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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 奈良 安雄
副委員長 大野 裕三 (筑波大)
幹事 笹子 佳孝 (日立)
幹事補佐 黒田 理人 (東北大)

日時 2013年10月17日(木) 14:00 - 19:00
2013年10月18日(金) 09:30 - 14:30
議題 プロセス科学と新プロセス技術 
会場名 東北大学未来情報産業研究館5F 
住所 〒980-8579 宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉6-6-10 東北大学未来情報産業研究館
交通案内 http://www.fff.niche.tohoku.ac.jp/index.html
会場世話人
連絡先
東北大学 黒田 理人
022-795-3977
著作権に
ついて
以下の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

10月17日(木) 午後 
14:00 - 19:00
(1) 14:00-14:50 [招待講演]SiCパワーデバイスの開発動向 SDM2013-88 四戸 孝東芝
(2) 14:50-15:20 Electrical Properties and Reliability of Ultrathin HfN Gate Insulator Formed on Si(100) and Si(110) SDM2013-89 Nithi AtthiDae-Hee HanShun-ichiro OhmiTokyo Inst. of Tech.
  15:20-15:40 休憩 ( 20分 )
(3) 15:40-16:10 Effect of silicon surface roughness on 3-D MOS capacitor with ultrathin HfON gate insulator formed by ECR plasma sputtering SDM2013-90 Dae-Hee HanShun-ichiro OhmiTokyo Inst. of Tech.
(4) 16:10-16:40 原子レベル平坦化Si表面のキャリアモビリティ特性に基づくマルチゲートMOSFETの構造設計 SDM2013-91 黒田理人中尾幸久寺本章伸須川成利大見忠弘東北大
  16:40-17:00 休憩 ( 20分 )
  17:00-19:00 懇親会 ( 120分 )
10月18日(金) 午前 
09:30 - 14:30
(5) 09:30-10:00 内部量子効率100%のPD技術とオンチップ高透過積層膜を組み合わせた紫外光高感度・高信頼性Siフォトダイオード SDM2013-92 幸田安真黒田理人中尾幸久須川成利東北大
(6) 10:00-10:30 窒素添加LaB6薄膜のデバイス応用に関する検討 SDM2013-93 前田康貴大見俊一郎東工大)・後藤哲也大見忠弘東北大
(7) 10:30-11:00 バイアス印加硬X線光電子分光法を用いた絶縁膜/Si界面の評価 SDM2013-94 池野成裕永田晃基明大)・陰地 宏廣沢一郎高輝度光科学研究センター)・小椋厚志明大
(8) 11:00-11:30 古典的分子動力学計算による物理的プラズマダメージ形成機構の検討 ~ Fin型MOSFETでの欠陥生成機構 ~ SDM2013-95 江利口浩二松田朝彦中久保義則鷹尾祥典斧 高一京大
  11:30-13:00 昼食 ( 90分 )
(9) 13:00-13:30 積層型不揮発性メモリの設計法 SDM2013-96 渡辺重佳湘南工科大
(10) 13:30-14:00 プラズマチャージングダメージがMOSFETのRandom Telegraph Noise特性に及ぼす影響 SDM2013-97 亀井政幸中久保義則鷹尾祥典・○江利口浩二斧 高一京大
(11) 14:00-14:30 MOSFETのサブスレショルド領域におけるRandom Telegraph Noiseの時定数解析 SDM2013-98 米澤彰浩寺本章伸小原俊樹黒田理人須川成利大見忠弘東北大

講演時間
一般講演発表 25 分 + 質疑応答 5 分
招待講演発表 40 分 + 質疑応答 10 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 黒田 理人(東北大)
Tel 022-795-4833 Fax 022-795-4835
E-: fffe 


Last modified: 2013-08-19 15:10:12


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