上貴浩新潟大
(15) 10:00-10:25 プラスチック基板上に作製したITO膜及び有機EL素子の機械的特性 CPM2012-106 松井博章清水英彦岩野春男福嶋康夫永田向太郎坪井 望野本隆宏新潟大
(16) 10:25-10:50 YVO4:Bi黄色蛍光体のエネルギー移動過程 CPM2012-107 阿部泰雅谷口浩太八木純平加藤有行長岡技科大
  10:50-11:00 休憩 ( 10分 )
(17) 11:00-11:25 グラフェン層間化合物の作製と評価 CPM2012-108 山本 寛市川博亮佐藤祥吾岩田展幸日大
(18) 11:25-11:50 電界遮蔽効果と直列抵抗を同時に考慮した電界電子放出特性の検討 CPM2012-109 浅田裕司山下将弘山上朋彦林部林平上村喜一信州大
(19) 11:50-12:15 パルス電流法によるBi-2212接合スタックの接合数評価 CPM2012-110 加藤孝弘西方 翼小瀧侑央末松久幸安井寛治長岡技科大)・川上 彰NICT
(20) 12:15-12:40 ガスソースMBEによるSi上の高密度Geナノドットの作製と発光特性 CPM2012-111 姉崎 豊佐藤 魁加藤孝弘加藤有行豊田英之長岡技科大)・末光真希東北大)・中澤日出樹弘前大)・成田 克山形大)・安井寛治長岡技科大

講演時間
一般講演発表 18 分 + 質疑応答 7 分

問合先と今後の予定
CPM 電子部品・材料研究会(CPM)   [今後の予定はこちら]
問合先 阿部 克也(信州大学)
E-: abenshu-u 


Last modified: 2012-08-24 14:51:31


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